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公开(公告)号：CN108363864B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201810134768.6
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 一种研究电离缺陷和位移缺陷直接交互作用的试验方法，它涉及电离/位移协同效应，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明的目的是为了制备一种结构，基于该结构利用不同类型的辐射粒子，从而实现电离和位移缺陷直接交互作用的研究。方法：制备MIM结构或者MSM结构，绝缘体或半导体的厚度为a1，导体的厚度为a2，其中，a2≥10a1；计算入射粒子的入射深度、电离吸收剂量(Id)和位移吸收剂量(Dd)，3 5，产生稳定的电离缺陷；本发明的试验方法，步骤简单，易于操作。本发明所提出的技术途径能够大幅度降低试验的费用，对材料和器件空间环境效应地面模拟试验和研究具有重大的意义。
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公开(公告)号：CN108333212B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201810136601.3
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N25/16
Abstract: 一种基于自由基含量预测辐致聚合物基复合材料热膨胀系数的方法，它属于复合材料的尺寸稳定性的评价技术领域，本发明解决了航天器在轨运行期间，由于受到实验条件和设备条件的限制，对结构复杂的聚合物基复合材料的热膨胀系数的测量需要的时间较长，且测量难度较高的问题。本发明利用聚合物基复合材料作为实验样品，在真空度小于1Pa条件下，对实验样品进行辐照实验，得出该聚合物基复合材料的自由基含量随着辐照注量或剂量的变化规律与热膨胀系数随着辐照注量或剂量的变化规律一致，因此，在轨运行期间，可以仅测量自由基含量来预测聚合物基复合材料的热膨胀系数。本发明可以应用于复合材料的尺寸稳定性的评价技术领域用。
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公开(公告)号：CN108303629B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201810128665.9
申请日：2018-02-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种基于氢气处理快速确定辐照源在双极晶体管中产生辐射效应的方法，它涉及一种双极晶体管器件的辐照效应评价，尤其涉及异种辐照源等效评价试验方法。本发明的目的要解决现有方法不能精确的判断出导致双极器件电性能下降由于电离效应、位移效应或电离/位移协同效应的问题。方法：一、开帽得到开帽的双极型晶体管；二、氢气浸泡得到氢气浸泡双极型晶体管；三、辐照，并进行原位测试；四、电性能进行分析对比；判断产生辐射效应属于位移效应、电离效应或电离/位移协同效应。优点：能够快速判定辐照源产生属于位移效应、电离效应或电离/位移协同效应。本发明主要用于基于氢气处理快速确定辐照源在双极晶体管中产生辐射效应。
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公开(公告)号：CN108362965B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810135822.9
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/00 , H01L21/265
Abstract: 一种基于位移损伤抑制氧化物俘获电荷形成的方法，本发明涉及空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明要解决氧化物俘获正电荷和界面态对电子器件辐射损伤性能的技术问题。方法：确定电子元器件中钝化层距表面最远距离b和最近距离c；计算预辐照入射粒子的射程t1；计算入射粒子在钝化层中电离吸收剂量Id1和位移吸收剂量Dd1；计算log[(Id+Dd)/Dd]值；进行预辐照，确定辐照注入量Φ1；计算电离辐照入射粒子入射深度t2；计算入射粒子在钝化层中的电离吸收剂量Id2和位移吸收剂量Dd2；计算log[(Id2+Dd2)/Dd2]值；进行电离辐照。本发明改变试样中的固有位移缺陷状态，抑制氧化物俘获正电荷的形成，步骤简单，易于操作。本发明应用于电子元器件空间环境效应研究与抗辐照加固技术中。
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公开(公告)号：CN108346565B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810136630.X
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/268 , H01L21/324
Abstract: 一种基于电离辐照诱导位移缺陷退火的方法，本发明涉及一种基于电离辐照诱导位移缺陷退火的方法，本发明的目的是为了解决粒子辐射会引起器件的位移损伤的问题，本发明基于Monte Carlo计算方法，计算单位注量入射粒子的电离/位移吸收剂量和射程。根据电离和位移吸收剂量的比例关系，以及试样特征，确定入射粒子的类型，保证入射粒子在试样的输运过程中，能够促使试样内部已有的位移缺陷退火。本发明应用基于电离辐照诱导位移缺陷退火的方法，步骤简单，易于操作。本发明应用于空间环境效应、核科学与应用技术领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110473787A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910774716.X
