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公开(公告)号:CN103035929B
公开(公告)日:2015-07-08
申请号:CN201210366102.6
申请日:2012-09-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01M4/92 , H01M4/8605 , H01M8/1004 , H01M2008/1095 , Y02E60/50
Abstract: 催化剂层、膜电极接合体和电化学电池。本发明的实施方式涉及催化剂层5、7、膜电极接合体1和电化学电池。提供具有充分的耐溶解性和高催化剂活性的催化剂层5、7以及含有该催化剂层5、7的膜电极接合体1和电化学电池。根据实施方式,提供催化剂层5、7,其包含催化剂材料,具有20-90体积%的多孔度,通过用Cu的Kα线对催化剂层进行X射线衍射测定而得到的光谱中的比R1与通过用Cu的Kα线对粉末状态的前述催化剂材料进行X射线衍射测定而得到的光谱中的比R0满足R1≥R0×1.2的关系。
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公开(公告)号:CN104681126A
公开(公告)日:2015-06-03
申请号:CN201510077267.5
申请日:2012-09-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01B1/22 , H01L51/0023 , H01L51/5206 , H01L51/5215 , H01L51/5234 , H05B33/28 , Y10T428/2481
Abstract: 根据一个实施例,透明电极层积体(10)包括透明基板(11)、以及形成在透明基板上并包括金属纳米线的三维网络的电极层(12)。电极层包括第一导电区域(14)和与第一导电区域相邻的第二导电区域(13)。第一导电区域(14)中的金属纳米线的表面起反应以形成反应产物。第二导电区域(13)中的金属纳米线的表面未反应。第二区域(13)具有比第一导电区域(14)的电导率高的电导率,并具有光透明度。
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公开(公告)号:CN103811773A
公开(公告)日:2014-05-21
申请号:CN201310566034.2
申请日:2013-11-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01M4/90
CPC classification number: H01M4/583 , H01M4/8605 , H01M4/96
Abstract: 本发明提供能够导通大电流的碳材料。实施方式的碳材料的特征在于,含有碳纤维,该碳纤维具有由包含碳原子的一部分被氮原子置换的结构的具有石墨烯骨架的碳化合物紧密层叠而成的柱状结构,碳化合物的石墨烯骨架面相对于柱状结构的柱轴方向以5度以上80度以下的角度倾斜。
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公开(公告)号:CN103021533A
公开(公告)日:2013-04-03
申请号:CN201210433510.9
申请日:2012-09-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01B1/02 , B82Y10/00 , H01B1/04 , H01B1/06 , H01B1/08 , H01B1/10 , H01L29/1606 , H01L29/413 , H05B33/28 , Y10T428/251 , Y10T428/26 , Y10T428/265 , Y10T428/266
Abstract: 根据一实施例,该透明电极层积体(10)包括透明基板(11)以及形成在透明基板上的光学透明电极层(13)。该电极层包括直径为20至200nm的金属纳米线(21)的三维网络(22)。每个金属纳米线具有在其部分表面上的组成金属纳米线的金属的反应无机产物(23)。
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公开(公告)号:CN102694130A
公开(公告)日:2012-09-26
申请号:CN201210065359.8
申请日:2012-03-13
Applicant: 株式会社东芝
Inventor: 内藤胜之
CPC classification number: H01L27/3232
Abstract: 根据一个实施方案,提供一种发光装置(WM),包括透光层(1),包括第一区域和第二区域以及介于其间的第三区域;和发光部(2),与第二区域或与第二区域和第三区域重叠。所述装置(WM)的对应于第一区域的第一部分(A1)使在可见光范围内具有特定波长的光以第一透过率透过。所述装置(WM)的对应于第二区域的第二部分(A2)使所述发光部发光并且使具有所述波长的光以低于第一透过率的第二透过率透过。所述装置(WM)的对应于第三区域的第三部分(A3)被构造成具有光的透过率在第一透过率至第二透过率的范围内从第一部分侧的端部到第二部分侧的端部降低的透过率分布。
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公开(公告)号:CN102456753A
公开(公告)日:2012-05-16
申请号:CN201110329938.4
申请日:2011-10-21
Applicant: 株式会社东芝
Inventor: 内藤胜之
IPC: H01L31/0224 , H01L51/52 , H01L51/54
CPC classification number: H01L51/441 , C23C16/26 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/4226 , H01L51/426 , H01L51/5221 , H01L51/5231 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种光电转换元件,其包括光电转换层、阴极和阳极。所述阴极设置在所述光电转换层的一个表面上,其包括一部分碳原子至少被氮原子取代的单层石墨烯和/或多层石墨烯。所述阳极设置于该光电转换层的另一个表面上。
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公开(公告)号:CN1892834A
公开(公告)日:2007-01-10
申请号:CN200610094258.8
申请日:2006-06-28
IPC: G11B5/84 , H01L21/3065 , C23F1/00
CPC classification number: G03F7/0002 , B08B7/0092 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G11B5/8404 , G11B5/855
Abstract: 根据一个实施例,一种制造用于离散磁道记录介质的基底的方法,该方法包括以下步骤:在基底(11,31,41,51)上形成压印抗蚀剂层(12,32,42,52);在所述压印抗蚀剂层(12,32,42,52)上压印具有与记录磁道区和伺服区对应的凸起和凹陷的图形的压模(13,15),以将所述凸起和凹陷的图形转移到所述压印抗蚀剂层(12,32,42,52);从所述压印抗蚀剂层(12,32,42,52)除去所述压模(13,53);以及在压力设定为2至5atm的处理室中扩散液化的CO2,在压力设定为0.01至1atm的处理室中扩散液化的H2O,或在设定为任意压力的处理室中扩散选自液化CF4、CHF3、SF6和C2F6的反应气体,以将所述液化气体喷射到所述基底(11,31,41,51)的表面上。
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公开(公告)号:CN1193364C
公开(公告)日:2005-03-16
申请号:CN00135309.8
申请日:2000-09-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B9/08
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/08 , G11B9/1409 , G11B13/06
Abstract: 本发明提供了一种具有多个电荷积聚区和光电导区的记录介质,其中的每个电荷积聚区含能够积聚电荷的第一种材料,其中的光电导区含由于吸收光而使导电率增加的第二种材料。提供了一种包括这种记录介质的记录装置以及在这种记录介质上记录信息的记录方法。在本发明中,通过用光辐照光电导区,并且通过有光辐照光的电导区的那部分将电荷注入所述电荷积聚区,而将信息记录在所述记录介质上。
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公开(公告)号:CN1103695C
公开(公告)日:2003-03-26
申请号:CN96112222.6
申请日:1996-07-05
Applicant: 株式会社东芝
Inventor: 内藤胜之
IPC: B41M5/00
CPC classification number: B41M5/3333 , B41M5/305 , B41M5/3335 , B41M5/3336
Abstract: 本发明提供一种记录和消除速度快,热稳定性好的代替书写型热敏记录介质。它至少含有显色性化合物和显色剂的组合体系作为代替书写型热敏记录介质。其中,显色剂中使用了以下通式(1)表示的可形成液晶相化合物。(Y)mAr(X)nR式中,Ar是数个环状结构通过单键、亚乙烯基键、亚乙炔基键中任一种键结合而成的非缩合多环结构或缩合多环结构,X是醚键、硫醚键、酯键或酰胺键,Y是酸性基、它选自羟基、磷酸基或磺酸基、R是取代或非取代的烷基、烯基或炔基、m为1-3的整数,n为0或1的整数。
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