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公开(公告)号：CN104072135A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410057519.3
申请日：2014-02-19
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/493 , C04B35/491 , C04B35/622 , H01B3/12 , H01G4/12 , H01G4/33 , C30B29/32
CPC classification number: B05D3/0254 , B05D1/38 , C23C14/088 , C23C14/5806 , C23C18/1216 , C23C18/1225 , C23C18/1241 , C23C18/1254 , H01L21/02197 , H01L21/022 , H01L21/02282 , H01L21/02304 , H01L28/56 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供一种PNbZT铁电薄膜的制造方法和复合电子部件。该方法中，将用于形成不含Nb的PZT铁电薄膜的组合物涂布在形成于基板（10）的下部电极（11）上，预烧结后，进行烧成来使其结晶化，从而形成厚度45～90nm的结晶化促进层（12），在上述形成的结晶化促进层（12）上涂布用于形成PNbZT铁电薄膜的组合物来形成PNbZT的涂膜（13a），对该涂膜（13a）进行预烧结后，进行烧成来使其结晶化，从而在上述下部电极（11）上形成PNbZT铁电薄膜，其中，在所述PNbZT铁电薄膜中，与组合物中所含的钙钛矿B位原子即Zr及Ti的总计100原子%中含有4～10原子%的Nb。
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公开(公告)号：CN103360065A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310098827.6
申请日：2013-03-26
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/491 , C04B35/622
CPC classification number: H01L41/1876 , H01G4/018 , H01G4/1245 , H01L28/56 , H01L29/78391 , H01L37/025 , H01L41/0815 , H01L41/318 , H01L41/319 , H03H9/02031 , Y10T428/24975 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供一种PZT系铁电薄膜及其制造方法，该PZT系铁电薄膜具备与以往的铁电薄膜同等的介电特性的同时具备更高寿命可靠性。本发明的PZT系铁电薄膜，其形成于具有结晶面沿（111）轴向取向的下部电极的基板的下部电极上，其中，铁电薄膜具备：取向控制层，形成于下部电极上且择优晶体取向被控制在（111）面，层厚在45nm～270nm的范围内；及膜厚调整层，形成于取向控制层上且具有与取向控制层的晶体取向相同的晶体取向；在取向控制层与膜厚调整层之间形成界面。
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公开(公告)号：CN103360064A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310068790.2
申请日：2013-03-05
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/624
CPC classification number: H01L21/02104 , B05B5/1608 , B05B5/1675 , B05D1/06 , B05D3/007 , C23C18/1216 , C23C18/1245 , C23C18/1254 , C23C18/127 , C23C18/1279 , C23C18/1283 , H01L41/314 , H01L41/318
Abstract: 本发明提供铁电薄膜的制造方法和静电喷涂用液。在烧成通过静电喷涂吐出、形成的薄膜之后，得到致密且无龟裂的铁电薄膜。该方法为，从毛细管的吐出口朝向具有下部电极的基板的下部电极静电喷涂铁电薄膜形成用的静电喷涂用液而将静电喷涂用液涂布到下部电极上来形成涂膜，对该涂膜进行干燥、临时烧结之后进行烧成来使其结晶化，从而在下部电极上制造铁电薄膜。将静电喷涂用液设为均匀混合铁电薄膜形成用溶胶-凝胶液和具有与该溶胶-凝胶液的固体物相同组成且具有可从吐出口吐出的粒径的粉末的混合液，且将溶解于溶胶-凝胶液中的金属化合物换算成金属氧化物的质量设为A，将粉末的质量设为B时，将B相对于(A+B)的比率设为5%以上40%以下的范围。
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公开(公告)号：CN103360043A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310088038.4
申请日：2013-03-19
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
CPC classification number: H01F41/22 , C23C18/1208 , C23C18/1254 , C23C18/1283 , H01F10/20 , H01F41/24
