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公开(公告)号：CN108169262B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201711384239.3
申请日：2017-12-20
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/20 , G01N23/203 , G01N23/20058
Abstract: 本发明提供了一种快速标定金属晶面的方法，所述金属例如为铜箔，利用高温氧化后铜表面形成的氧化物的厚度与颜色的关系来判断晶面，不同晶面由于氧化速率不同，氧化物薄膜就会有不同的厚度，由此的衬度(颜色)则有不同的差别。不同晶面的区别在光学显微就下就可以明显地看到。本发明提出的方法，通过非常简单的操作，在光学显微镜下即可区分出不同的晶面。
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公开(公告)号：CN111188086A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN202010123961.7
申请日：2020-02-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种超高导电多层单晶压合铜材料的制备方法，将多层单晶铜箔叠合在一起形成层叠体，采用在加压的同时高温退火的方式将所述层叠体加压退火成一体，或者是采用直接热轧的方式将所述层叠体压合成一体，制备出超高导电多层单晶压合铜材料。该方法用多层单晶铜箔作为原料，利用热轧或压合退火的方法制备出超高导电多层单晶压合铜材料，其电导率大于等于105％IACS。本发明提出的方法，解决了单晶铜材料制备成本高昂，技术复杂，价格昂贵，无法大规模生产等一系列问题，通过非常简单的方法，实现了超高导电多层单晶压合铜材料的制备。
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公开(公告)号：CN110554455A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910772550.8
申请日：2019-08-21
Applicant: 北京大学
IPC: G02B6/02 , G02B1/00 , G02F1/355 , C03C25/42 , C03C25/223 , C03C25/106
Abstract: 本发明涉及一种快速制备过渡金属硫族化合物复合光纤材料的方法。所述制备方法为：采用钼酸或者钨酸钠/钾盐溶液对光纤进行浸润处理后再低压高温条件下将高质量的单层或者少层过渡金属硫族化合物直接沉积到光纤中心空气孔道内壁或者光子晶体光纤包层空气孔及纤芯空气孔道内壁上。光纤材质为石英或者石英聚合物。结合过渡金属硫族化合物优异的光学、电学性能与光纤光子结构的特点，实现二维TMDC材料与光纤的多功能集成。该方法具有成本低，制备方法简单，生长周期短，过渡金属硫族化合物层数可控的特点。制备出的过渡金属硫族化合物复合光纤在光通讯，传感和新型光器件领域具有潜在的应用。
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公开(公告)号：CN110010449A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910283426.5
申请日：2019-04-10
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/04 , H01L21/205 , H01L21/363 , H01L21/365
Abstract: 本发明提供了一种高效制备一维碳纳米管/二维过渡金属硫族化合物异质结的方法，所述二维过渡金属硫族化合物包含二硫化钼、二硒化钼、二硫化钨等所有过渡金属硫族化合物。利用氢气或水蒸气高温退火去除碳纳米管上的无定形碳等杂质，并在此基础上顺序生长二维过渡金属硫族化合物，得到一维碳纳米管/二维过渡金属硫族化合物异质结。本发明提出的方法，通过非常简单的操作，即可控制制备具有洁净界面与有效接触的一维碳纳米管/二维过渡金属硫族化合物异质结。
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公开(公告)号：CN109545986A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811166401.9
申请日：2018-10-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种超净界面异质结的制备方法及应用，所述异质结的制备方法包括如下步骤：首先利用化学气相沉积法生长大面积单晶石墨烯膜，然后利用非聚合物辅助的清洁转移方法制备透射电子显微镜网格上的悬浮石墨烯，最后使用一步溶液法在清洁的石墨烯表面上直接合成厚度为5-100nm的钙钛矿单晶，完成超净界面异质结材料的制备。该方法完全避免了转移过程中的聚合物污染，异质结电子耦合非常好，界面非常干净。同时，根据进一步的表征验证，在超净的界面下，石墨烯作为二维电极及受体材料可实现超快、高效率的载流子收集，此方法得到的异质结具有高达98％的光电流转换效率，并且光生载流子的收集时间尺度为百飞秒量级。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105624778B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201610191702.1
