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公开(公告)号：CN114102487A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111306800.2
申请日：2021-11-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于精密电装装配工艺的辅助夹具，属于微组装技术领域，包括基板、两组位移台、两组夹具组件和显微镜组件，位移台可在基板XYZ三轴方向上调节，配合其在基板上滑动，夹具组件设置在位移台上，从而可调节夹具组件夹持待装配的电子元器件的位置，通过显微镜组件的调节和其显示的图像，配合调节位移台以完成电子元器件装配动作。本发明提供的一种用于精密电装装配工艺的辅助夹具，解决了精密电装装配精准性低，组装效率低的技术问题，具有对精密电装装配过程易观察，装配精准性高，装配不易失误，提高组装效率的技术效果。
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公开(公告)号：CN113821763A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110938375.2
申请日：2021-08-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种在片S参数测量系统校准方法及电子设备。该方法包括：采用待校准的在片S参数测量系统的两个端口分别测量在片直通标准、在片负载标准和在片反射标准，对应得到直通S参数、负载S参数和反射S参数；基于转移参数与S参数的对应关系、直通S参数、负载S参数和反射S参数确定A1/D1的值、B1/D1的值、C1/D1的值；将直通S参数、负载S参数和反射S参数进行端口互换，并根据端口互换后的结果，确定A2/D2的值、B2/D2的值、C2/D2的值，进而确定八项误差。本发明能够提高在片S参数测量系统的测量效率。
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公开(公告)号：CN113777547A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110864583.2
申请日：2021-07-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供一种在片S参数测量系统校准判断方法、装置及终端。该方法包括：基于参考在片校准方法和在片S参数测量系统，获取无源器件的参考S参数；基于目标在片校准方法和在片S参数测量系统，获取无源器件的目标S参数；基于参考S参数、目标S参数和T参数与S参数之间的转换关系，确定目标S参数相对于参考S参数的最大偏差，并根据最大偏差判断目标在片校准方法对在片S参数测量系统的校准是否有效。本发明能够提高在片S参数测量系统的可靠性。
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公开(公告)号：CN112684222A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011496755.7
申请日：2020-12-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R1/067
Abstract: 本发明提供了一种小型手动探针台，属于器件测试技术领域，包括底板、载片台、XYZ三轴位移台、显微镜滑台、Z向调整杆以及显微镜；载片台设有真空腔和与真空腔连通的吸附孔；XYZ三轴位移台滑动设于底板上，用于连接并精调探针的位置；XYZ三轴位移台为两组，左右对称设于载片台的两侧；XYZ三轴位移台借助X向直线导轨粗调到载片台的位移；显微镜滑台滑动设于底板上；Z向调整杆固定于显微镜滑台上，用于安装显微镜并精调显微镜的Z向位移；显微镜安装于Z向调整杆上。本发明提供的小型手动探针台，结构简单，使用方便，制作成本低，粗调和精调均可手动操作，能够满足芯片测试需要，有利于裸芯片研发阶段成本的降低。
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公开(公告)号：CN112098795A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010820400.2
申请日：2020-08-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明适用于晶圆级半导体器件微波特性测量技术领域，提供了一种两端口在片校准件模型及参数确定的方法，该方法包括：通过测量第一频段对应的单端口在片校准件模型，得到第一S参数；根据第一S参数计算得到单端口在片校准件模型对应的两端口在片校准件模型的本征电容值；测量太赫兹频段对应的两端口在片校准件模型，得到第二S参数；根据第二S参数和本征电容值，计算得到两端口在片校准件模型的寄生电容值和寄生电阻值。本发明提供的不同的两端口在片校准件模型解决了在太赫兹频段标准件电路模型不完善带来的校准及测量误差，可以提高太赫兹频段在片S参数测试准确度；另外给出了不同两端口在片校准件模型中参数的计算方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112098794A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010820390.2
