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公开(公告)号：CN116970134A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311001011.7
申请日：2023-08-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
IPC: C08F292/00 , C08F220/06 , C08F220/04
Abstract: 本申请提供了一种碳纳米管纳米流体工质的制备方法，该方法包括：提供碳纳米管悬浮液；在碳纳米管悬浮液中的碳纳米管表面原位生长高分子羧酸，得到稳定碳纳米管流体工质；根据预设需求粘度改变稳定碳纳米管流体工质的酸碱值，以得到最终碳纳米管流体工质。本申请通过在碳纳米管表面原位生长高分子羧酸，依靠表面高分子的空间位阻效应保障碳纳米管流体工质的胶体稳定性，同时通过改变酸碱值调节高分子羧酸水解程度，从而改变粒子表面电位，实现粒子团聚的可控，达到调控纳米流体剪切变薄性质。
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公开(公告)号：CN116845040A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202210299463.7
申请日：2022-03-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/473 , H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种射频芯片的冷却系统及转接板的制作方法，该冷却系统通过对转接板进行改进，在转接板中内嵌设置微流道和微歧管，使冷却液直接接触射频芯片的背面，而不是将微流道和微歧管内嵌在射频芯片的内部；并且转接板中内嵌的微歧管可以对冷却液进行分布使其更均匀的分布在微流道中，进而更均匀的实现对射频芯片的冷却，提高了对射频芯片的冷却效果。
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公开(公告)号：CN115527966A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211228121.2
申请日：2022-10-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
IPC: H01L23/427 , H01L21/48
Abstract: 本申请实施例提供了一种受限薄液膜核态沸腾相变冷却结构及其制造方法，包括依次层叠设置的超亲纳米结构层、气液分离膜层和流道结构层，当半导体芯片的热量传输到超亲纳米结构层后，液膜开始沸腾并进行相变产生气泡，利用对液体具有超亲性的超亲微纳米结构层有效限制气泡和超亲微纳米结构层的表面的接触面积，减小气泡附着力，利用气液分离膜层的超疏水部分实现将气泡中的气体快速排出，防止液膜中的液体溢出，实现气液分离强化，利用气液分离膜层的超亲水部分限制气泡在气液分离膜层的吸附扩张，降低液膜补液阻力，进而避免液膜干涸断裂，本申请实施例提供的受限薄液膜核态沸腾相变冷却结构能够满足半导体芯片的散热需求。
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公开(公告)号：CN113299560B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202110551590.7
申请日：2021-05-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明涉及一种不同焊盘孔径的埋入型封装基板的电镀方法，涉及半导体封装领域，用于解决在基板的焊盘孔和转接板的焊盘孔上电镀焊盘时，转接板对应的焊盘与基板对应的焊盘存在厚度差的技术问题。方法包括：确定各所述焊盘孔的孔径；根据所述孔径，对所述不同焊盘孔径的焊盘孔进行分组；分别对各所述组中的焊盘孔进行电镀。本发明提供的技术方案能够消除转接板对应的焊盘与基板对应的焊盘的厚度差。
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公开(公告)号：CN114975353A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110197023.6
申请日：2021-02-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/525 , H05K1/02 , H05K1/18
Abstract: 本发明涉及一种防烧毁封装结构、系统级封装模块及封装方法，解决了功率芯片发生短路故障，产生大量热量蔓延至主板，导致主板损伤的问题。防烧毁封装结构，用于功率芯片封装体和主板的封装；包括自保护结构和焊接结构；功率芯片封装体，下表面设置有第一焊盘；自保护结构，包括位于其上表面并且与第一焊盘对应的开口、贯通开口至自保护结构的下表面的通孔以及位于通孔侧壁的设置有填充材料的凹槽；焊接结构，用于通过通孔连接第一焊盘与主板上表面的第二焊盘，且与填充材料接触，填充材料用于吸收熔融状态下的焊接结构的焊料。实现了在功率芯片发生短路，电流增大热量增加时，能够及时切断主板与功率芯片封装体之间的供电路径，保护主板不受损伤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111769098B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202010657091.1