申请日：2016-03-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种快速连续制备大晶畴石墨烯薄膜的方法，涉及大晶畴石墨烯薄膜的制备方法。其主要特征为用金属箔片作为催化剂及生长基底，用氧化物为衬底使金属箔片穿过氧化物衬底夹层，然后利用常压化学气相沉积法，通过两端的转动装置，快速连续获得大晶畴高质量石墨烯薄膜。本发明提出的方法，解决了CVD方法制备的石墨烯薄膜晶畴尺寸小、电学性能低、基底表面处理工序复杂且生长周期长等技术问题，通过非常简单的方法，实现了快速连续制备大晶畴石墨烯薄膜样品。
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公开(公告)号：CN108169262A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711384239.3
申请日：2017-12-20
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/20 , G01N23/203 , G01N23/20058
Abstract: 本发明提供了一种快速标定金属晶面的方法，所述金属例如为铜箔，利用高温氧化后铜表面形成的氧化物的厚度与颜色的关系来判断晶面，不同晶面由于氧化速率不同，氧化物薄膜就会有不同的厚度，由此的衬度(颜色)则有不同的差别。不同晶面的区别在光学显微就下就可以明显地看到。本发明提出的方法，通过非常简单的操作，在光学显微镜下即可区分出不同的晶面。
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公开(公告)号：CN105624778A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610191702.1
申请日：2016-03-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种快速连续制备大晶畴石墨烯薄膜的方法，涉及大晶畴石墨烯薄膜的制备方法。其主要特征为用金属箔片作为催化剂及生长基底，用氧化物为衬底使金属箔片穿过氧化物衬底夹层，然后利用常压化学气相沉积法，通过两端的转动装置，快速连续获得大晶畴高质量石墨烯薄膜。本发明提出的方法，解决了CVD方法制备的石墨烯薄膜晶畴尺寸小、电学性能低、基底表面处理工序复杂且生长周期长等技术问题，通过非常简单的方法，实现了快速连续制备大晶畴石墨烯薄膜样品。
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公开(公告)号：CN115219290B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202110425969.3
申请日：2021-04-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种过程控制的大面积双层二维材料转移装置及其方法，该装置包括金属箔‑双层二维材料‑金属箔样品、胶水或胶带、电极夹、对电极、参比电极、电化学工作站、两个电极片、恒电位仪、电解液、以及电解槽；其中两个电极片水平或竖直放置在电解槽内。本发明装置实用性强、结构简单、成本低，能够获得大面积双层二维材料样品，相比于转移法获得的双层二维材料样品具有更洁净的表面，相比于化学气相沉积法获得的双层二维材料样品具有更可控的尺寸和转角。
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公开(公告)号：CN110407197B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201910665275.X
申请日：2019-07-23
IPC: C01B32/186 , C01B32/194 , C03C17/22 , C23C16/26 , B05D1/02 , B05D7/24 , B05D5/00 , A61L31/08
Abstract: 本发明公开了一种利用石墨烯包覆层改善与血液相接触的生物材料及器械血液相容性方法。本发明要求保护石墨烯或石墨烯包覆层在提高生物材料和/或器械的血液相容性中的应用。本发明还要求保护一种提高生物材料和/或器械的血液相容性的方法，该方法包括：在所述生物材料和/或器械的表面制备石墨烯包覆层。由于石墨烯具有很好的柔性，因此石墨烯可以有效全部覆盖生物材料或器械表面，可以改善原本生物材料或器械的血液相容性，因此不会对生物组织造成额外负担。由于石墨烯的高度不渗透性和化学惰性，同时石墨烯还具有较好的机械性能可以有效提高生物材料或器械的生物安全性和相容性。
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