公开(公告)号：CN110098138B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN201910180698.2

申请日：2013-09-25

Applicant: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司

Inventor： M.温普林格 ,  V.德拉戈伊 ,  C.弗勒特根

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及一种用于在第一基板(1)的结合侧与第二基板(14)的结合侧之间生产能够导电直接结合的装置以及相对应的方法，具有下列特征：具有能够相对于环境气体密封地闭合的并且能够加载有真空的工作空间(22)，所述工作空间(22)包括：a)至少一个等离子体腔室(4)，用于更改所述结合侧的至少一个；及至少一个结合腔室(5)，用于结合所述结合侧和/或b)至少一个组合的结合等离子体腔室(20)，用于更改所述结合侧的至少一个并且用于结合所述结合侧。

公开(公告)号：CN109390220B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201811177137.9

申请日：2013-05-29

Applicant: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司

Inventor： T.瓦根莱特纳 ,  M.温普林格 ,  P.林德纳 ,  T.普拉赫 ,  F.库尔茨

IPC: H01L21/18

Abstract: 本发明涉及一种用以接合衬底的装置及方法，其中在第一接纳设备(1)的第一接纳表面(2o)上安置该第一衬底(3)且在第二接纳设备(4)的第二接纳表面(2o')上接纳该第二衬底(8);在接合起始位点(20)上接触该接触表面(3k、8k);沿着自该接合起始位点(20)行进至该衬底(3、8)的侧边缘(3s、8s)的接合波将该第一衬底(3)接合至该第二衬底(8)，其中该第一衬底(3)和/或该第二衬底(8)经变形以在该接合之前和/或在该接合期间使该接触表面(3k、8k)在该接合起始位点(20)外对准。

公开(公告)号：CN115799124A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202310010432.X

申请日：2016-09-29

Applicant: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司

Inventor： M.温普林格 ,  F.库尔茨 ,  V.德拉戈伊

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/18

Abstract: 提出了用于结合两个基板的装置、系统和方法。第一基板保持器具有凹部和隆起。

公开(公告)号：CN109791898B

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN201680089133.8

申请日：2016-09-29

Applicant: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司

Inventor： M.温普林格 ,  F.库尔茨 ,  V.德拉戈伊

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/683

Abstract: 提出了用于结合两个基板的装置、系统和方法。第一基板保持器具有凹部和隆起。

公开(公告)号：CN115629520A

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202211359043.X

申请日：2016-09-05

Applicant: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司

Inventor： F.P.林德纳 ,  H.扎格尔迈尔 ,  C.舍恩 ,  T.格林斯纳 ,  E.赖斯纳 ,  P.菲舍尔 ,  O.卢克施

IPC: G03F7/00

Abstract: 就此提出一种用于压印微和/或纳米结构的设备和方法。

公开(公告)号：CN109643674B

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN201680088184.9

申请日：2016-08-29

Applicant: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司

Inventor： T.瓦根莱特纳 ,  D.齐纳 ,  J.M.聚斯 ,  C.辛恩 ,  J.马林格

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/68

Abstract: 本发明涉及一种用于在使用多个检测单元的情况下将第一衬底(16)与第二衬底(17)对准和接触的方法以及一种对应设备。

公开(公告)号：CN115335232A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202080099594.X

申请日：2020-04-20

Applicant: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司

Inventor： V·R·S·S·莫卡帕蒂 ,  B·波瓦扎伊 ,  T·乌尔曼

IPC: B32B37/00

Abstract: 本发明涉及一种用于将转移层(12)从基底(13)、尤其是从生长基底(13)转移到载体基底(9)上的装置(1)。

公开(公告)号：CN114695134A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202210360120.7

申请日：2014-06-24

Applicant: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司

Inventor： M.温普林格

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50

Abstract: 用于衬底的表面处理的方法和设备。本发明涉及如下方法，所述方法用于对衬底（1、1'）的至少主要地结晶的衬底表面（1o、1o'）的表面处理，使得通过所述衬底表面（1o、1o'）的非晶化在所述衬底表面（1o、1o'）处形成非晶层（2、2'、2"）其中所述非晶层（2、2'、2"）的厚度d＞0nm。此外，本发明涉及相应的设备。

公开(公告)号：CN114616455A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN201980102109.7

申请日：2019-11-28

Applicant: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司

Inventor： J·加西罗夫斯基 ,  M·温普林格

IPC: G01N21/21 ,  G01B11/02 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及一种用于测量多层的基底(1,1',1'')的方法，基底尤其是具有带有临界尺寸的至少一个结构(7,7',7'',7''',7IV,7V)，基底尤其是具有带有临界尺寸的表面结构(7,7',7'',7''',7IV,7V)，其特征在于，方法至少具有以下步骤，尤其是以下过程：‑制造(110)具有多个层(2,3,4,5,6,6',6'')的基底(1,1',1'')，基底尤其是具有结构(7,7',7'',7''',7IV,7V)，尤其是在最上层(6,6',6'')的表面(6o,6'o,6''o)上具有结构(7,7',7'',7''',7IV,7V)，其中，层和尤其是结构的尺寸是已知的，‑利用至少一种测量技术测量(120)基底(1,1',1'')，和尤其是结构(7,7',7'',7''',7IV,7V)，‑利用来自基底(1,1',1'')的测量的测量结果创建(130)基底的模拟，‑将测量结果与来自基底(1,1',1'')的模拟的模拟结果进行比较(140)，‑如果测量结果与模拟结果存在偏差，则优化模拟(130)并利用来自基底(1,1',1'')的测量的测量结果重新创建(130)基底的模拟，或者如果测量结果相应于模拟结果，则计算(150)另外的基底的参数。

公开(公告)号：CN114334625A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202210003748.1

申请日：2016-02-16

Applicant: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司

Inventor： F.库尔茨 ,  T.瓦根莱特纳 ,  T.普拉赫 ,  J.M.聚斯

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及一种用于将第一衬底（2）与第二衬底（2＇）在所述衬底（2，2＇）的接触面（2o，2o＇）处接合的方法，其具有如下步骤、尤其是如下流程：‑用保持力FH1将所述第一衬底（2）保持在第一样品支架（1）的第一样品支架表面（1o）上，以及用保持力FH2将所述第二衬底（2＇）保持在第二样品支架（1＇）的第二样品支架表面（1o＇）上，‑将所述接触面（2o，2o＇）在接合发起部位（20）处接触并且至少将所述第二样品支架表面（1o，1o＇）加热到加热温度TH，‑沿着从所述接合发起部位（20）伸展至所述衬底（2，2＇）的侧边缘（2s，2s＇）的接合波，将所述第一衬底（2）与所述第二衬底（2＇）接合，其特征在于，在接合期间减小在所述第二样品支架表面（1o＇）上的所述加热温度TH。