申请日：2020-07-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/535 , H01L21/50 , H01L25/065 , H01L21/98
Abstract: 本发明涉及一种实现多个芯片集成的封装结构及封装方法，属于半导体封装技术领域，解决了现有技术中封装结构集成芯片的数量有限的问题。所述封装结构包括封装本体，所述封装本体包括：衬底，表面设置有多个第一凹槽，多个所述第一凹槽用于设置待集成的多个所述芯片；一体化异形转接板，位于所述衬底的上部，所述转接板用于实现所述多个芯片之间的互联；以及每个所述芯片在所述衬底上的投影与所述转接板在所述衬底上的投影至少部分不重合；其中，每个所述芯片与所述转接板在所述衬底上投影不重合的部分用于实现所述芯片与外部信号的互联。实现了在多个芯片间形成互联，形成完整的多个芯片间高度集成的系统。
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公开(公告)号：CN114221120A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111554845.1
申请日：2021-12-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种贴片天线及阵列，涉及无线通信技术领域，以解决现阶段的贴片天线仍面临着无法兼具小型化、低剖面和高带宽的问题。所述贴片天线包括：第一介质层，位于第一介质层下表面的微带馈线，位于第一介质层中的反射板，且反射板的上表面与第一介质层的上表面位于同一平面；形成在第一介质层和反射板上的第二介质层，位于第二介质层的上表面中心区域上的辐射贴片；形成在第二介质层其他区域以及辐射贴片上的第三介质层，位于第三介质层上表面的超表面结构，超表面结构包括多个“V”型贴片单元，且多个“V”型贴片单元对称分布在微带馈线的两侧。所述贴片天线阵列包括上述技术方案所提的贴片天线。
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公开(公告)号：CN111135880B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201911253476.5
申请日：2019-12-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明实施例提供一种牵引器、牵引系统及其引力测量方法，涉及力学技术领域，可通过改变液态金属的排布周期，更加灵活地测量吸引力；同时还可节省操作台。一种牵引器包括两相液滴生成结构、流道结构、以及探测结构；两相液滴生成结构至少包括第一通道、第二通道、以及第三通道，第一通道和第二通道在第三通道的第一入口处交汇；第三通道还包括第一出口；流道结构包括中空结构，中空结构包括第二入口和第二出口，中空结构的第二入口与第三通道的第一出口连接；探测结构悬浮于流道结构的至少一侧，探测结构在中空结构上的正投影位于第二入口和第二出口之间。
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公开(公告)号：CN112332103A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011217615.1
申请日：2020-11-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开一种超材料单元、超表面、电磁设备及编码方法，涉及超表面技术领域，用以简化可重构超表面所包括的超材料单元的结构，降低制作难度。该超材料单元包括反射部以及其下方的第一介质部、上方的第二介质部，第一介质部朝向反射部的表面开设容纳第一工作流体的储液槽；第二介质部远离反射部的表面开设容纳第二工作流体的电解液槽，电解液槽与储液槽连通。超材料单元处于非填充状态，第二工作流体为电解液；当施加在储液槽内电解液的电压高于施加在电解液槽内电解液的电压时，超材料单元处于填充状态，第二工作流体至少包括液态金属。本发明提供的超材料单元、超表面、电磁设备及编码方法用于超表面的制作及编码。
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公开(公告)号：CN112332102A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011216355.6
申请日：2020-11-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开超材料单元、超表面、电磁设备、编码方法及终端设备，涉及超表面技术领域，以简化可重构超材料单元的结构。该超材料单元包括反射部、第一介质部以及第二介质部。第一介质部开设有容纳第一工作流体的第一储液槽和第二储液槽；第二介质部开设有容纳第二工作流体的电解液槽，电解液槽与第一储液槽和第二储液槽连通。当超材料单元处于非填充状态，第一工作流体包括液态金属和电解液，第二工作流体为电解液；当施加在第一储液槽内电解液与施加在第二储液槽内电解液的电压存在电压差时，超材料单元处于填充状态，第二工作流体至少包括液态金属。本发明用于制作超表面并进行编码。
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