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公开(公告)号：CN117288246B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311592313.6
申请日：2023-11-27
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明提供了一种基于热电子效应的多象限探测器校正检测方法及系统，包括：校正信号采集单元，用于测量多象限探测器的不同象限芯片在不同光源输出光功率下和标准黑体下的响应电压；校正计算单元，用于根据不同条件下采集的响应电压，计算多象限探测器的不同象限芯片的校正参数，并写入对应信号放大器中；合格判定单元，用于根据计算的分压电阻比例和在不同温度下的暗电压是否符合预设阈值；若符合预设阈值，则认为多象限探测器中对应象限的芯片合格；否则认为多象限探测器中对应象限的芯片不合格。本发明通过对各象限芯片的响应电压值和不同温度下暗电压进行校正，有效解决了因制造工艺限制，导致每个象限芯片的性能参数都存在一定差异的问题。
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公开(公告)号：CN116231065A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310331144.4
申请日：2023-03-30
Applicant: 南昌大学
IPC: H01M10/0565 , H01M10/0525 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供了一种固态电解质薄膜及其制备方法和在锂离子电池中的应用，属于固态锂电池技术领域。本发明提供的固态电解质薄膜的制备方法包括：将刚性链段聚合物、柔性链段聚合物、微/纳米颗粒、锂盐和N，N‑二甲基甲酰胺混合，得到固态电解质浆料；将所述固态电解质浆料进行涂敷后干燥，得到固态电解质薄膜，所述涂敷的厚度为50～80μm。本发明通过在固态电解质中引入微/纳米颗粒，构建微纳米颗粒与有机聚合物的界面，通过引入界面，提高电解质薄膜的锂离子传输效率，使其制备的锂离子电池具有较高的充放电容量。实施例结果显示，本发明所制备的固态电解质薄膜组装的锂离子电池进行充放电性能测试克容量可达150mA·h/g。
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公开(公告)号：CN115679326A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211263976.9
申请日：2022-10-17
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于MicroLED制备过程中GaN刻蚀的微小金属Ni掩膜图形精准控制的腐蚀液及使用方法，该腐蚀液配方由以下组分组成：浓硝酸、水、浓盐酸、双氧水，该四种组分的体积百分比为浓硝酸25‑30%：水60‑65%：浓盐酸4‑5%：双氧水4‑5%。该腐蚀液的使用方法为将上述体积百分比的浓硝酸、水和浓盐酸倒入烧杯中搅拌均匀，将GaN基外延片放入混合液中1‑2min，再向混合液中加入上述百分比的双氧水，腐蚀1‑2min后，制备出小于20μm金属Ni掩膜图形。本发明可以精准腐蚀出尺寸小于20μm的金属Ni掩膜图形，腐蚀后的图形完整，边界清晰，解决了微小金属Ni掩膜图形制备过程中，掩膜腐蚀速率过慢或者腐蚀速率过快造成腐蚀出有较多锯齿状的金属Ni掩膜图形的问题。
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公开(公告)号：CN115140784A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210903615.X
申请日：2022-07-28
Applicant: 南昌大学
IPC: C01G53/00 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了一种富锂三元正极材料及其制备方法和应用，属于无机材料领域。本发明首先将锂源、镍源、钴源和锰源混合后进行干磨，得到各组分混合均匀的粒径均匀且较小的混合粉，将所述混合粉和水混合后进行湿磨，进一步促进各组分的混合均匀性和粒径的均一性，以提高后续制备的所述富锂三元正极材料的电学性能，得到混合浆，再经煅烧得到具有层状晶体结构的富锂三元正极材料。且本发明提供的方法将干磨、湿磨和煅烧相结合，属于半固相法，无废液产生，绿色环保，生产效率高，工艺简单，适宜规模化生产。制备的富锂三元正极材料的比容量为200mAh/g以上。
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公开(公告)号：CN115119355A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202211037021.1
申请日：2022-08-29
Applicant: 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌大学
IPC: H05B45/00 , F21K9/90 , H04B10/116 , H04B10/50
Abstract: 本发明公开了一种兼顾定位和照明的高速LED器件及其制备方法，所述LED器件包括LED电路、RLC旁路和封装基板，所述LED电路中包括若干LED芯片，所述LED芯片的波长不少于两种，所述LED电路包括至少两个单独控制的LED子电路，同一所述LED子电路上的LED芯片波长相同，至少有一个所述LED子电路并联连接RLC旁路，所述RLC旁路包括相互串联的电阻R、电感L和电容C，三者与LED子电路分别固定在所述封装基板上，形成电学连接。本发明通过在LED两端并联RLC旁路，提升LED调制带宽，用不同波长LED发射信号实现精准定位，调节不同波长LED光功率，提高照明效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115036378A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210470285.X
