一种循环肿瘤细胞在体清除系统
    91.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118436418A

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202410604492.9

    申请日:2024-05-15

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明提供了循环肿瘤细胞在体清除系统,涉及医疗器械技术领域。采用本发明实施例提供的循环肿瘤细胞在体清除系统,通过循环肿瘤细胞分离通路、循环肿瘤细胞电穿孔通路和细胞碎片清除通路这三种通路的切换,基于金属滤膜持续的完成循环肿瘤细胞的在体分离,并周期性的对收集到的循环肿瘤细胞进行电穿孔破碎和清除,避免金属滤膜持续工作堵塞滤孔,从而可以周期性的持续工作,持续清除体内所有现存的和实时新生成的CTC。

    一种适用于半导体器件的填埋扇出式封装方法及装置

    公开(公告)号:CN118315282A

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN202410734128.4

    申请日:2024-06-07

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本申请提供了一种适用于半导体器件的填埋扇出式封装方法及装置,方法包括准备冷却基板和半导体器件;在冷却基板上按照第一预设参数刻蚀散热通道;基于散热通道的刻蚀终点,在冷却基板上按照第二预设参数刻蚀散热微通道,使散热微通道与散热通道连通;将半导体器件连接在冷却基板靠近散热微通道的一侧;在冷却基板刻蚀有散热通道的一侧贴装芯片粘贴膜;将带有半导体器件的冷却基板通过芯片粘贴膜填埋至转接板内,并使散热通道与外界连通。通过本申请提供的封装方法,解决了传统填埋扇出式封装中降低了芯片的可靠性及DAF贴装困难的问题。

    一种芯片基板及其制备方法、功能芯片

    公开(公告)号:CN118315270A

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN202410732790.6

    申请日:2024-06-07

    Applicant: 北京大学

    Inventor: 陈浪 王玮 杜建宇

    Abstract: 本申请提供一种芯片基板及其制备方法、功能芯片,涉及电子制造技术领域,提供晶圆衬底,晶圆衬底包括中心区域以及位于中心区域外围的边缘区域;对晶圆衬底的所述边缘区域进行第一刻蚀,得到第一凹槽;对晶圆衬底的中心区域和边缘区域进行第二刻蚀,得到填埋槽,填埋槽沿第一方向的深度大于第一凹槽沿第一方向的深度,填埋槽在边缘区域内的槽底深度大于或等于填埋槽在中心区域内的槽底深度;将芯片填入填埋槽内,得到芯片基板。本申请提供的制备方法通过两次刻蚀,使填埋槽的边角略低于中心区域,得到边角形貌均匀的填埋槽,该方法对填埋槽的形貌进行了有效的优化,进而提高芯片的性能和可靠性。

    一种复合孔径薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN113628956B

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202110678808.5

    申请日:2021-06-18

    Applicant: 北京大学

    Inventor: 郑德印 王玮

    Abstract: 本发明涉及一种复合孔径薄膜,包括堆叠的第一掺杂硅层和第二掺杂硅层,所述第一掺杂硅层上分布有纳米尺度的通孔,所述第二掺杂硅层上分布有微米尺度的通孔,所述第一掺杂硅层的掺杂浓度大于所述第二掺杂硅层的掺杂浓度。本发明还涉及所述复合孔径薄膜的制备方法。本发明的复合孔径薄膜在厚度方向具有跨微纳尺度变孔径特征,在生物传感、光学、传热等领域内具有提升的性能。本发明的制备方法解决了常规微纳加工工艺难以实现跨尺度变孔径多孔薄膜的制备技术现状,通过表面掺杂工艺改变衬底表面的掺杂浓度,并通过电化学腐蚀工艺制备出在厚度方向具有跨微米至纳米尺度变孔径特征的多孔硅薄膜。

    一种基于过度曝光的硅柱结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN118016522A

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202410189160.9

    申请日:2024-02-20

    Applicant: 北京大学

    Inventor: 林晨希 王玮

    Abstract: 本申请提供一种基于过度曝光的硅柱结构及其制备方法,涉及电子制造领域,包括:提供硅基衬底;在硅基衬底的一侧形成掩膜层;基于激光直写的光刻工艺对掩膜层进行过度曝光处理,形成与多个第一区域对应的多个第一通孔,其中,相邻第一通孔沿行方向和列方向的侧壁部分连通,以在第二区域形成阵列排布的多个第一结构;基于多个第一结构对硅基衬底靠近掩膜层的一侧进行刻蚀,形成与多个第一结构对应的多个硅柱。本申请采用激光直写的光刻工艺对掩膜层进行曝光处理,降低了对光刻精度的要求,且通过过度曝光的方式形成多个更小尺寸的第一结构,从而基于第一结构刻蚀得到高特征比的硅柱,有效降低了制备高特征比的硅柱结构的工艺复杂性和工艺成本。

