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公开(公告)号:CN112361973A
公开(公告)日:2021-02-12
申请号:CN202011296380.X
申请日:2020-11-18
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种金刚石薄膜厚度及光学常数检测方法,先依据椭偏光谱数据及吸收光谱数据判断金刚石薄膜是单晶金刚石薄膜或多晶金刚石薄膜,再依据光谱数据分别选择不同计算方式以获光学常数和薄膜厚度,一方面不仅能获折射率和薄膜厚度,而且还能获消光系数,另一方面,单晶金刚石薄膜采用Cauchy模型计算以获光学常数和薄膜厚度,多晶金刚石薄膜则选择波段并依据振子模型和评价函数MSE计算以获光学常数和薄膜厚度,因此可检测单晶及多晶金刚石薄膜,能获光学常数折射率、消光系数和厚度,检测精度高、测量时间短。
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公开(公告)号:CN108413892B
公开(公告)日:2020-05-05
申请号:CN201810089178.6
申请日:2018-01-30
Applicant: 华侨大学
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明涉及一种金刚石线锯整周三维表面形貌检测方法及其装置,通过单次测量,且无须拼接,就可获取金刚石线锯整周表面全貌,图像数据处理方法相对简单,获取的金刚石线锯表面信息全面。通过序列投影轮廓图像重构金刚石三维形貌,解决采集的图像数据质量易受物体表面对光反射强弱影响的问题。产生的冗余数据,可以快速实现对金刚石线锯圆周表面不同位置的二维图像(含深度)的分析,满足实际对金刚石线锯快速检测的要求,又能实现数据的高效利用。所述的装置具备快速获取金刚石线锯的二维、整周三维表面形貌复合检测功能,可满足不同要求的检测。通过激光源和第二相机配合,使采集的金刚石线锯图像便于处理,测量精度提高,且结构简单、构思巧妙。
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公开(公告)号:CN108188480B
公开(公告)日:2020-01-17
申请号:CN201810046403.8
申请日:2018-01-17
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种磨粒参数化排布锯片的磨粒参数优选设计方法,其包括如下步骤:(1)、根据加工结果设定磨粒切厚分布,给出设定锯切用量,初始化锯片表面磨粒参数;(2)、将锯片表面磨粒参数与锯切用量进行磨粒切厚分布计算,算出磨粒切厚分布;(3)、将步骤(2)算出的磨粒切厚分布与步骤(1)设定的目标磨粒切厚分布进行比较,若两者差异太大,调整磨粒锯切用量,再次进行步骤(2)、(3)循环,直到步骤(3)算出的磨粒切厚分布与步骤(1)中设定的磨粒切厚分布差异符合设定标准后,停止计算,此时锯片表面磨粒参数即为优选结果。(4)以优选结果锯片磨粒参数为依据进行锯片制备。采用该锯片进行加工,可以行之有效的达到预期加工目的。
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公开(公告)号:CN110567971A
公开(公告)日:2019-12-13
申请号:CN201910905426.4
申请日:2019-09-24
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明提供了一种金刚石串珠绳锯磨粒磨损的测量装置,左立柱和右立柱对称地设置在底座的上表面;其中左立柱和右立柱分别具有一用于承载金刚石绳锯的孔,孔内沿着周向均匀布置有滚珠;其中一个立柱具有第一驱动装置和传动轴用于带动金刚石绳锯移动和旋转;左支柱和右支柱对称地设置在底座的上表面,用于承载一维导轨;一维导轨上面滑动安装有滑块,滑块上面安装有云台和激光单目视觉传感器;一维导轨上还具有用于驱动支架沿着一维导轨滑动的第二驱动装置;激光单目视觉传感器包括线扫激光发射器和CCD相机;线扫激光发射器发射一字线激光,投射到被测工件上,形成光刀;CCD相机与线扫激光发射器呈一定角度安装,接收光刀图像信息。
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公开(公告)号:CN110530799A
公开(公告)日:2019-12-03
申请号:CN201910721403.8
申请日:2019-08-06
Applicant: 华侨大学
IPC: G01N21/21
Abstract: 本发明公开了一种晶圆最大加工损伤的精准定位方法,在晶圆的非加工面沉积用于辅助测量的薄膜层,非加工面与加工面相互平行且呈背向设置,非加工面为光滑无损表面;再在晶圆的加工面进行至少一道减薄加工操作,并在每一道减薄加工操作之前后,将椭偏仪的入射光以设定的入射角扫描非加工面上的薄膜层,入射光经薄膜层和晶圆反射或透射后出射的椭偏信号经椭偏仪探测器接收,一旦在晶圆的辅助测量薄膜层上探测到的椭偏信号出现变化,则该出现椭偏信号变化对应的位置即为最大加工损伤位置。它具有如下优点:实现全局、无损、快速精准定位晶圆上的最大加工损伤位置,实时跟踪晶圆的加工状态,对实际晶圆的加工工艺的选择与优化具有重要的指导意义。
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公开(公告)号:CN110233584A
公开(公告)日:2019-09-13
申请号:CN201910570197.5
