公开(公告)号：CN108191246A

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201810151932.4

申请日：2018-02-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  习娟 ,  陈菁菁 ,  姜登辉 ,  周昌荣 ,  袁昌来

IPC: C03C10/00 ,  C03C6/00 ,  C03B19/06

Abstract: 本发明公开了一种低介低烧基板材料及其制备方法。所述材料的组成中至少包括了：7.0～9.0 mol%的MgO，43.0～45.0 mol%的ZnO，13.0～15.0 mol%的B2O3，34.0 mol%的P2O5，0.5～1.0mol%Ga2O3和0.5mol%Sc2O3。所述基板材料是一种具有超低介电常数、高品质因数以及小谐振频率温度系数的微晶玻璃基板材料，其在测试频率（15-16 GHz）下的相对介电常数（Er）低至3.02-3.15，谐振频率温度系数绝对值（Tcf）低至57-70 ppm/oC，品质因数（Qxf）可以达到11500-14000GHz。

公开(公告)号：CN108117262A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201810151957.4

申请日：2018-02-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  习娟 ,  陈菁菁 ,  姜登辉 ,  周昌荣 ,  袁昌来

IPC: C03C10/02 ,  C03B11/00 ,  C03B32/02

Abstract: 本发明公开了一种超低介低烧微晶玻璃介质材料及其制备方法。所述材料的组成中至少包括了：10.0～16.0wt%的CuO，16.0～22.0wt%的ZnO，62.0wt%的B2O3，5.0wt%的Li2O，0.5wt% CeO2和0.5wt%Ga2O3。所述介质材料是一种具有超低介电常数、高品质因数以及近零谐振频率温度系数的微晶玻璃介质材料，其在测试频率（～16 GHz）下的相对介电常数（Er）低至2.60-3.11，谐振频率温度系数绝对值（Tcf）低至0 ppm/oC附近，品质因数（Qxf）可以达到5100-9145 GHz。

公开(公告)号：CN105503164B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201410548546.0

申请日：2014-10-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  曾卫东 ,  杨玲 ,  陈国华 ,  袁昌来 ,  杨华斌 ,  周沁

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高绝缘铁酸铋基高温压电玻璃陶瓷复合材料及其制备方法，成分以通式BiFeO3+x(20Bi2O3‑30SiO2‑30CaO‑20ZrO2)+0.02Sc2O3或BiFeO3+x(35Bi2O3‑ 30SiO2‑25CaO‑10ZrO2) +0.05Sc2O3来表示，其中x表示摩尔分数，0 600°C，机械品质因数高于600，在高温压电传感器具有很好的应用前景。

公开(公告)号：CN105174943B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201510611206.2

申请日：2015-09-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  唐晓玲 ,  袁昌来 ,  周昌荣

IPC: C04B35/47 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种介电储能陶瓷及其制备方法，组成成分以通式Re0.02Sr0.97TiO3+x%MnO2+y%ZnNb2O6来表示，其中Re为La、Nd、Sm或Gd，MnO2、ZnNb2O6为外加，0.1≤x≤0.3，1.5≤y≤7.5，x，y均为质量分数。本发明通过在钛酸锶中掺杂稀土和添加铌酸锌，采用一步烧结，获得致密均匀、细晶结构的陶瓷。本发明的陶瓷具有优秀的介电性能，储能密度可达2.98 J/cm3，储能效率可达90%以上，击穿强度可达535kV/cm，具有高耐压、高储能密度与高储能效率的优点，在脉冲电源领域有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN104891989B

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201510244734.9

申请日：2015-05-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  周星星 ,  冯琴 ,  刘笑 ,  周昌荣 ,  杨涛 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种Srx(Bi0.47Na0.47Ba0.06)1‑xMxTi1‑xO3高储能密度陶瓷及其制备方法，制备方法采用放电等离子烧结（SPS）技术制备Srx(Bi0.47Na0.47Ba0.06)1‑xMxTi1‑xO3高储能密度陶瓷，其中：0.05≤x≤0.3，M为Sn、Zr、(Mg1/3Nb2/3)、(Mg1/3Ta2/3)、(Zn1/3Nb2/3)、(Zn1/3Ta2/3)、(Ni1/3Nb2/3)、(Ni1/3Ta2/3)、(Al1/2Nb1/2)、(Al1/2Ta1/2)、(Co1/2Nb1/2)、(Co1/2Ta1/2)、(Cr1/2Nb1/2)、(Cr1/2Ta1/2)中的一种。本发明制备的高储能密度陶瓷，基于电滞回线计算的储能密度可达0.9~2.4 J/cm3，可承受最高交流电压介于115~210 kV/cm之间。

公开(公告)号：CN107032784A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710301047.5

申请日：2017-05-02

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 曾卫东 ,  周昌荣 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/45

