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公开(公告)号：CN102393555B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201110350098.X
申请日：2011-11-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种复合波片光轴对准方法及装置。将待对准复合波片的两片晶片装在支架上之后分别安装在固定、旋转波片卡盘上；从光源发出的光经过起偏器后形成线偏振光；通过待对准的复合波片后，线偏振光偏振态发生变化；根据探测器探测到的透射光强信号可进一步获得待对准复合波片相位延迟波动量的变化幅值；比较相位延迟波动量的变化幅值的相对大小；通过电控旋转台控制旋转波片卡盘转动，直至将复合波片的光轴对准到所要求的精度范围内。装置包括光源，起偏器，固定波片卡盘，旋转波片卡盘，旋转检偏器，探测器，电控旋转台，计算机，步进电机和电控旋转台控制器。该方法可以实现对复合波片光轴进行高精度对准，装置简易，操作简单。
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公开(公告)号：CN102750333A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210177237.8
申请日：2012-05-31
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F17/30
CPC classification number: G06N99/005
Abstract: 本发明公开了一种用于提取半导体纳米结构特征尺寸的方法，包括待提取参数取值范围的划分，子光谱数据库的建立，支持向量机分类器训练光谱的生成，支持向量机分类器的生成、测量光谱的映射和在子光谱数据库中进行的最相似光谱搜索。与现有方法相比，本发明方法通过额外增加一个可以离线进行的支持向量机分类器训练环节，实现了将测量光谱映射到一个小范围的子数据库中。与在整个大数据库中进行最相似光谱检索相比，在子数据库中展开的检索所消耗的时间大大减少。并且，通过增加每个分类器中包含的类数，可以得到更小的子数据库，从而进一步加速参数的提取。该方法实现了参数的提取速度可预期与可控。
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公开(公告)号：CN102393555A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110350098.X
申请日：2011-11-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种复合波片光轴对准方法及装置。将待对准复合波片的两片晶片装在支架上之后分别安装在固定、旋转波片卡盘上；从光源发出的光经过起偏器后形成线偏振光；通过待对准的复合波片后，线偏振光偏振态发生变化；根据探测器探测到的透射光强信号可进一步获得待对准复合波片相位延迟波动量的变化幅值；比较相位延迟波动量的变化幅值的相对大小；通过电控旋转台控制旋转波片卡盘转动，直至将复合波片的光轴对准到所要求的精度范围内。装置包括光源，起偏器，固定波片卡盘，旋转波片卡盘，旋转检偏器，探测器，电控旋转台，计算机，步进电机和电控旋转台控制器。该方法可以实现对复合波片光轴进行高精度对准，装置简易，操作简单。
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公开(公告)号：CN102082108A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010519775.1
申请日：2010-10-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微纳深沟槽结构侧壁形貌快速测量方法及装置，能够同时快速测量微纳深沟槽结构线宽、沟槽深度、侧壁角、侧壁粗糙度等侧壁形貌参数。步骤为：将波长为从近红外到中红外的光束经起偏后得到的椭圆偏振光投射到待测结构表面；采集待测结构表面零级衍射信号，计算得到微纳深沟槽结构测量红外椭偏光谱；采用分波长建模方法分别计算在近红外和中红外波段理论椭偏光谱，采用分步光谱反演方法与实验测量红外椭偏光谱匹配，依次提取出沟槽结构参数和粗糙度参数。装置包括红外光源、第一至第四离轴抛物镜、迈克尔逊干涉仪、平面反射镜、起偏器、样品台、检偏器、探测器和计算机；是一种非接触、非破坏性、低成本、快速侧壁形貌测量手段。
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公开(公告)号：CN118329943A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410473176.2
申请日：2024-04-18
Applicant: 华中科技大学 , 上海精测半导体技术有限公司
IPC: G01N23/201 , G01N23/20008 , G01N23/20025
Abstract: 本发明属于光学校准相关技术领域，其公开了一种用于小角X射线测量装置的校准装置及校准方法，校准装置包括标准样品架，标准样品架包括金属架体，以及设于所述金属架体上的距离校准样品、衰减样品块和多个荧光十字标记，所述金属架体设于所述高精密样品定位系统。本申请可以解决小角X射线测量装置的样品架无法全方位校准的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118130390A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410074996.4
