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公开(公告)号：CN105612636A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201480054716.8
申请日：2014-09-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01M4/386 , H01M4/364 , H01M4/382 , H01M4/483 , H01M4/485 , H01M10/0525 , H01M2004/027
Abstract: 本发明是一种含硅材料，其可以掺杂锂以及使锂脱掺杂，并且，当使用三极单元进行充放电，所述三极单元是采用以所述含硅材料作为活性物质的工作电极、由金属锂构成的参考电极、由金属锂构成的对电极、以及锂离子导电性电解质而构成，并且，以所述参考电极为基准，在测定所述工作电极的电位与充放电容量的关系的情况下，当使电流往使锂由所述含硅材料脱掺杂的方向流通而进行放电时，相对于从满充电状态至电位为2000mV的状态为止所放电的容量，从满充电状态至电位为400mV的状态为止所放电的容量的比率是38％以上。由此，能够提供一种含硅材料，其能够制造循环性高的非水电解质二次电池。
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公开(公告)号：CN103229099B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201180056117.6
申请日：2011-11-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/80 , B32B15/01 , C22C27/06 , C23C14/0641 , C23C14/0676 , G03F1/00 , G03F1/30 , G03F1/50 , G03F1/54
Abstract: 在本发明的含铬材料膜中，添加有能够使与铬的混合体系在400℃以下的温度下成为液相的元素。当将所述含铬材料膜用作可用于光掩模坯料中的光学膜(例如遮光膜、蚀刻掩膜、蚀刻停止膜)时，可在不依赖于特别膜设计的情况下，在维持常规含铬材料膜的光学特性等的同时，提高氯干蚀刻的速度，并且可提高图案化的精度。
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公开(公告)号：CN101852983B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201010158156.4
申请日：2010-03-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/84 , G03F7/70783
Abstract: 公开了一种用于检查和判定光掩模坯或其中间体的方法。通过下述步骤来检查衬底上有膜的光掩模坯：(A)测量具有待检查应力的膜的光掩模坯的表面形貌，(B)从所述光掩模坯去除所述膜以提供经处理的衬底，(C)测量去除所述膜之后经处理的衬底的表面形貌，以及(D)比较光掩模坯或中间体的表面形貌和经处理的衬底的表面形貌，由此评估膜中的应力。
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公开(公告)号：CN101950125B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201010274835.8
申请日：2010-06-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光掩模制造方法，具体涉及一种从光掩模坯料制造光掩模的方法，该光掩模坯料包括透明衬底以及由含有过渡金属的硅基材料制成的上层和下层构成的遮光膜，上层中的O+N含量比下层中的高。在两个步骤中通过如下加工遮光膜：通过抗蚀图进行氟干法蚀刻使得上述膜的下方部分得以保留，以及含氧的氯干法蚀刻，用于移除上述膜的剩余部分。
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公开(公告)号：CN103229099A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201180056117.6
申请日：2011-11-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/80 , B32B15/01 , C22C27/06 , C23C14/0641 , C23C14/0676 , G03F1/00 , G03F1/30 , G03F1/50 , G03F1/54
Abstract: 在本发明的含铬材料膜中，添加有能够使与铬的混合体系在400℃以下的温度下成为液相的元素。当将所述含铬材料膜用作可用于光掩模坯料中的光学膜(例如遮光膜、蚀刻掩膜、蚀刻停止膜)时，可在不依赖于特别膜设计的情况下，在维持常规含铬材料膜的光学特性等的同时，提高氯干蚀刻的速度，并且可提高图案化的精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103123441A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201210543905.4
申请日：2012-11-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及刻蚀掩模膜的测评。具体地，连同光掩模坯料，其包括透明衬底、图案形成膜以及刻蚀掩模膜，通过如下方式测评所述刻蚀掩模膜：测量第一刻蚀完成时间(C1)，其是在施加于图案形成膜的刻蚀条件下刻蚀该刻蚀掩模膜时所花费的时间，测量第二刻蚀完成时间(C2)，其是在施加于刻蚀掩模膜的刻蚀条件下刻蚀该刻蚀掩模膜时所花费的时间，以及计算第一刻蚀完成时间与第二刻蚀完成时间的比值(C1/C2)。
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公开(公告)号：CN1955840B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200610136330.9
申请日：2006-10-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/00 , G03F7/00 , H01L21/027
Abstract: 一种具有最基本结构的基座(11)，具有包括第一和第二透明石英部分(11a)以及夹在它们之间的不透明石英部分(11b)的三层结构。例如，不透明石英部分(11b)由“泡沫石英”制成。另外，考虑在衬底(10)上所形成的薄膜的组分或厚度以及在闪光照射期间关于照射光能量的各种条件等，将不透明石英部分(11b)对闪光的不透明度确定在基于不透明石英部分(11b)材料或厚度的适当范围内。叠置结构可以包括具有不同透明度的多个不透明石英层的叠置。
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公开(公告)号：CN1862377A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610076905.2
申请日：2006-04-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , Y10T428/31616
Abstract: 在对曝光光线透明的基板(1)上设置层合2层由金属硅化物的化合物(2a、2b)组成的层的相位偏移多层膜(2)。而且，在表面侧的金属硅化物的化合物(2b)表面上形成氧化稳定化层(2c)。相位偏移多层膜(2)中基板侧(下面)的层(2a)是金属组成相对高的金属硅化物的化合物，上面的层(2b)是金属组成相对低的金属硅化物的化合物。氧化稳定化层(2c)的金属含量为下面的层(2a)的金属含量的1/3或1/3以下(摩尔比)，为低金属组成，化学稳定性优异，显示高耐药品性。下面的层(2a)由具有较高金属含量的金属硅化物的化合物膜构成，因此，容易控制相位偏移多层膜的光学特性，能得到所希望的光学特性。
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公开(公告)号：CN109244420B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201811205423.1
申请日：2014-04-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及非水电解质二次电池用负极材料，其包含硅复合体，该硅复合体是具有硅的微晶或微粒在与该微晶或微粒组成不同的物质中分散的结构的硅复合体，基于X射线衍射中归属于Si(220)的衍射峰的半值宽度，由Scherrer式求出的上述微晶或微粒的微晶的大小为8.0nm以下，根据本发明，能够提供具有优异的库仑效率的非水电解质二次电池用负极材料和非水电解质二次电池。
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公开(公告)号：CN105932268B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201610108508.2
申请日：2016-02-26
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01M4/48 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01M4/13
Abstract: 本发明提供一种可以增加电池容量并提高循环特性和电池初始效率的非水电解质二次电池用负极活性物质。为此，本发明的非水电解质二次电池用负极活性物质具有负极活性物质颗粒，所述负极活性物质颗粒含有硅化合物SiOx，且0.5≤x≤1.6，所述非水电解质二次电池用负极活性物质的特征在于，负极活性物质颗粒，在至少部分表面上具有碳被膜；碳被膜，将所述碳被膜从所述负极活性物质颗粒离析并测量的由多点BET法测得的比表面积为5m2/g以上且1000m2/g以下；并且，碳被膜，将碳被膜从负极活性物质颗粒离析并测量而得的压缩电阻率在压缩至1.0g/cm3的密度时为1.0×10－3Ω·cm以上且1.0Ω·cm以下。
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