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公开(公告)号：CN100587481C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200610165220.5
申请日：2006-12-14
Applicant: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
CPC classification number: G01V5/0008 , G01V5/0016
Abstract: 一种可移动悬臂门式集装箱检查系统，涉及辐射扫描成像检查技术领域。本发明包括由辐射源、探测器组成的扫描车架及其远程控制装置而形成移动式扫描设备。其结构特点是，所述辐射源或辐射源所置于的设备仓与L型悬臂结构相连接形成门式架。辐射源或辐射源所置于的设备仓下设有可在轨道上往复运动的滚轮，各滚轮由驱动装置控制。探测器置于门式架悬臂结构中的横梁和竖梁之中，辐射源的射线正对门式架悬臂结构中的各排探测器。被检集装箱卡车可由门式架形成的门框中通过。本发明设计为悬臂结构，使检查系统具有运行平稳、成像质量好、可靠性高等特点。
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公开(公告)号：CN101435783A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200710177405.2
申请日：2007-11-15
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC: G01N23/04 , G01N23/087 , G01N23/10
CPC classification number: G01N23/04 , G01N23/087 , G01N2223/423
Abstract: 公开了一种物质识别方法和设备，该方法包括步骤：用高能射线和低能射线透射被检物体，以获得被检物体的高能透射图像和低能透射图像，所述高能图像中的每个像素的值表示高能射线对被检物体的相应部分的高能透明度，而所述低能图像中每个像素的值表示低能射线对被检物体的相应部分的低能透明度；针对每个像素，计算所述高能透明度的第一函数的值和所述高能透明度和所述低能透明度的第二函数的值；以及通过利用预先创建的分类曲线对由所述第一函数的值和所述第二函数的值所确定的位置进行分类来识别被检物体中与每个像素所对应的那部分的物质的类型。利用本发明，不仅能够获得被检查物体的透射图像，而且能够获得被检查物体中的材料信息。
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公开(公告)号：CN101334369A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200710118145.1
申请日：2007-06-29
Applicant: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
CPC classification number: G01N23/046 , G01N2223/419
Abstract: 公开了一种检查液态物品中隐藏的毒品的方法和设备，以在不打开包装的情况下判断该液态物品中是否隐藏有毒品。该方法包括步骤：发出射线束以透射所述液态物品；接收透射过所述液态物品的射线束，以形成多角度投影数据；基于所述液态物品的均匀性，通过对所述多角度投影数据进行求逆运算，来计算得到被检液态物品的属性值；利用所述液态物品的标识信息作为索引从预先创建的数据库中检索参考属性值，并且计算所计算的属性值和参考属性值之间的差值；以及判断所述差值是否大于预定的阈值；其中，在所述差值大于预定的阈值的情况下，认为所述液态物品中隐藏了毒品。
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公开(公告)号：CN101162210A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200710162699.1
申请日：2007-10-09
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
Abstract: 本发明涉及辐射检测技术领域，尤其涉及一种X射线检查系统及该系统中数据和信令的传输方法。公开了一种X射线检查系统，包括X射线发生单元、数据采集单元、存储单元、通信单元和成像及显示单元，其中，存储单元用于缓存数据采集单元转换的图像数据；通信单元用于检测存储单元中保存的图像数据，将检测到的图像数据转换成通用数据格式，并发送给成像及显示单元。本发明同时公开了一种X射线检查系统中数据或信令传输的方法。利用本发明，节约了硬件资源，有效降低了X射线检查系统整机的成本，大大方便了设备的检修和调试，能够实现设备的远程控制和远程数据读取，非常适合于作业流程的信息化和现代化改造。
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公开(公告)号：CN101074935A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200610011943.X
申请日：2006-05-19
Applicant: 清华大学 , 清华同方威视技术股份有限公司
IPC: G01N23/04 , G01N23/083
CPC classification number: G01N23/087 , A61B6/482 , G01N2223/5015 , G01V5/0041
Abstract: 公开了一种探测器阵列，包括：第一线阵探测器，用于探测穿透被检物体的至少一个部分的第一射线；第二线阵探测器，与所述第一线阵探测器平行设置，用于探测与所述第一射线交替发射并穿透所述至少一个部分的第二射线。利用所述探测器阵列，能够提高交替双能射线对被检物体的扫描检查效率和材料识别正确率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1995993A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200510136319.8
