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公开(公告)号：CN113871515A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111145683.6
申请日：2021-09-28
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种波导集成的发光二极管，本发明首次以N型硫化镉纳米带和P型单层硒化钨构建PN结，通过在PN结两端施加一个正向偏压，成功实现了基于硫化镉和硒化钨PN结的发光二极管，并利用硫化镉与硒化钨的波导耦合结构，进一步实现了一种波导集成的发光二极管。本发明对现代集成芯片中硅上光源集成及光源与波导结构耦合难题的解决，具有重要的参考价值和工业应用价值。
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公开(公告)号：CN113745261A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110822816.2
申请日：2021-07-21
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种Micro‑LED光信息传感与存储单元、光子集成芯片、阵列及制备方法，其中的光子集成芯片的信息传感与存储单元包括从下至上依次对准叠合设置的Micro‑LED、平滑层、铁电半导体、介质层和钝化层，还包括源极、漏极和栅极，所述源极和漏极分别嵌入在介质层的底部两侧并与铁电半导体接触，所述栅极嵌入在钝化层的底部并位于介质层的上方中间位置。本发明可以实现对光信息同步传感与存储，提高信号处理效率，简化电路结构，在未来光子芯片和图像识别领域具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN113701929A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111084947.1
申请日：2021-09-16
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于SBCs‑GaN micro‑LED的柔性压力可视化传感器及其制备方法，所述柔性压力可视化传感器，包括上层PDMS薄膜、AgNW/PDMS柔性电极、SBCs网络薄膜、GaN基Micro‑LED阵列，下层PDMS薄膜；本发明将基于苯乙烯系嵌段共聚物的压敏传感结构和氮化镓基高密度micro‑LED电致发光阵列进行集成获得柔性压力传感器。SBCs薄膜是由纳米纤维相互缠绕构成，能够形成致密的导电微结构。这种微结构表面与AgNW/PDMS薄膜之间存在较小的导电面积，在较小压力情况下能够引发导电面积的急剧增加，使得该传感器在灵敏度、传感精度和感测范围有较大提升。在压力信号可视化方面，由于这种结构引入了具备高空间分辨率的GaN基Micro‑LED电致发光阵列完成压力信号向光信号的转换，因此能够显著提升整体传感器的空间分辨率。
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公开(公告)号：CN111812753A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010483854.5
申请日：2020-06-01
Applicant: 湖南大学
Inventor： 潘安练
Abstract: 本发明公开了一种硅基底3-6μm红外窗口片，所述红外窗口片以单晶硅为基底，所述基底两侧均镀有单层的增透膜，所述增透膜选自一氧化硅膜或氧化钇膜，本发明以单晶硅作为基底，选择一氧化硅或者氧化钇作为增透膜材料，意外的发现在特定的厚度下(一氧化硅增透膜的厚度为0.537-0.696μm，氧化钇增透膜的厚度为0.502-0.689μm)，只需两侧均采用单层的增透膜结构，即可使红外窗口片在3-6μm的红外波段平均透过率≥90％，极值透过率≥98％；而在优选的方案中，所述红外窗口片在3-6μm的红外波段平均透过率≥90％，极值透过率≥99.6％。本发明采用单层增透膜却达到了现有技术中需要设置多层增透膜才能达到的红外窗口的使用效果。
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公开(公告)号：CN111525393A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010092752.0
申请日：2020-02-14
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种电可调控波长的纳米激光器。本发明以单根的纳米单晶硫化镉纳米带为增益介质，使用具有超高瞬时功率的飞秒光泵浦，成功实现了基于硫化镉纳米结构的纳米激光器，并通过引入外加偏压，进一步实现了一种电可调控波长的纳米级激光器。对现代集成芯片中硅上光源难题的解决，具有重要的参考价值。本发明所使用的硫化镉纳米带厚度为100纳米左右，宽度为5微米左右，长度为十几微米。该纳米材料的具体合成方法是：先在洗净的硅片上沉积一层金膜，然后以硫化镉粉末为源材料，利用VLS生长机制在镀有金膜的硅片上生长硫化镉纳米带。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107123706B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201710225090.8
申请日：2017-04-07
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种CVD构建CsPbBr3纳米片电致发光器件的方法。其制备方法为：将摩尔比为1.85‑2.05:1的CsBr和PbBr2粉装入瓷舟壹(1)，并将刻蚀有电极的ITO玻璃片平铺于瓷舟贰(2)上后，将瓷舟壹(1)置于水平管式炉的中部，将瓷舟贰(2)置于水平管式炉中靠近出气口的一端；通入载气，排出炉内空气后，通入载气，并升温至瓷舟壹(1)的加热温度为570‑600℃、瓷舟贰(2)的加热温度为300‑400℃，进行沉积，得到产品。本发明首次用一种简单的方法在ITO电极上构建了CsPbBr3纳米片器件，并得到了在电注入下的发光。所得器件性能高效稳定，可以应用于纳米级光电集成电路。
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公开(公告)号：CN104659652B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201510076981.2
申请日：2015-02-13
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种波浪状纳米带及基于波浪状纳米带的纳米激光器阵列制备方法，通过大量的实验分析得出了如何控制生长过程中气氛条件，巧妙的实现了波浪状CdS纳米带的制备。微结构表征结果表明本波浪状CdS纳米带的形成是由厚度周期变化而引起，形成沿宽度方向具有三角形截面的纳米脊状结构，这些脊状结构沿纳米带长度方向周期排列而形阵列。利用纳米脊状结构形成的沿纳米带宽度方向的光学腔，当光在纳米带中波导时，光将被限域在这些纳米光学腔内，进而产生谐振激射。利用波浪状CdS纳米带在光激发下产生纳米激光器阵列，从而解决了常规表面平整的纳米带无法观察到沿宽度方向的光振荡，并实现基于纳米带的纳米波导腔和纳米激光器阵列。
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公开(公告)号：CN107119328A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710225766.3
申请日：2017-04-07
Applicant: 湖南大学
CPC classification number: C30B29/607 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C30B23/00 , C30B29/46
Abstract: 本发明涉及一种具有复杂螺旋结构的层状WS2二维纳米材料及其制备方法，属于光电材料设计制备技术领域。所述具有复杂螺旋结构的层状WS2二维纳米材料具有数量大于等于2的螺旋结构，且存在螺位错夹角，所述螺旋结构选自双螺旋结构、三双螺旋结构、N螺旋结构中的至少一种；所述N为大于3的正整数。本发明首次用一种简单的方法合成了组分均一，但结构多变的层状螺旋WS2二维纳米材料。所得产品结晶质量高，结构多样化，应用领域广。
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公开(公告)号：CN104762608B
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201510097740.6
申请日：2015-03-05
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种生长方向可控制的水平CdS纳米线阵列的制备方法，属于一维半导体纳米材料制备技术领域。本发明首次采用一种简单的方法实现了硫化镉纳米线方向的可控制生长，得到的纳米线长度可达到几十微米长，直径为100纳米左右。本发明的工艺技术简单，控制方便，便于大规模生产应用。同时本发明的所设计的工艺以及所制备的成品将在基本物理研究和纳米级功能器件的集成方面具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN104695021B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201510097755.2
申请日：2015-03-05
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种层状螺旋WS2二维纳米材料及其制备方法，属于层状二维纳米材料制备技术领域。本发明所述层状螺旋WS2二维纳米材料是通过螺旋位错的生长将相邻的WS2层连接在一起；所述WS2层呈三角形。本发明首次用一种简单的方法合成了组分均一层状螺旋WS2二维纳米材料。所得产品结晶质量高，便于应用于纳米级功能性光电子器件。
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