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公开(公告)号：CN112729600A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011431494.0
申请日：2020-12-07
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明涉及飞秒激光直写布拉格光纤光栅(Fiber Bragg Grating,FBG)结合光纤微球的温度及气压测试方法。该传感器主要由飞秒激光制备的FBG和化学腐蚀结合电弧放电制备的光纤微球结构组成，可实现温度和气压的同时测量。采用本发明提供的技术方案制作的飞秒激光直写FBG结合光纤微球温度气压传感器为全光纤结构，可避免电磁干扰，耐高温，可实现温度和折射率的同时测量。同时，其结构及制作工艺简单，可靠性好、灵敏度高。
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公开(公告)号：CN112729599A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011431481.3
申请日：2020-12-07
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明涉及飞秒激光直写复合光纤光栅的温度传感测试方法。将未剥除涂覆层的单模光纤置于三维移动平台上，保证视野清晰，将飞秒激光光斑聚焦至纤芯，采用逐线直写方式在包层与纤芯区域制备复合光纤布拉格光栅(Fiber Bragg Grating,FBG)。采用本发明提供的技术方案制作的飞秒激光直写复合光纤光栅可经过一次刻写实现双波长、双灵敏度复合光纤光栅，可避免电磁干扰，耐高温，其结构及制作工艺简单、可靠性好，在温度传感测试中能实现较高的灵敏度与区分度，适宜拓展至其他双参数测试应用。
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公开(公告)号：CN112712857A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011442769.0
申请日：2020-12-08
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于WGAN对抗生成网络生成生物拉曼光谱数据的方法，包括以下步骤：步骤a、从拉曼光谱数据库里抽取部分拉曼光谱数据作为真实样本；步骤b、创建正态分布函数，生成随机数据Z；步骤c、创建生成网络G，将随机数据Z输入生成网络G；步骤d、创建判别网络D，将拉曼光谱数据和生成样本输入判别网络D；步骤e、计算生成网络G和判别网络D的目标函数；步骤f、对目标函数进行优化，对生成网络G和判别网络D进行迭代训练。本发明的有益效果：对比现有的深度学习技术，损失函数利用了wassertein距离公式，而不是kl散度，可以不断的移动生成样本的数据分布，使生成样本的数据分布不断向真实样本的数据分布移动。
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公开(公告)号：CN119578216A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411562998.4
申请日：2024-11-05
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
IPC: G06F30/27 , G06F30/10 , G06N3/0464
Abstract: 本发明涉及神经网络光纤测量技术领域，公开了一种基于卷积神经网络的软体机械臂运动学建模方法，包括以下步骤：步骤1、光纤曲率重构，通过光纤布拉格光栅传感器检测软体机械臂的曲率和曲率偏转角，光纤布拉格光栅传感器在软体机械臂弯曲时，中心波长发生漂移，基于漂移量计算光纤的曲率和角度信息；步骤2、获取软体臂的三维位置坐标；步骤3、卷积神经网络的训练；步骤4、软体机械臂运动学的预测。通过采用卷积神经网络的方式，仅基于从光纤布拉格光栅(FBG)传感器获取的曲率信息和视觉传感器获取的位置信息，便能够完成软体臂的逆运动学建模，具有很强的泛化能力，适用于不同形状、尺寸和材料的软体机械臂。
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公开(公告)号：CN119317198A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411429666.9
申请日：2024-10-14
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
Abstract: 本发明涉及半导体器件设计及制造领域，公开了一种基于MBE生长二类超晶格红外探测器的方法，包括：半导体衬底；缓冲层：设置在半导体衬底上方；N型下电极接触层：位于缓冲层上方；中波红外吸收层：位于N型下电极接触层上方；电子势垒层：位于中波红外吸收层上方；短波红外吸收层：位于电子势垒层上方；N型上电极接触层：位于短波红外吸收层上方；Cap层：位于N型上电极接触层上方；电极层：上电极位于所述Cap层上方；下电极与N型下电极接触层相接；钝化层：覆盖在探测器的侧壁。通过采用电子势垒层来分隔不同的吸收层，减少了不同波段之间的串音效应，从而降低了探测器在复杂环境下的虚警率，这一特性使得探测器在高干扰环境下仍能保持高精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119308012A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411430204.9