申请日:2019-06-27
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了配重式步进机构,包括第一叠层压电陶瓷、固定块、第二叠层压电陶瓷、质量块、动子和预紧机构;所述动子能沿第一方向移动;所述第一叠层压电陶瓷一端接触在动子上,预紧机构连接第一叠层压电陶瓷另一端以使第一叠层压电陶瓷压触在动子上,预紧机构、第一叠层压电陶瓷和动子沿第二方向按序布置,第二叠层压电陶瓷伸长方向沿第二方向布置,第二方向和第一方向垂直;所述固定块固设在动子上,第二叠层压电陶瓷一端固接在固定块侧壁,另一端固接质量块,固定块、第二叠层压电陶瓷和质量块沿第一方向按序布置,第二叠层压电陶瓷伸长方向沿第一方向布置。它具有如下优点:配重式步进机构具有断电自锁功能。
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公开(公告)号:CN110212807A
公开(公告)日:2019-09-06
申请号:CN201910569121.0
申请日:2019-06-27
Applicant: 华侨大学
IPC: H02N2/00
Abstract: 本发明公开了非对称振动触觉反馈装置,包括壳体,壳体内设有一质量块、一叠层压电陶瓷、一弹性基片和两固定机构。弹性基片桥接在两固定机构,叠层压电陶瓷固接在弹性基片中部,质量块固设在叠层压电陶瓷。在初始位置时,弹性基片处于笔直状态,质量块与壳体顶壁之间存在间隙;当叠层压电陶瓷接收到驱动信号后纵向伸缩以使弹性基片发生弹性形变,且弹性基片在伸长时发生弹性形变的长度小于收缩时发生弹性形变的长度,弹性基片在收缩时产生的位移量大于伸长时产生的位移量,在惯性的作用下带动质量块撞击壳体。它具有如下优点:利用弹性基片上下振动时发生弹性形变的长度不同,对反馈装置的振动幅度进行放大,使得人体感受到的振动效果更加明显。
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公开(公告)号:CN109127342A
公开(公告)日:2019-01-04
申请号:CN201811172375.0
申请日:2018-10-09
Applicant: 华侨大学
IPC: B06B1/06 , B23K26/346
CPC classification number: B06B1/06 , B23K26/346
Abstract: 本发明公开了压电振子结构,它包括工具头部分、至少一组半波压电换能器和与半波压电换能器组数相同的连接件;配重块位于连接件的中心位置,每组半波压电换能器中的每一半波压电换能器的变幅杆与该侧的连接件中心之间的距离相同;在相同的电源的激励下,每组半波压电换能器中的每一半波压电换能器在纵振模态下做完全相同的同步纵向运动,以使得焊头的振幅叠加。焊头的振幅几乎为每组半波压电换能器中的每一半波压电换能器振幅的简单叠加,能量损耗小,使得该压电振子结构的输出功率得到极大提高,突破了现有技术中最大输出功率为10KW的束缚;同时,能改善该压电振子结构的散热问题,减小该结构发热造成的能量损耗。
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公开(公告)号:CN108831936A
公开(公告)日:2018-11-16
申请号:CN201810534282.1
申请日:2018-05-29
Applicant: 华侨大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0352 , H01L31/048 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种陷光结构胶与光滑绒面晶体硅电池层压的光伏组件及其加工方法,所述的光伏组件包括光伏板和铝合金边框。所述光伏电池板包括高透陷光母模板、陷光结构胶层、光滑绒面晶体硅电池、平面结构胶层、TPT塑料从上往下依次层叠在一起;铝合金边框固定在光伏电池板四周;所述高透陷光母模板包括钢化玻璃、高透固化胶层、高透陷光母模,通过高透固化胶层把钢化玻璃和高透陷光母模粘合在一起形成高透陷光母模板。所述光滑绒面晶体硅电池由银电极和光滑绒面晶体硅电池基体组成。本发明不仅可明显减少晶体硅电池表面缺陷,减少复合,提高少子寿命,增强光生伏特效应,而且可提高晶体硅电池对太阳光的吸收能力,从而获得更高效光电转换效率。
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公开(公告)号:CN108581250A
公开(公告)日:2018-09-28
申请号:CN201810778005.5
申请日:2018-07-16
Applicant: 华侨大学
IPC: B23K26/70 , B23K26/362 , B23K26/402
Abstract: 本发明提供了一种晶圆片侧面激光打码装置及其使用方法,该装置包括真空吸附平台、激光器、激光头、第一移动载体、第二移动载体、控制装置;所述真空吸附平台与所述激光头间隔一段距离设置;所述激光头设置于所述第一移动载体上并与所述激光器连接;所述第一移动载体与所述激光头滑动连接,所述第一移动载体与所述第二移动载体滑动连接,所述第二移动载体设置于一放置平台上并与所述放置平台滑动连接;所述第一移动载体及第二移动载体均与所述控制装置连接,所述控制装置控制所述第一移动载体及第二移动载体滑动;所述真空吸附平台用于放置和固定晶圆片。应用本技术方案可实现对晶圆片制备及后续芯片制作过程的全流程质量跟踪和监控。
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