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公开(公告)号：CN119695497A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411890173.5
申请日：2024-12-20
Applicant: 南京师范大学
Abstract: 本发明涉及无线移动通信技术领域，公开了一种高性能差分馈电双极化滤波天线，包括：第一介质基板、第一金属层、第二介质基板以及第二金属层；所述第一金属层设置于第一介质基板下表面；所述第二介质基板设置于第一金属层下表面；所述第二金属层设置于第二介质基板下表面；其中，所述第一介质基板、第一金属层、第二介质基板和第二金属层通过通孔进行贴合，所述第一金属层、第二介质基板和第二金属层中心堆叠设置构建基片集成波导(SIW)腔。本发明中所提出的滤波天线具有结构简单、高增益、高选择性和高端口隔离度的优势，能够更好的应用于无线通信系统领域。
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公开(公告)号：CN119197544A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411710993.1
申请日：2024-11-27
Applicant: 南京师范大学
IPC: G01C21/20
Abstract: 本发明公开了一种基于局部探索及全局探索融合的机器人路径规划方法，获取全局探索空间，将全局探索空间划分为若干子空间，以子空间的质心作为全局路径点，并获得全局探索路径；以机器人周围预设距离内的空间作为局部探索空间，以全局探索路径与局部探索空间边界的交点作为边界点，对局部探索空间通过雷达进行均匀采样并提取候选路径点，通过局部路径点选择算法对候选路径点进行选择，得到局部路径点；并获得局部探索路径；将全局探索路径中两个边界点之间的路径替换为局部探索路径，得到最终规划路径。分层搜索框架既能够在局部空间中进行精确的路径规划，又能够通过全局探索规划的引导防止陷入局部最优化，同时节约了计算资源。
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公开(公告)号：CN118763371A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410823814.9
申请日：2024-06-24
Applicant: 南京师范大学
IPC: H01P1/203
Abstract: 本发明公开了一种毫米波卫星通信用高选择性超宽带GaAs滤波芯片，涉及滤波芯片技术领域，包括表层氮化硅涂层，介质基板，接地板以及设置于表面涂层的高选择性超宽带GaAs滤波芯片，高选择性超宽带GaAs滤波芯片包括输入端口，输出端口，输入馈线，输出馈线，第一信号通路，第二信号通路。其中，第一信号通路由两段互相平行的耦合线组成，用于构建基础通带；第二信号通路由共面波导结构和两段短路枝节组成，共面波导结构能够减小阻抗和电长度，增加带宽，而两段短路枝节可以增加两个零点，实现高选择性，以上结构实现了所述结构的高选择性超宽带滤波功能。本发明结合IPD工艺，实现了小型化，高选择性的高性能超宽带滤波特性。
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公开(公告)号：CN118589176A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410888846.7
申请日：2024-07-04
Applicant: 南京师范大学
IPC: H01P1/207
Abstract: 本发明公开了一种毫米波卫星通信用基片集成波导GaAs滤波跨接器芯片，包括GaAs介质板，置于GaAs介质板上表面的氮化硅层结构，置于GaAs介质板下表面的接地板和置于GaAs介质板上表面的IPD电路结构，该电路结构包括两对输入输出端口，两对输入输出馈线，四个耦合窗，四个半模谐振腔，一个全模谐振腔。通过合理设置谐振腔的尺寸和金属通孔的布局，调节内外部耦合结构的尺寸，可以实现两条具有良好隔离度的交叉滤波通道，具有回波损耗小，小型化，设计简单适配度高等优势。
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公开(公告)号：CN113392702B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202110504839.9
申请日：2021-05-10
Applicant: 南京师范大学
IPC: G06V20/58 , G06V10/60 , G06V10/764 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/09
Abstract: 本发明公开了一种基于自适应图像增强的弱光照环境下目标识别方法，包括：搭建自适应图像增强模块；搭建基于自适应图像增强的弱光照环境下目标识别模型；采集弱光照环境下的目标视频并处理生成弱光照环境下目标的数据集，划分测试集图像与训练集图像，对训练图像进行标注，生成标签文件；将训练集的全部图像和标签文件送入基于自适应图像增强的弱光照环境下目标识别模型进行训练；将训练好的基于自适应图像增强的弱光照环境下目标识别模型完成弱光照环境下的目标识别，并输出识别结果。本发明提升了弱光照环境下的目标识别的快速性与准确性，能够有效解决目前目标识别技术在弱光照环境下目标识别准确率不高，识别速度慢等问题，应用前景广泛。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118037736A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410439130.9