申请日：2024-01-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于椭偏测量领域，并具体公开了一种椭偏测量系统校准方法、系统及椭偏测量方法，其包括：S1、通过椭偏测量系统对已知校准样品进行测量，得到探测光谱信号；S2、对椭偏测量系统进行建模，得到理论光谱信号与光弹调制器延迟量及谐波系数的关系；S3、基于探测光谱信号和理论光谱信号构建评价函数并求解，得到光弹调制器幅值延迟量及谐波系数；S4、根据求得的光弹调制器幅值延迟量及谐波系数，对椭偏测量系统参数进行校准。本发明可实现简单、快速、高精度地椭偏测量系统校准。
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公开(公告)号：CN117492331A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311417295.8
申请日：2023-10-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于套刻误差测量领域，并具体公开了一种基于X射线入射角优化的套刻误差测量方法及系统，其包括：基于X射线散射场建模，确定套刻结构的套刻误差与散射强度的关系；进而得到套刻结构与理想双层纳米结构散射强度的相对差与套刻误差的近似线性关系；基于一对设置正负偏置量的套刻结构，根据近似线性关系，确定该对套刻结构散射强度与套刻误差的近似映射模型；采用不同入射角的X射线进行仿真，获取对应散射强度，根据近似映射模型计算得到套刻误差，根据套刻误差精度确定最优入射角；采用最优入射角对套刻结构进行测量，得到套刻误差。本发明可解决套刻误差测量中测量速度慢、步骤多、数据处理复杂的问题。
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公开(公告)号：CN117451632A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311301581.8
申请日：2023-10-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N21/21
Abstract: 本发明属于光学仪器测量相关技术领域，其公开了一种成像椭偏仪测量系统成像校准方法，包括：获取相机在多组曝光时间下采集的多组第一图像；对多组第一图像进行拟合获得光强对应的非线性因子，采用非线性因子对相机进行校正；采用校正后的相机进行拍摄获得第二图像，选取第二图像中的一像素点，以该像素点为中心向周边扩展获得多个像素点，对多个像素点的求平均，将像素平均值作为该像素点对应的目标光强值；以目标光强值为出射光强值反解成像椭偏仪测量系统的出射光强积分式获得成像椭偏仪测量系统的傅里叶系数，实现对成像椭偏仪测量系统的成像校准。本申请减弱了光路结构振动、光电转换非线性以光强积分时间偏差导致的误差，提高了校准准确性。
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公开(公告)号：CN117113561A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311031315.8
申请日：2023-08-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/17 , G06F30/20 , G06F111/04
Abstract: 本发明属于精密光学测量仪器相关技术领域，并公开了一种小角X射线散射仪器准直系统结构参数的优化方法。该方法包括：S1构建散射仪器准直系统的仿真模型并设定该仿真模型的初始结构参数；S2设定光源的位置，以该光源为原点构建几何坐标并在该几何坐标系中构建从光源发射出的光子，模拟光子依次穿过汇聚光的光学器件和狭缝组最终落在探测器表面网面上的过程，确定在探测器表面网面的每个栅格中光子的数量；S3构建准直系统结构参数的评价体系，以准直系统的结构参数作为输入，评价体系为优化目标构建优化模型，求解该优化模型对应的最优结构参数，以此实现准直系统结构参数的优化。通过本发明，解决小角度X射线准直系统中结构参数准确率低的问题。
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公开(公告)号：CN116519807A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310364275.2
申请日：2023-04-07
Applicant: 华中科技大学 , 上海精测半导体技术有限公司
IPC: G01N29/44 , G06F18/2415 , G06F18/214 , G06N3/0442 , G06N3/045 , G06N3/0464 , G06N3/084 , G01B17/02
Abstract: 本发明公开了皮秒超声测量信号特征的识别模型建立方法及识别方法，属于皮秒超声测量领域，包括：获取测量自不同种类的微纳米薄膜的多组一维时序皮秒超声测量信号，并标注出各特征信号所在的时域区间和类型，得到多个样本；搭建包含至少一个1D卷积神经网络层和至少一个循环神经网络层的混合神经网络模型，用于预测目标一维时序皮秒超声测量信号中各类特征信号及非特征信号的时域分布概率曲线；将所有的样本划分为训练集、验证集和测试集，对混合神经网络模型进行训练、验证和测试后，得到皮秒超声测量信号特征的识别模型。本发明能同时抓取皮秒超声测量信号的空间特点和时间特点，从而提高皮秒超声测量信号特征识别的准确性。
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