申请日：2022-04-28
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/103 , H01L31/101 , G01J1/44
Abstract: 本发明涉及半导体光电子技术领域，具体涉及一种AlInGaN基单pn结多色探测器及信号检测方法。该探测器自下向上依次包括：n型层、层叠结构和p型层；其中，所述层叠结构包括交替层叠的吸收层和隔离层，吸收层的数量为多个；各吸收层彼此之间禁带宽度不同，所述隔离层的禁带宽度大于所有吸收层的禁带宽度。该探测器结构在光照条件下的J‑V特性曲线具有明显台阶或拐点，使单pn结构实现多色选择性探测或同步探测成为可能。通过对该探测器测得的J‑V特性曲线进行数学处理，从中提取入射光的各波段信息，能够有效实现紫外‑红外范围内的多色选择性探测或同步探测。
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公开(公告)号：CN114824009A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210386072.9
申请日：2022-04-13
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种AlInGaN基光电二极管的外延结构，包括衬底、依次形成于衬底上的缓冲层、n型AlInGaN层、具有V坑的AlInGaN超晶格层、具有V坑的n区AlInGaN电子阻挡层、具有V坑的AlInGaN基多量子阱层、具有V坑的p区AlInGaN电子阻挡层、p型AlInGaN层，特征是：所述具有V坑的n区AlInGaN电子阻挡层的V坑侧壁厚度大于平台厚度；所述具有V坑的n区AlInGaN电子阻挡层和具有V坑的AlInGaN基多量子阱层之间含有具有V坑的n型AlInGaN高掺杂层；所述具有V坑的p区AlInGaN电子阻挡层的V坑侧壁厚度小于平台厚度；所述具有V坑的p区AlInGaN电子阻挡层和p型AlInGaN层之间含有合并V坑的p型AlInGaN高掺杂层。本发明具有提高空穴注入和收集的效率、调控电子和空穴注入和收集途径的作用，可应用于Micro‑LED、光电探测器、太阳电池。
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公开(公告)号：CN114744088A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210236915.7
申请日：2022-03-11
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种图形化偏角硅衬底及其制备方法，本发明的制备方法是在偏角硅衬底的表面设有横向隔离带和纵向隔离带，这些相互平行或相互垂直的隔离带把偏角硅衬底分割成多个方块作为生长平台，隔离带的成分为SiO2或SiN，而且隔离带上不易生长GaN层，隔离带的方向与偏角硅衬底的参考边晶向形成设定的夹角，从而减少了氮化镓薄膜受到的应力，使平台内的氮化镓薄膜发光更加均匀，提高了外延可使用面积，从而进一步提高硅基III‑V族外延薄膜的外延良率。
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公开(公告)号：CN114269039B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210191929.1
申请日：2022-03-01
Applicant: 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌大学
IPC: H04B10/50
Abstract: 本发明公开了一种高电光调制带宽的LED器件，其包括LED电路、电感性器件和封装基板，所述LED电路包括若干LED‑A子电路和LED‑B子电路，所述LED‑A子电路和LED‑B子电路中包括若干个LED芯片，所述LED‑A子电路串联所述电感性器件，所述LED‑B子电路不串联所述电感性器件，所述LED‑A子电路和LED‑B子电路并联连接，且与所述电感性器件分别固定在所述封装基板上，形成电学连接，各路同时导通。本发明既可以实现LED‑A和LED‑B子电路的照明应用，也可以使更多高频信号流入LED‑B子电路，提升LED‑B子电路作为信号发射源进行通信应用时的调制带宽。
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公开(公告)号：CN109400641B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201811213616.1
申请日：2018-10-18
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种胶体量子点改性方法，包括：制备胶体量子点，胶体量子点为表面含有有机配体的钙钛矿型卤化物量子点，且有机配体碳链中含有不饱和键；将胶体量子点涂敷于基底上；将涂敷有胶体量子点的基底置于等离子体设备中，使用等离子体对胶体量子点辐照预设时间，完成对胶体量子点的改性。其通过使用等离子体对胶体量子点辐照的方法诱导量子点表面的有机配体发生碳碳双键聚合，聚合的有机配体可以对胶体量子点进行保护，从而提高胶体量子点的稳定性。
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