Abstract: 本发明公开了一种大压电各向异性无铅压电陶瓷材料，配方为：0.94Bi1/2Na1/2Ti0.85(Cu1/3Ta2/3)0.15O3‑0.06LiBiO3；通过LiBiO3的辅助烧结，结合Bi的变价，在A位与B位出现相同元素的不同价态Bi3+/Bi5+，诱导出现特殊的同素异价A/B位离子有序态(Bi3+与Bi5+分别进入A位与B位)，结合交直流极化工艺，产生特殊的大压电各向异性。该产品具有优良的大压电各向异性性能，稳定性好，绿色环保，可在超声换能器领域使用。

公开(公告)号：CN104649663B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201510104202.5

申请日：2015-03-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  许积文 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高耐压、高储能密度与储能效率的复相陶瓷介电材料，成分以通式(1‑x)(Bi0.49Na0.42)Ba0.06TiO3‑x(35BaO‑15ZnO‑10Al2O3‑20B2O3‑20SiO2)来表示，其中x表示摩尔分数，0.01≤x≤0.5。本发明在反铁电相中添加玻璃粉，采用两歩烧结，通过玻璃相填充孔洞，获得微观结构均匀致密复相陶瓷。本发明的复相度陶瓷具有优异的储能密度、储能效率及高耐压性，储能密度可达1.86J/cm3，储能效率可达80%、耐压可达223kV/cm，损耗低，在脉冲电源领域应用前景好。

公开(公告)号：CN105645767A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201610062105.9

申请日：2016-01-29

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  姚乐琪 ,  崔三川 ,  康晓玲 ,  袁昌来

IPC: C03C4/12 ,  C03C3/21 ,  C03C6/00 ,  C03B19/02

CPC classification number: C03C4/12 ,  C03B19/02 ,  C03C1/00 ,  C03C3/21

Abstract: 本发明属于稀土发光材料领域，具体涉及一种可用于白光LED 显示的红色荧光玻璃材料及其制备方法。所述的玻璃组成以摩尔百分比计为：Na2O=24，RO (R=Ca，Sr，Ba)=24，B2O3=43-45，P2O5=6，ZrO2=1-3。稀土为外加， Eu2O3=0.25-2.0。采用高温熔融法制备得到。制备的玻璃在362nm、383nm或393nm紫外光激发下，发射出中心波长在612nm附近的红色荧光，发光强度高、稳定性好；其近紫外光的激发，与近紫外半导体芯片的发射波长非常吻合，可作为近紫外光激发的白光LED用荧光材料。本发明方法简单易行，不需要还原气氛，易于工业化生产，生产成本低，重现性好，有望与半导体芯片直接组装成白光器件，简化封装工艺。

公开(公告)号：CN105601272A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201610057795.9

申请日：2016-01-28

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  屈婧婧 ,  黄先培 ,  刘飞 ,  刘笑 ,  王殿辉 ,  周昌荣 ,  陈国华

IPC: C04B35/465 ,  C04B35/626 ,  C04B35/634

CPC classification number: C04B35/465 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/63416 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/74

Abstract: 本发明公开了一种超低损耗极限类Mgn+1TinO3n+1微波陶瓷及其制备方法，其化学式为：Mgn+1TinO3n+1，式中，n=2,3,4,5,6,7…50。实现方法为先合成Mgn+1TinO3n+1粉体，把所得粉体加入聚乙烯醇混合均匀并压制成圆柱状坯体，在1340~1380℃烧结4小时成瓷，即可获得超低损耗极限类Mgn+1TinO3n+1微波陶瓷。相对于MgTiO3与Mg2TiO4陶瓷材料，Mgn+1TinO3n+1体系微波陶瓷的介电常数与谐振频率温度系数变化不大，但Q×f值却有极其显著的提高。其中，在1360℃烧结4小时的Mgn+1TinO3n+1(n=5)微波陶瓷能够获最优的微波介电性能：Q×f~382,500GHz(f0=7.534GHz),εr~16.4，τf~-55.3ppm/℃。预计Mg6Ti5O16陶瓷材料可作为应用于各高频领域大型通信设备的微波电路中作为介质基板的主要材料。

公开(公告)号：CN103880415B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201410064074.1

申请日：2014-02-25

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  刘飞 ,  杨涛 ,  陈国华 ,  杨云 ,  周昌荣 ,  刘心宇

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/47 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低损耗高介电微波陶瓷，其组成通式为：Sr1-x-y(Ca0.6M0.8/3)y(Na0.5E0.5)xTiO3，其中：0≤x≤0.1，0.6≤y≤0.7，符号M和E均为La,Sm,Nd,Dy,Gd稀土元素中的一种。实现方法为先合成Sr1-x-y(Ca0.6M0.8/3)y(Na0.5E0.5)xTiO3粉体，把所得粉体加入聚乙烯醇混合均匀并压制成圆柱状坯体，然后在1350~1500℃保温4小时进行高温烧结成瓷，即可得到低损耗高介电Sr1-x-y(Ca0.6M0.8/3)y(Na0.5E0.5)xTiO3微波陶瓷。相对于CaTiO3微波陶瓷，该微波陶瓷介电常数高、谐振频率温度系数更小、损耗更低，性能测试表明能够获得较好的微波介电性能：介电常数εr介于150~180，谐振频率温度系数τf介于300~450ppm/℃，品质因子与谐振频率的乘积Qf介于6500~12000GHz。