申请日：2024-10-14
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
Abstract: 本发明涉及半导体材料分子束外延生长制造领域，公开了一种控制As背景压强以减少InAs/GaSb表面缺陷的方法，包括以下步骤：S1：衬底准备与预处理，选择适合的GaSb单晶衬底，并对GaSb衬底进行选择、清洁、除气和脱氧处理；S2：GaSb缓冲层的外延生长，在经过处理的GaSb衬底上外延生长GaSb缓冲层；S3：As背景压强的控制，在GaSb缓冲层生长过程中，通过调节As针阀的开度，控制和稳定腔体内的As背景压强；S4：InAs/GaSb超晶格的生长，在控制好的As背景压强条件下，逐层生长InAs和GaSb超晶格结构。通过精确控制As背景压强，可以有效减少InAs/GaSb表面形成的“亮点”缺陷和其他表面缺陷，提高超晶格材料的表面质量。
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公开(公告)号：CN119308009A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411429812.8
申请日：2024-10-14
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
Abstract: 本发明涉及红外探测领域，公开了一种基于人工智能的分子束外延生长过程控制方法，包括以下步骤：S1：生长材料选择，根据目标应用需求，选择具备特定光电性能的半导体材料；S2：晶片生长，在超高真空环境下，实现晶片的外延生长；S3：数据采集与高质量晶片筛选，实时采集生长过程数据，并通过X射线衍射和原子力显微镜检测晶片质量；S4：数据处理，对采集的数据进行信号处理和降维操作，去除噪声和异常值；S5：模型训练；S6：优化与控制。通过人工智能技术使得系统能够自动分析和调整生长过程中的关键参数，实现精确控制，减少了对操作人员经验的依赖。系统自动处理和优化生长参数，即使操作人员经验不足，也能通过系统实现高质量的材料生长。
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公开(公告)号：CN119270411A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411562069.3
申请日：2024-11-04
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
Abstract: 本发明涉及光学器件领域，公开了一种高消光比双层光栅结构偏振器件，包括石英基底、SiO2介质光栅层和金属层线栅结构，所述SiO2介质光栅层设置于石英基底之上；所述金属层线栅结构设置于SiO2介质光栅层之上，所述金属层线栅结构与SiO2介质光栅层共同组成双层光栅结构；通过调节双层光栅结构的单元结构、厚度及光栅宽度，使得高消光比双层光栅结构偏振器件在近红外波段1～2μm内具有75dB以上的消光比。通过偏振器件在近红外波段(1～2μm)内具有高达75dB以上的消光比，这显著高于传统单层光栅结构的偏振器件，高消光比意味着该偏振器件能够更有效地阻挡特定方向的偏振光，同时仅允许另一方向的偏振光透射，极大提高了偏振选择性和探测灵敏度。
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公开(公告)号：CN119179837A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411257983.7
申请日：2024-09-09
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: G06F17/16 , G06N3/067 , G06N3/0464 , G02B6/293
Abstract: 本发明涉及光子计算网络技术领域，尤其涉及一种基于单色散介质实现不同阶数矩阵运算的系统，所述系统包括：顺次连接的多波长光源、调制处理单元、微环阵列单元、单色散介质单元和采集处理单元，利用单色散介质单元对各个加权调制光信号进行延时处理，且通过控制每个加权调制光信号的延时时长，使得在对各个延时加权调制光信号在同一时域上的光信号强度进行求和处理后便可以获得第二矩阵对第一矩阵执行卷积计算的计算结果，大大提高了矩阵乘法运算的计算效率，同时引入单色散介质取代传统光学延时线，有利于减小光计算集成系统的尺寸，并降低成本。
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公开(公告)号：CN117826307B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202311800323.4
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于超材料结构的中红外偏振转换器包括，金属衬底层、在金属衬底层上制备的二氧化硅层，以及在二氧化硅层上制备的超表面层；超表面层包括周期排布的多个超表面结构单元；每一个所述超表面结构单元包括倾斜排布的中间矩形金属块，以及在中间矩形金属块两边倾斜排布的第一矩形金属块和第二矩形金属块；第一矩形金属块、第二矩形金属块和中间矩形金属块平行。本发明可以在3‑5μm波段实现高效的偏振转换，并且可以通过调整结构的参数来灵活改变其工作波长。
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