申请日：2005-12-31
Applicant: 清华大学 , 清华同方威视技术股份有限公司
Inventor： 康克军 , 胡海峰 , 陈志强 , 李元景 , 王学武 , 唐传祥 , 王利明 , 刘以农 , 刘耀红 , 张丽 , 李荐民 , 钟华强 , 程建平 , 陈怀璧 , 彭华 , 谢亚丽 , 李君利 , 康宁 , 李清华
CPC classification number: G01N23/087 , A61B6/4241 , A61B6/482 , G01V5/0041
Abstract: 本发明公开了一种利用多种能量辐射扫描物质的方法和装置。该方法包括：1)探测多种能量的射线穿透被测物质后的探测值；2)初步判断物质属性及厚度信息；3)根据初步判断结果选择处理该物质的能量区间和处理函数；4)最终确定所含物质，并根据厚度信息调整图像。相应的装置包括：1)产生多种能量的射线源；2)针对不同能量所使用的能谱调制装置；3)对不同能量敏感的探测器阵列；4)相应的图像处理机构。本发明可用在海关、港口、机场对大型集装箱货物进行不开箱查验。
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公开(公告)号：CN114594113B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202210203812.0
申请日：2022-03-02
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种单源双射线成像检测方法及装置，方法包括：根据被检测物体的中子成像检测数据和X射线成像检测数据，确定被检测物体对于中子和X射线的透射衰减量；根据被检测物体对于中子和X射线的透射衰减量，计算被检测物体的材料属性参数；统计材料属性参数的分布，拟合出材料属性参数的高斯分布曲线；根据预设的判别阈值，对高斯分布曲线中超出预设分布范围的材料属性参数进行标记；根据标记出的材料属性参数确定被检测物体中目标对象的位置。在拟合出的材料属性参数高斯分布曲线中，对超出分布范围的属性参数进行标记，根据标记出的属性参数确定目标对象的位置，能够对被检测物体中目标对象的位置进行准确定位，提高了检测的精确度。
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公开(公告)号：CN114528784B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202210220813.6
申请日：2022-03-08
Applicant: 清华大学
IPC: G06F30/28 , G06F113/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及一种射频四极加速器的束流动力学设计方法，所述射频四极加速器在径向匹配段和成形段之后包括多个加速单元，其中，该方法在确定射频四极加速器的束流动力学设计的非线性规划模型的决策变量、约束函数和目标函数后，根据前一个加速单元的束流动力学参数，通过非线性规划方法计算当前加速单元的束流动力学参数，然后，判断所计算出的当前加速单元的束流动力学参数中的加速单元出口能量是否已达到射频四极加速器的设计要求的同步能量，若否，则以下一加速单元作为当前加速单元重复上述步骤；若是，则结束对于射频四极加速器的束流动力学设计。
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公开(公告)号：CN115248456B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202210726650.9
申请日：2022-06-23
Applicant: 清华大学
IPC: G01T3/00
Abstract: 本发明涉及一种He‑3管探测器，包括：密封腔室，该密封腔室用于容纳电子学系统；若干He‑3管，所述He‑3管成阵列地布置在密封腔室的背板上，其中，在密封腔室的背板上由若干卡槽固定每根He‑3管，在对应于每根He‑3管的两端的位置布置有贯穿密封腔室的背板的定位孔；以及为每根He‑3管的两端分别配设的弯管结构，所述弯管结构由第一管段、第二管段以及连接它们的波纹管段组成，弯管结构的第一管段的自由端与相应的He‑3管相互焊接，第二管段的自由端经由与相应的He‑3管相对应的定位孔突伸入密封腔室内，其中，在弯管结构所突伸入的定位孔内以径向密封形式实现相对于所述密封腔室内的真空密封。
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公开(公告)号：CN117192595A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311476507.X
申请日：2023-11-08
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供了一种高纯锗探测器，涉及半导体器件技术领域，该高纯锗探测器包括：高纯锗晶体；第一电极，第一电极设置于高纯锗晶体的第一表面；以及第二电极，第二电极设置于高纯锗晶体的第二表面，第一表面和第二表面为高纯锗晶体相对的表面，其中，第一电极包括：锂扩散电极，锂扩散电极设置于高纯锗晶体的第一表面和侧表面的至少一部分；第一非晶层，第一非晶层设置于高纯锗晶体的第一表面和侧表面的至少一部分；以及第一金属电极，第一金属电极设置于第一非晶层远离高纯锗晶体的一侧，其中，第一金属电极的至少一部分与锂扩散电极收集同一种载流子，从而减小了高纯锗探测器的死层厚度，可以制作精密的电极结构。
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