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公开(公告)号：CN115791497A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202111056421.2
申请日：2021-09-09
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
Abstract: 本公开涉及一种煤质分析系统及方法，其中，煤质分析系统包括：第一加热炉，被配置为加热煤样以使煤样中的水分挥发；第二加热炉，被配置为加热第一加热炉脱水后的煤样，以使煤样中的挥发分挥发以及硫成分、碳成分和氢成分发生反应；供气组件，包括：氮气气源和氧气气源，氮气气源被配置为向第一加热炉提供氮气，氧气气源被配置为向第二加热炉提供氧气；和气体分析组件，包括第一支路和分析部件，第一支路的第一端连接第二加热炉的排气口，第一支路的第二端连接分析部件，分析部件被配置为测量挥发分的含量，以及根据硫成分、碳成分和氢成分的反应产物确定相应成分的含量。
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公开(公告)号：CN112285259A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201910670621.3
申请日：2019-07-23
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
Abstract: 提供一种离子迁移谱装置，包括：离子迁移管，用于对待检样本进行检测；循环气路模块，其一端与离子迁移管的气体进入口连通，另一端与离子迁移管的气体出口连通，用于对离子迁移管排出的排出气进行处理，并将处理后的排出气作为迁移气和循环载气导入离子迁移管，循环气路模块包括第一气体驱动装置，离子迁移谱装置还包括过载恢复气路模块，过载恢复气路模块包括将循环气路模块与大气连通的第一出气支路；第一气体驱动装置被配置成当离子迁移谱装置吸入的待检样本浓度高于阈值时将离子迁移谱装置内的气体中的至少一部分经由第一出气支路抽出。该离子迁移谱装置能够实现短时、自动恢复离子迁移谱装置的过载故障，缩短清洁时间。
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公开(公告)号：CN110836901B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201810942770.6
申请日：2018-08-17
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC: G01N23/046
Abstract: 本发明实施例公开了一种基于K边缘成像的优化阈值方法、装置、设备和介质。该方法包括：光子计数探测器根据预设阈值组预扫描待探测物体，得到第一探测数据；依据第一探测数据，确定每条射线中基函数组合的分解系数的线积分值，每条射线均是固定的基函数组合；在每条射线中基函数组合的分解系数的线积分值中，筛选出基函数组合的造影剂材料基函数的线积分值大于预设线积分阈值的射线；将筛选得到的每条射线对应的探测数据输入预训练神经网络模型中，得到筛选得到的每条射线的局部最优化阈值组；依据局部最优化阈值组，确定光子计数探测器的K边缘成像的整体最优化阈值组。
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公开(公告)号：CN110836901A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201810942770.6
申请日：2018-08-17
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC: G01N23/046
Abstract: 本发明实施例公开了一种基于K边缘成像的优化阈值方法、装置、设备和介质。该方法包括：光子计数探测器根据预设阈值组预扫描待探测物体，得到第一探测数据；依据第一探测数据，确定每条射线中基函数组合的分解系数的线积分值，每条射线均是固定的基函数组合；在每条射线中基函数组合的分解系数的线积分值中，筛选出基函数组合的造影剂材料基函数的线积分值大于预设线积分阈值的射线；将筛选得到的每条射线对应的探测数据输入预训练神经网络模型中，得到筛选得到的每条射线的局部最优化阈值组；依据局部最优化阈值组，确定光子计数探测器的K边缘成像的整体最优化阈值组。
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公开(公告)号：CN109524290A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811654155.1
申请日：2018-12-29
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC: H01J49/04
Abstract: 本公开的实施例提供一种基于脉冲采样的离子迁移谱仪装置。离子迁移谱仪装置包括：离子迁移谱仪，配置用于检测样品；采样装置，配置用以采集样品并输出包含样品的混合气体；以及循环气路，配置成将采样装置与所述离子迁移谱仪流体连通，以便将采样装置输出的包含样品的混合气体导入至所述离子迁移谱仪，并且能够将离子迁移谱仪排出的气体的至少部分送回至所述离子迁移谱仪和/或所述采样装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105759303B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201610188180.X