    用于细菌培养的微流控芯片、细菌培养系统及细菌培养方法

    公开(公告)号:CN117965272A

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202410368003.4

    申请日:2024-03-28

    Abstract: 本发明涉及生物医学技术领域,公开了一种用于细菌培养的微流控芯片、细菌培养系统及细菌培养方法,该微流控芯片包括基板和微通道结构,微通道结构设置于基板,微通道结构包括多组呈矩阵排列的半开放微孔单元和多条并联设置的分支通道,每组半开放微孔单元对应一条分支通道连接并连通,每组半开放微孔单元包括至少一个半开放微孔,半开放微孔背离基板的一端具有敞口。本发明通过设置多组呈矩阵排列的半开放微孔单元,顶部敞口的半开放式设计以气液界面替代固液界面,可使细菌处于较为富氧的状态,并使细菌周边的氧气和营养物质得到持续更新,实现细菌的高效生长,提高细菌的生长效率,同时,半开放式设计还可便于在培养过程中灵活便捷地进行取样。

    一种液-液界面型忆阻器及兴奋型神经突触器件

    公开(公告)号:CN115275003B

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202210842412.4

    申请日:2022-07-18

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本申请实施例提供了一种液‑液界面型忆阻器,包括:存储第一液体的第一容器,存储第二液体的第二容器,以及位于第一容器和第二容器之间的工作层;其中,工作层上设置有连通第一容器和第二容器的纳米孔道;第一容器和第二容器的腔室尺寸,是纳米孔道的孔径和长度的至少100倍,第一液体和第二液体电导率不同且互不相溶,在纳米孔道中形成液‑液界面;纳米孔道的内壁面在第一液体中发生水解之后带负电;随着纳米孔道的两个开口端之间所施加的电压的大小的改变,液‑液界面基于电渗流作用在纳米孔道内移动。本申请实施例基于容器和纳米孔道,能快速实现纳流体界面型忆阻器对电压的增强型响应,可用于提高兴奋型人工神经突触器件的性能。

    基于激光加工的微凸点基板及制备方法、微凸点互联结构

    公开(公告)号:CN117747455A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202410190422.3

    申请日:2024-02-21

    Applicant: 北京大学

    Inventor: 陈浪 王玮

    Abstract: 本申请提供一种基于激光加工的微凸点基板及制备方法、微凸点互联结构,涉及电子制造领域,包括:提供晶圆基底;在所述晶圆基底的一侧形成掩膜层,基于激光处理工艺对掩膜层进行曝光处理,在掩膜层形成多个贯穿掩膜层的通孔,并在通孔内填充第一金属;去除掩膜层,对晶圆基底靠近所述第一金属的一侧进行刻蚀处理,形成阵列排布的多个微凸点,微凸点的直径小于或等于2μm;在微凸点的间隙中形成绝缘层,得到微凸点基板。本申请通过激光处理工艺对掩膜层进行处理,可以在掩膜层上形成直径更小、厚度更大的通孔,基于激光处理工艺形成的通孔可以制备得到具有直径小于2微米的微凸点的基板。

    激光诱导荧光检测系统及检测方法

    公开(公告)号:CN117554340A

    公开(公告)日:2024-02-13

    申请号:CN202311329741.X

    申请日:2023-10-13

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本申请涉及分析检测技术领域的一种激光诱导荧光检测系统及检测方法,激光诱导荧光检测系统包括:二色镜,二色镜形成有激光入射光路、激光反射光路和荧光接收光路;激光器,激光器设于激光入射光路;收集物镜,收集物镜设于激光反射光路;三维平台,三维平台设于激光反射光路,三维平台位于收集物镜远离二色镜的一侧,三维平台靠近收集物镜的一侧形成微芯片放置台,三维平台能够调整微芯片放置台的空间位置;光电检测模块,光电检测模块设于荧光接收光路。本申请的激光诱导荧光检测系统可以实现对低浓度的蛋白质和其他生化小分子进行检测,其具有很高的灵敏度和很快的响应速度,且其微型化使得其占用空间很小。

    一种晶圆键合方法和键合结构

    公开(公告)号:CN116960009B

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202310877128.5

    申请日:2023-07-17

    Applicant: 北京大学

    Inventor: 王玮 林晨希 陈浪

    Abstract: 本申请提供一种晶圆键合方法和键合结构,涉及半导体技术领域,包括:提供第一晶圆和第二晶圆;在第一晶圆的第一表面上依次沉积阻挡层、种子层;在种子层上制备第一支撑层,在第一支撑层上,通过刻蚀制备得到多个待填充盲孔,待填充盲孔的底部为种子层;在待填充盲孔中填充与种子层匹配的金属材料,在金属材料上填充焊料,得到凸点;去除第一表面上除凸点以外的所有材料;在种子层上制备第二支撑层;在第二表面上制备嵌入多个金属衬垫的绝缘层;使第一晶圆与第二晶圆进行对准,使第一晶圆上的凸点与第二晶圆上的金属衬垫一一接触;键合第一晶圆与第二晶圆。

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