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公开(公告)号：CN102963859A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210451765.8
申请日：2012-11-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种用于实时确定牺牲层腐蚀时间的测试结构，包括自下而上排列的牺牲层、MEMS结构层和金属层；所述金属层中的金属在所述牺牲层腐蚀完成时发生脱落。该测试结构使用双材料梁作为敏感原件，测试单元优选按照阵列方式排列，以提高整个在线测试结果的可靠性。利用该结构制备MEMS器件的方法可与常用的牺牲层工艺兼容，可同时完成，实现工艺的在线监控。本发明可以通过肉眼观测的方式，非接触非破坏地确定牺牲层腐蚀时间，能够提高MEMS工艺质量和成品率，并大大缩短工艺时间。
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公开(公告)号：CN102903653A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210319877.8
申请日：2012-08-31
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种高温生长晶片的卸载装置及其卸载方式，实现汽相外延设备在生长工艺不间断状态下卸载高温生长的晶片。本发明的生长腔侧壁设有进料窗，生长腔下面设有下料腔，下料腔下面设有卸料腔，卸料腔侧壁设有出料窗，卸料腔内设有可升降托盘的底部升降托台，下料腔内设有复数组小型气缸，小型气缸向内的端部设有夹具，下料腔内设有复数的感应加热线圈。本发明尤适用于目前HVPE垂直系统中，可缩短工艺周期、提高生产效率，促进产业化。
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公开(公告)号：CN101316367B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810132519.X
申请日：2008-07-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种视频编解码标准中的二维反变换方法及其实现电路，属于数字音视频技术领域。本发明方法为：将输入数据分为4组，第一时钟周期将第j组列向量与反变换系数矩阵的第0、3行的行向量相乘，然后将中间结果通过蝶形算法进行计算得到最终结果X0j和X3j；第二时钟周期将第j组列向量与反变换系数矩阵的第1、2行的行向量相乘，然后将中间结果通过蝶形算法进行计算得到最终结果X1j和X2j；其中j＝0、1、2、3。本发明的实现电路包括4个组内运算模块，用于计算输入数据的列向量数据；2个组间运算模块，用于计算组内运算模块的输出。本发明具有计算速度快，无需使用额外的存储单元来保存整数DCT反变换或Hadamard反变换过程中产生的中间结果，成本低。
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公开(公告)号：CN120004211A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411968952.2
申请日：2024-12-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种单片集成CMOS电路的压阻芯片的制造方法，属于MEMS传感器与CMOS芯片制造领域。本发明为解决压阻芯片与CMOS电路单片集成过程中制造复杂度高、成本高的问题，主要采用标准CMOS工艺中的多种离子注入工艺的组合，并通过修改版图生成规则，精确生成压阻敏感单元的掩模版图案，从而实现压阻敏感单元的多种掺杂浓度分布设计。本方法能够制造出具有不同性能指标的单片集成CMOS电路的压阻芯片，适应多样化的应用需求，并且兼容于标准CMOS工艺，具有低研发成本、大规模生产的优势，广泛适用于商业CMOS代工厂的生产，可满足压阻芯片快速增长的市场需求。
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公开(公告)号：CN113845083B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202111098479.3
申请日：2021-09-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种硅基纳米线压阻式压力传感器及其制备方法，属于微电子机械系统传感器设计领域。本发明提出具有悬空硅压阻纳米线结构的硅应变膜，压敏电阻分别悬空排布于应变膜边缘与梁凸台之间、中心凸台与梁凸台之间，极大提高了压阻式压力传感器的灵敏度；硅压阻纳米线表面热氧化形成包覆的SiO2层，一方面可以有效减小漏电流的产生，另一方面，热氧化可以压阻的浓度分布更加均匀；SiO2/Si3N4作为KOH腐蚀工艺的掩膜对KOH腐蚀工艺中的K+的阻挡特性较好，加工的器件具有较高的可靠性；采用了硅玻璃阳极键合工艺，其中玻璃对压力感应膜起到了应力缓冲的作用，提高了传感器在后续封装和测试中的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119024639A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411005471.1
申请日：2024-07-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种电子束斑的片上表征方法，属于微纳加工技术领域。本方法通过制造束斑表征芯片，使用电子束在芯片的悬空薄膜测试区上以不同曝光剂量写入测试版图图形，获取多组曝光重叠数据；建立驻留时间、曝光重叠与光刻胶灵敏度的函数关系，并进行非线性最小二乘法拟合得到束斑高斯函数的参数；将得到的参数代入电子束斑高斯函数中，得到电子束斑的尺寸和剂量分布。本方法操作简单，与电子束光刻工艺环境兼容性好，准确度高。
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公开(公告)号：CN113534106B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202110621289.9
申请日：2021-06-03
Applicant: 北京大学
IPC: G01S7/484 , G01S7/4861 , G01S17/08
Abstract: 本发明提供一种微腔光梳激光器、测距装置及测距方法，涉及激光测距技术领域，包括片上半导体激光器与高品质因子微腔，微腔包括耦合波导与环形光学微腔；片上半导体激光器与耦合波导连接，耦合波导与环形光学微腔相切；片上半导体激光器用于发出单频泵浦激光，单频泵浦激光经由耦合波导进入环形光学微腔，环形光学微腔用于将单频泵浦激光转变为多频光梳激光，环形光学微腔内部分泵浦激光散射回片上半导体激光器，形成孤子锁模光脉冲。本发明通过耦合波导与环形光学微腔将单频泵浦激光进行波导耦合，产生孤子锁模光脉冲，结合电光采样时域探测方法与孤子微梳时序调控技术，实现一种便携型、高速且高精度的激光测距装置。
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公开(公告)号：CN113845083A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111098479.3
申请日：2021-09-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种硅基纳米线压阻式压力传感器及其制备方法，属于微电子机械系统传感器设计领域。本发明提出具有悬空硅压阻纳米线结构的硅应变膜，压敏电阻分别悬空排布于应变膜边缘与梁凸台之间、中心凸台与梁凸台之间，极大提高了压阻式压力传感器的灵敏度；硅压阻纳米线表面热氧化形成包覆的SiO2层，一方面可以有效减小漏电流的产生，另一方面，热氧化可以压阻的浓度分布更加均匀；SiO2/Si3N4作为KOH腐蚀工艺的掩膜对KOH腐蚀工艺中的K+的阻挡特性较好，加工的器件具有较高的可靠性；采用了硅玻璃阳极键合工艺，其中玻璃对压力感应膜起到了应力缓冲的作用，提高了传感器在后续封装和测试中的稳定性。
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公开(公告)号：CN111591952A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010322541.1
申请日：2020-04-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，属于微电子机械系统传感器设计领域，该传感器主要包括一玻璃底座和位于玻璃底座上的硅应变膜，该玻璃底座的一面含有一凹陷空腔，该硅应变膜的正面朝向该空腔；该硅应变膜包括位于正面的绝缘介质层和该绝缘介质层覆盖的硅衬底；该硅应变膜的正面的边缘均布有四个带有凹槽的半岛结构；每个半岛结构的外边缘设有位于硅衬底上的一组压敏电阻、一组重掺杂接触区和一对金属引线，压敏电阻与重掺杂接触区串接，两端由金属引线从重掺杂接触区引出，四组压敏电阻形成惠斯通电桥。其与典型结构的压力传感器相比，具有高灵敏度、高线性度、芯片尺寸小的优点。
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