申请日：2013-04-26
Applicant: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC: G01T1/36
Abstract: 本发明提供一种半导体探测器，该半导体探测器包括半导体晶体、阴极、阳极和至少一个阶梯电极；所述半导体晶体包括顶面、底面和至少一个侧面；所述阴极、所述阳极和所述阶梯电极都为沉积于所述半导体晶体表面的导电薄膜；所述阴极设于所述半导体晶体的所述底面上，所述阳极设于所述半导体晶体的所述顶面上，所述阶梯电极设于所述半导体晶体的至少一个侧面上；所述阶梯电极包括多个子电极。与现有技术相比，所述半导体探测器能够提高能量分辨率。
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公开(公告)号：CN106847936B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201611120663.2
申请日：2016-12-07
Applicant: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC: H01L31/02 , H01L31/0203 , H01L31/18
Abstract: 公开了一种基于金属键合的光电器件封装结构及其制造方法。根据实施例，一种光电器件封装结构可以包括光电芯片和封装基底。光电芯片包括：衬底，具有彼此相对的第一表面和第二表面；在衬底上形成的光电器件；以及在第一表面上形成的用于光电器件的电极。封装基底具有彼此相对的第一表面和第二表面，并包括从第一表面延伸到第二表面的导电通道。光电芯片以其第一表面面向封装基底的方式与封装基底叠置在一起，且光电芯片的第一表面上形成的电极与封装基底中的相应导电通道键合在一起。
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公开(公告)号：CN105798466B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201410831981.4
申请日：2014-12-29
Applicant: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC: B23K26/38 , B23K26/402 , B28D1/24
CPC classification number: G01T1/2018
Abstract: 本发明的陶瓷闪烁体阵列的加工方法具备如下步骤：（a）利用激光在闪烁体基片上在第一方向形成彼此平行并且间隔预定距离的预定数量的平直的第一方向通透切缝；（b）使用粘合剂充分填充所述第一方向通透切缝并使所述粘合剂固化；（c）利用激光在所述闪烁体基片上在与第一方向垂直的第二方向上以预定间隔形成预定数目的彼此平行的第二方向通透切缝；以及（d）使用粘合剂充分填充所述第二方向通透切缝并使所述粘合剂固化。
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公开(公告)号：CN108445111A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810437372.9
申请日：2018-05-09
Applicant: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开一种用于样品检测的闸机系统及样品检验方法。涉及检测分析领域，该闸机系统，包括：容纳装置，用于容纳插入的待测票证；擦拭采样装置，包括擦拭采样带，所述擦拭采样带带动所述待测票证在所述容乃装置内移动，并且对所述待测票证进行擦拭采样；吸气采样装置，用于收集从所述擦拭采样装置上掉落的样品；以及检测装置，用于对所述样品进行检测，输出检测结果。本申请公开的用于样品检测的闸机系统及样品检验方法，适用范围广，能够对难挥发物质进行快速的取样检测。
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公开(公告)号：CN104515781B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201410851416.4
申请日：2014-12-31
Applicant: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC: G01N23/02
Abstract: 本发明公开了一种X射线检查系统，包括X射线发射装置、探测器阵列和X射线束流强度监控装置，X射线发射装置发出的X射线束流包括照射于探测器阵列上的工作束流和照射于探测器阵列之外的冗余束流，X射线束流强度监控装置包括强度探测模块和数据处理模块，强度探测模块设置于X射线发射装置和探测器阵列之间以接受冗余束流的照射并发出探测信号，数据处理模块与强度探测模块耦合以接收探测信号并输出X射线束流强度监控信号。该X射线检查系统的强度探测模块利用的是X射线束流的冗余束流，强度探测模块基本不受X射线发射装置和被检物体的影响，从而可使X射线束流强度的监控结果更加准确可靠。
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