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公开(公告)号：CN103917699B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201280054252.1
申请日：2012-09-03
申请人： 原子能和代替能源委员会
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/00 , C30B11/002 , C30B11/14 , C30B29/06 , Y10T117/1092
摘要： 坩埚形成装置(10)，用于通过定向固化制造晶体材料，包括底部(2)和至少一个侧壁(4)。底部(2)包括具有第一热阻的第一部分(2a)和具有第二热阻的第二部分(2b)，第二热阻低于第一热阻。第二部分(2b)设计为容放籽晶(3)以制造晶体材料。底部(2)和侧壁(4)至少部分地由紧密密封件(1)形成，紧密密封件(1)包括至少一个参与限定所述第一和第二部分(2a、2b)的缺口。第一部分(2a)由具有附加第一热阻的第一抗粘合层覆盖。第二部分(2b)可由具有附加第二热阻的第二抗粘合层(9b)覆盖，附加第二热阻低于第一热阻。
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公开(公告)号：CN108977876A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810983636.0
申请日：2018-08-27
申请人： 晶科能源有限公司 , 浙江晶科能源有限公司
CPC分类号： C30B11/002 , C30B29/06
摘要： 本发明提供一种坩埚及采用该坩埚的类单晶铸锭方法，所述坩埚包括坩埚本体，还包括设于所述坩埚本体内底部上的若干条状的隔离块，所有的所述隔离块纵横交错布置，以隔离出若干籽晶放置区域，所述隔离块的热导率低于所述坩埚本体底部的热导率，所述隔离块的宽度位于1mm至3mm之间。本发明中的坩埚及类单晶铸锭方法方法，由于类单晶籽晶块被隔离块隔离开，这样在长晶过程当中，类单晶籽晶块之间就不会产生挤压，同时单晶硅片能够很好的填补隔离块隔离出的籽晶间隙，整体实现无缝拼接，这样很好的避免籽晶缝隙形成多晶的同时又很好的消除了籽晶拼接处的挤压，从而降低接缝间缺陷，提升成型后的类单晶品质。
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公开(公告)号：CN107304481A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201710256274.0
申请日：2017-04-19
申请人： 国立大学法人信州大学 , 不二越机械工业株式会社
CPC分类号： C30B11/002 , C30B11/003 , C30B11/007 , C30B29/16 , H01L21/02565 , H01L21/02625 , C30B11/001 , C30B11/006
摘要： 本发明的课题在于提供能够实现氧化镓晶体的大型化、高品质化的氧化镓晶体的制造装置和氧化镓晶体的制造方法。本发明的氧化镓晶体的制造装置(10)由具备基体(12)、炉主体(14)、盖体(18)、发热体(20)、坩埚支承轴(24)和坩埚(30)的垂直布里奇曼炉构成，本发明的氧化镓晶体的制造装置(10)的特征在于，坩埚(30)为Pt系合金制的坩埚，炉主体(14)的内壁形成为由两个以上具有所需高度的环状的耐热部件(32b)层叠而成的耐热壁(32)，并且，环状的耐热部件(32b)通过将两个以上的分割片(32a)接合而形成为环状。
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公开(公告)号：CN107236986A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710561557.6
申请日：2017-07-11
申请人： 江苏星特亮科技有限公司
IPC分类号： C30B11/00
CPC分类号： C30B11/002
摘要： 本发明公开了一种用于人工晶体的生长装置，包括托盘、多个沿圆周方向环绕的设于托盘上的坩埚、设于托盘上方的具有用于容纳多个坩埚的中空腔体的保温机构、设于保温机构中的位于多个坩埚外侧周部的外加热器、设于保温机构中的位于多个坩埚环绕中心的中心加热器。本发明一种用于人工晶体的生长装置，通过在多个坩埚的环绕中心设置中心加热器，对热场中心区域进行加热温度补偿，从而形成一个具有内、外共同加热的均匀热场区域，提高了大直径热场中温度的均匀性，提高了生产效率，降低了生产成本，使生长后的人工晶体的质量较好。
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公开(公告)号：CN107068545A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710167835.X
申请日：2017-03-20
申请人： 迪夫泰克激光公司
发明人： 道格拉斯·R·迪卡尔
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02422 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B29/06 , H01L21/02532 , H01L21/0259 , H01L21/02667 , H01L21/0243
摘要： 某些电子应用，例如，有机发光二极管显示背板，要求在大面积上分布高品质半导体材料小岛。该面积超出了利用传统的基于晶锭的技术所能够制造的晶体半导体晶片的面积。本申请提供了一种岛状材料晶体岛的制造方法，该方法包括将岛状材料颗粒沉积在基板上，加热基板和岛状材料颗粒以熔化和融合颗粒从而形成熔球，然后冷却基板和熔球使熔球结晶，从而将岛状材料晶体岛固定在基板上。该方法可以用于在大面积范围内制造晶体岛阵列，远超基于传统晶锭技术所能制造的晶体半导体晶片面积。