申请日：2024-04-12
Applicant: 南京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种基于特征参数提取的金属增材制造熔池形态检测方法；获取金属增材制造熔池的图像，并进行预处理，获得预处理后的熔池图像；对预处理后的熔池图像进行像素识别，检测得到熔池边缘像素，基于熔池边缘像素获得熔池中心的坐标，并基于熔池边缘像素的方向向量得到熔池主方向角度；根据熔池中心的坐标、熔池边缘像素和熔池主方向角度进行椭圆拟合，得到拟合的椭圆的长轴和短轴；以拟合的椭圆的长轴和短轴作为对应熔池的长度和宽度，输出熔池形态。通过先提取熔池中心作为椭圆中心和熔池主方向倾角，减少拟合参数的同时提升了拟合效果，对熔池宽度拟合的准确性较高，提升了熔池特征参数的提取速度以及准确性。
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公开(公告)号：CN113240668B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202110635237.7
申请日：2021-06-08
Applicant: 南京师范大学 , 南京智能高端装备产业研究院有限公司 , 南京中科煜宸激光技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于图像数字特征分布的生成熔池图像质量评估方法，包括：采集真实熔池图像，制作数据集；利用真实熔池图像，搭建并使用对抗生成网络生成虚假的熔池图像；同时利用生成图像空间特征提取方法，得到真实和虚假熔池图像的空间特征，并将其数字化，绘制其数字特征分布图；分析数字特征分布图，利用数字特征的四维图，依据基于四维图的质量评价算法评价虚假熔池图像和真实熔池图像的质量差异；对生成的虚假熔池图像按质量进行分类，得到高质量的虚假熔池图像，以制作数量更多的高质量的熔池图像数据集。本发明具有计算量极小、质量判别准确的优点。
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公开(公告)号：CN114985768B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202210650202.5
申请日：2022-06-10
Applicant: 南京师范大学
IPC: B22F10/85 , B22F10/366 , B22F10/25 , B33Y10/00 , B33Y50/02
Abstract: 本发明公开了一种基于图论结构和视觉实时检测的增材路径规划方法，包括：根据逐层分解的层厚参数，对金属结构件的三维STL模型进行逐层分解；根据轮廓点采集间隔，对三维STL模型进行轮廓点信息采集；提出一种融合了温度权重的轮廓点信息矩阵；计算轮廓点之间的信息差；获取轮廓点信息差值矩阵，计算绝对路径长度并选取最优路径；根据选取的最优路径控制激光发射器对金属材料进行增材；实时检测激光熔覆熔池的实际位置，与选择的最优路径对比形成闭环反馈，最终完成金属结构件的增材。本发明融合了金属结构件物理形状信息和增材温度信息，通过图论结构遍历所有可能的增材路径后选取最优增材路径，使金属增材效率更高、耗材更少。
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公开(公告)号：CN117317591A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311191764.9
申请日：2023-09-15
Applicant: 南京师范大学
Abstract: 本申请公开了一种基于半模间隙波导四模谐振器的双频滤波天线，本申请的双频滤波天线包括金属板、矩形HMGW谐振器、堆叠形背腔槽天线、耦合虹膜。金属板表面放置了四分之一波长高的周期金属引脚，用于实现无损状态；矩形HMGW谐振器设置于靠近馈电端口的一侧，在矩形HMGW谐振器两侧对称设置一对凹槽，以微扰场分布；堆叠形背腔槽天线设置于远离馈电端口的一侧，用作辐射器；本申请通过在谐振器两侧对称设置一对凹槽，控制四种模式的外部耦合系数并实现更好的阻抗匹配；通过共享孔径腔背槽天线用作辐射器，在双频操作中实现了良好的辐射特性；本设计，在单腔内同时激励四种谐振模式，形成双通带滤波特性并提供三个辐射零点，实现了紧凑结构。
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公开(公告)号：CN117283090A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311205789.X
申请日：2023-09-19
Applicant: 南京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种实时调控气孔缺陷的铝合金电弧增材制造系统及方法，本发明包括：电弧增材制造子系统，用于按照工艺参数调整子系统对当前打印层设置的工艺参数进行铝合金电弧增材制造；图像采集及处理子系统，用于拍摄电弧增材制造熔池沉积成形过程的图像，并处理后得到熔池长度；模糊PID控制子系统，用于当熔池长度与预设值的误差超出预设范围时，根据误差以及误差的变化率，进行模糊PID控制，得到当前熔池最优长度；工艺参数调整子系统，用于从预设关系表中提取与当前熔池最优长度对应的最优工艺参数，并调控下一打印层的工艺参数为所述最优工艺参数，从而减少气孔缺陷。本发明可以在沉积过程中实时调控，减少气孔缺陷。
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