申请日：2019-08-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/425 , H01L21/477
Abstract: 一种基于深层离子注入的氧化镓肖特基二极管抗位移辐照方法，属于二极管微电子技术领域。本发明针对现有氧化镓肖特基二极管在带电粒子辐照环境中抗位移辐照能力差，易造成其正向及反向特性退化的问题。它根据原Ga2O3肖特基二极管的结构参数，确定离子的待注入位置，并模拟确定所述离子的能量和射程；再模拟获得离子注入后Ga2O3肖特基二极管正向及反向目标特性变化曲线，记录目标特性变化曲线的变化量小于原Ga2O3肖特基二极管正向及反向特性变化曲线10％时的离子注入量；再计算离子注入机的离子源电压、离子束电流和离子注入时间；设置离子注入机，对原Ga2O3肖特基二极管进行离子注入并进行退火处理。本发明用于氧化镓肖特基二极管的加固。
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公开(公告)号：CN106501284B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201610911409.8
申请日：2016-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 模拟不同注量率中子辐照的试验方法，涉及材料和器件的辐照试验。为了解决采用中子辐照产生的位移辐射损伤易形成位移缺陷，进而造成材料和器件性能退化的问题。所述方法为：选择重离子的类型和注量率，利用选择的重离子对材料和器件进行辐照，使所述材料和器件产生的位移损伤程度与待模拟注量率的中子辐照产生的位移损伤程度相同。选择的重离子的射程大于材料的厚度或器件有源区深度的2倍。在满足重离子加速器的要求的前提下，选择的重离子的注量率的范围为104～109ion/cm2·s，在所述范围内选择重离子的类型，使一个重离子产生的位移吸收剂量最小。本发明基于重离子辐照实现不同注量率中子辐照所产生的位移缺陷状态，原位检测性能退。
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公开(公告)号：CN109888025A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910219155.7
申请日：2019-03-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L29/868 , H01L21/04 , H01L21/336
Abstract: 本发明一种基于深层离子注入方式的PIN二极管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件领域，目的是为了克服PIN二极管受空间辐照效应，导致本征区的载流子被辐射缺陷俘获造成正向特性的退化的问题，具体方法为：步骤一、通过PIN二极管的结构参数和需注入PIN二极管的离子类型，计算离子注入所述PIN二极管的离子注入深度D和与离子注入深度D所对应的离子能量E；步骤二、计算离子注入量Ф；步骤三、通过所述离子能量E计算离子源电压值V；步骤四、通过所述离子注入量Ф确定离子注入时间t，并计算离子束电流值I；步骤五、根据所述离子注入深度D、离子源电压值V、离子束电流值I和离子注入时间t，向PIN二极管的本征区注入离子。
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公开(公告)号：CN106404810B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201610911383.7
申请日：2016-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 芳香族聚合物绝缘材料的位移辐射损伤等效性评价方法，涉及粒子辐射环境用芳香族聚合物绝缘材料不同辐照源位移辐照效应等效性的评价方法。解决了现有的辐射环境用芳香族聚合物材料空间辐照效应评价误差大的问题。首先计算各辐射源在待测材料样品中的位移辐射吸收剂量及射程；根据各辐射源在待测材料样品中的射程，确定待测材料样品厚度，使每种辐射源对应一块待测材料样品进行辐照试验，使各辐射源的辐照粒子完全穿透所对应的待测材料样品的厚度；辐照后，绘制各辐射源在辐照条件下的微观结构分析获得的各物理量与位移辐射吸收剂量的关系曲线，及性能测试获得的各物理量与位移辐射吸收剂量的关系曲线。本方法用于对芳香族聚合物绝缘材料进行评价。
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公开(公告)号：CN108364887A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810135806.X
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种抑制双极工艺电子元器件中氧化物俘获正电荷形成的方法，涉及一种抑制电子元器件氧化物俘获正电荷形成的方法。是要解决现有双极工艺电子元器件存在辐射产生氧化物俘获电荷现象，改变载流子的表面复合速率，进而影响少子寿命的问题。方法：一、确定试样的芯片厚度a；二、计算入射粒子在试样芯片中的入射深度d；三、计算电离吸收剂量Id和位移吸收剂量Dd；四、使log[(Id+Dd)/Dd]>5；五、调整入射粒子的辐照通量或剂量率；六、进行一次辐照试样；七、进行二次辐照，即完成。该方法通过改变辐照通量或剂量率的方法来实现抑制电子器件内氧化物俘获正电荷的过程，本发明用于抑制电子元器件中氧化物俘获正电荷。
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