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公开(公告)号：CN103781946B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201280036423.8
申请日：2012-07-19
申请人： REC光能普特有限公司
发明人： 佩尔·巴克 , 叶戈尔·弗拉基米罗夫 , 普里亚·霍曼约尼法 , 亚历山大·特谢拉
CPC分类号： H01L21/67098 , C30B11/002 , C30B11/003 , H01L21/324 , H01L21/67155
摘要： 用于晶体半导体材料的生长的多铸锭炉具有用于加热热区的一个或多个加热设备，在所述热区中接纳有包含半导体材料的坩埚。至少一个加热设备被布置成施加预定的有差异的热通量分布横过一个或多个坩埚中的半导体材料的水平截面，所述预定的有差异的热通量分布是根据阵列中一个或多个坩埚的位置来选择的。以此方式，加热设备能够至少部分地补偿由于半导体材料在炉中的几何位置所引起的横过半导体材料的温度差。这降低了在晶体半导体材料生长期间诸如位错等缺陷出现的可能性。还公开了相关的方法。
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公开(公告)号：CN106191997A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610882920.X
申请日：2013-02-26
申请人： 三菱综合材料株式会社
CPC分类号： B22D21/02 , B22D23/06 , B22D27/00 , C30B11/002 , C30B28/06 , C30B29/06 , F27D2003/166 , F27D2003/167 , F27D2027/002 , B22D27/04
摘要： 本发明涉及一种铸造装置及铸造方法，能够分别减少低寿命区域及杂质量，难以产生坩埚的结渣问题，通过理想的单向凝固来制造铸锭。铸造装置具备收容熔融物且上部具有开口部的坩埚(20)、加热坩埚的加热器(33,43)和对坩埚内的上部供给惰性气体的惰性气体供给单元(42)。惰性气体供给单元具备延伸至坩埚内的上部并在前端部设置有气体吐出口的气体通道。气体吐出口设置为从该气体吐出口吐出的惰性气体的流动平行于坩埚内的熔融物表面。
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公开(公告)号：CN106191992A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510479377.4
申请日：2015-08-03
申请人： 友达晶材股份有限公司
CPC分类号： H01L31/182 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B11/006 , C30B29/06 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要： 一种多晶硅锭的制造方法包含以下步骤：(A)将一个装有一硅料并具有一个底壁及一个围绕该底壁的围壁的坩埚设置于一热场内，令该坩埚内的硅料受该热场所加热以熔融成一硅熔汤；(B)于该步骤(A)后，控制该热场由该坩埚的一上方加热，以令接触于该坩埚的底壁处及至少接触邻近该底壁的围壁处的一部分硅熔汤，固化成一个固态硅晶隔离层从而令一剩余硅熔汤的一底部是由该固态硅晶隔离层所包围；及(C)于该步骤(B)后，控制该热场由该坩埚的上方持续加热，且令该坩埚内的剩余硅熔汤由该剩余硅熔汤的底部向上逐渐固化结晶成一个多晶硅锭。因此，在制造多晶硅锭过程中，预先固化形成该固态硅晶隔离层，可以降低最终的多晶硅锭内的氧含量。
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公开(公告)号：CN103498195B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201310059341.1
申请日：2013-02-26
申请人： 三菱综合材料株式会社
CPC分类号： B22D21/02 , B22D23/06 , B22D27/00 , C30B11/002 , C30B28/06 , C30B29/06 , F27D2003/166 , F27D2003/167 , F27D2027/002
摘要： 本发明涉及一种铸造装置及铸造方法，能够分别减少低寿命区域及杂质量，难以产生坩埚的结渣问题，通过理想的单向凝固来制造铸锭。铸造装置具备收容熔融物且上部具有开口部的坩埚（20）、加热坩埚的加热器（33,43）和对坩埚内的上部供给惰性气体的惰性气体供给单元（42）。惰性气体供给单元具备延伸至坩埚内的上部并在前端部设置有气体吐出口的气体通道。气体吐出口设置为从该气体吐出口吐出的惰性气体的流动平行于坩埚内的熔融物表面。
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公开(公告)号：CN106133207A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580012185.0
申请日：2015-03-06
申请人： ALD真空技术股份有限公司
CPC分类号： C30B11/002 , C30B11/003 , C30B11/14 , C30B29/06 , C30B35/002
摘要： 本发明涉及包括框架和底板的混合坩埚。所述坩埚的特征为：选择用于两个部件的热导率被优化的材料。所述坩埚适于制造结晶材料。此外，还公开了制造结晶材料的方法。
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