申请日：2020-08-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明适用于晶原级半导体器件微波特性测量技术领域，提供了一种在片校准件模型中参数确定的方法及终端设备，该方法包括：通过确定基于太赫兹频段的不同在片校准件模型；测量得到不同校准件的S参数；根据不同校准件的S参数，计算不同校准件的导纳；根据不同校准件对应的在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式；根据不同校准件的导纳以及对应的导纳公式，计算不同在片校准件模型中表征不同校准件串扰的参数。本实施例提供的不同在片校准件模型解决了在太赫兹频段标准件电路模型不完善带来的校准及测量误差，可以提高太赫兹频段在片S参数测试准确度；另外给出了不同在片校准件模型中参数的计算方法。
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公开(公告)号：CN111142057B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201911302541.9
申请日：2019-12-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明适用于半导体器件技术领域，提供了一种太赫兹频段在片S参数的校准方法及终端设备，包括：获取对太赫兹频段的系统进行初步校准后得到的8项误差模型；基于8项误差模型，获取基于第一校准件的第一S参数，并根据第一S参数确定第一数学模型，第一数学模型包含探针之间的并联串扰项；获取基于第二校准件的第二S参数，并根据第二S参数确定第二数学模型，第二数学模型包含探针之间的串联串扰项；获取基于被测件的第三S参数，并根据第三S参数确定第三数学模型；基于第一数学模型、第二数学模型和第三数学模型求解得到被测件的Z参数，并根据被测件的Z参数得到被测件的S参数。本发明能实现太赫兹频段在片S参数的准确测试。
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公开(公告)号：CN111579869A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010317892.3
申请日：2020-04-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明适用于微波/毫米波测试技术领域，提供了一种互易二端口网络S参数测量方法、装置及终端设备，该方法包括：将矢量网络分析仪与待测互易二端口网络连接前，进行第一次单端口校准，获得对应的第一次单端口校准误差项；将矢量网络分析仪与待测互易二端口网络连接后，进行第二次单端口校准，获得对应的第二次单端口校准误差项；根据第一次单端口校准误差项和第二次单端口校准误差项，获得待测互易二端口网络的S参数。本发明适用于大多数无源二端口网络，操作简单，校准准确度高，能够实现微波/毫米波测量系统中不同端口类型、超长或不同方向的二端口网络的S参数的精确校准和测量。
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公开(公告)号：CN110286345B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201910429556.5
申请日：2019-05-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供了矢量网络分析仪在片S参数的校准方法、系统及设备，方法包括：获取矢量网络分析仪测量的第一串扰校准件的第一参数；基于第一串扰校准件的第一参数和第一串扰校准件的标定参数获得主串扰误差项；获取矢量网络分析仪基于主串扰误差项测量的第二串扰校准件的第二参数；基于第二串扰校准件的第二参数和所述第二串扰校准件的标定参数获得次串扰误差项，主串扰误差项和次串扰误差项用于校准矢量网络分析仪。通过主串扰误差项，在矢量网络分析仪测量被测件的在片S参数时进行修正，解决了测量时探针与探针之间的主要串扰误差，通过次串扰误差项，解决了主串扰误差项修正不完善引起的剩余误差，提高了在片S参数校准的准确度。
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公开(公告)号：CN111142057A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911302541.9
申请日：2019-12-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明适用于半导体器件技术领域，提供了一种太赫兹频段在片S参数的校准方法及终端设备，包括：获取对太赫兹频段的系统进行初步校准后得到的8项误差模型；基于8项误差模型，获取基于第一校准件的第一S参数，并根据第一S参数确定第一数学模型，第一数学模型包含探针之间的并联串扰项；获取基于第二校准件的第二S参数，并根据第二S参数确定第二数学模型，第二数学模型包含探针之间的串联串扰项；获取基于被测件的第三S参数，并根据第三S参数确定第三数学模型；基于第一数学模型、第二数学模型和第三数学模型求解得到被测件的Z参数，并根据被测件的Z参数得到被测件的S参数。本发明能实现太赫兹频段在片S参数的准确测试。
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