Abstract: 本发明提供一种能够使用溶胶-凝胶法不会产生龟裂地制作膜厚为1μm以上的厚膜的铁氧体薄膜的形成方法。本发明通过如下形成铁氧体薄膜的方法，即进行一次或多次将铁氧体薄膜形成用组合物涂布于耐热性基板上来形成涂布膜的工序及临时烧结上述涂布膜的工序，以使临时烧结后的上述基板上的膜厚成为所希望的厚度，并对形成于上述基板上的临时烧结膜进行烧成，所述形成方法的特征在于，对形成于上述基板上的临时烧结膜进行烧成的条件如下，即在大气、氧气或惰性气体气氛下，升温速度为1～50℃/分钟，保持温度为500～800℃，保持时间为30～120分钟。
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公开(公告)号：CN103359786A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310085420.X
申请日：2013-03-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C01G25/00 , C04B35/622 , C04B35/491
CPC classification number: H01L41/0805 , H01G4/1245 , H01G4/306 , H01G4/33 , H01L41/0815 , H01L41/1876 , H01L41/29 , H01L41/318 , Y10T29/42
Abstract: 本发明提供一种PZT系铁电薄膜及其制造方法，该PZT系铁电薄膜具备与以往的铁电薄膜同等的介电特性的同时具备更高的寿命可靠性。本发明的PZT系铁电薄膜，其形成于具有结晶面沿（111）轴向取向的下部电极的基板的下部电极上，其中，PZT铁电薄膜具备：取向控制层，形成于下部电极上且择优晶体取向被控制在（100）面，层厚在45nm～150nm的范围内；及膜厚调整层，形成于取向控制层上且具有与取向控制层的晶体取向相同的晶体取向；在取向控制层与膜厚调整层之间形成界面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103198923A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210001807.8
申请日：2012-01-05
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的薄膜电容器的制造方法，抑制薄膜电容器中成为各种特性下降的原因的小丘，并制造泄漏电流特性及绝缘耐压特性优异的薄膜电容器。本发明的薄膜电容器的制造方法中，形成下部电极之后，不进行高于300℃的温度的退火处理而将薄膜形成前躯体溶液涂布于下部电极上，以室温～450℃范围内的预定温度进行干燥，以高于干燥温度的450～800℃范围内的预定温度进行烧成，从涂布至烧成的工序中，进行1次或2次以上从涂布至烧成的工序，或者进行2次以上从涂布至干燥的工序之后，进行1次烧成，初次烧成后形成的介电薄膜的厚度设为20～600nm。优选下部电极的厚度与初次烧成后形成的介电薄膜的厚度之比(下部电极的厚度/介电薄膜的厚度)设为0.10～15.0的范围。
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公开(公告)号：CN103177797A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210552098.2
申请日：2012-12-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 意法半导体公司
Abstract: 本发明提供了一种混合的复合金属氧化物形式的用于形成薄膜的液体组合物，其中，所述复合金属氧化物由包含铜(Cu)的复合氧化物B和包含锰(Mn)的复合氧化物C混合到由通式Ba1-xSrxTiyO3表示的复合金属氧化物A中而形成，其中，复合氧化物B与复合金属氧化物A的摩尔比B/A在0.002＜B/A＜0.05的范围内，且复合氧化物C与复合金属氧化物A的摩尔比C/A在0.002＜C/A＜0.03的范围内。
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公开(公告)号：CN102965629A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210270076.7
申请日：2012-07-31
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , C23C14/08 , C04B35/453 , C04B35/14
Abstract: 本发明提供一种适于形成透明性及气体遮断性优异的薄膜的溅射靶及其制造方法、利用该靶得到的薄膜、具备该薄膜的薄膜片以及层叠片。本发明的溅射靶，其特征在于，由将氧化锌（ZnO）和二氧化硅（SiO2）作为主要成分的烧结体构成，烧结体的相对密度为95%以上，氧化锌（ZnO）与二氧化硅（SiO2）的摩尔比为40：60～95：5。
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公开(公告)号：CN102965628A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210269939.9
申请日：2012-07-31
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , B32B9/04 , C04B35/453
Abstract: 本发明提供一种适于形成透明性及气体遮断性优异的薄膜的溅射靶及其制造方法、利用该靶得到的薄膜、具备该薄膜的薄膜片以及层叠片。本发明的溅射靶，其特征在于，由将氧化锌（ZnO）和二氧化锡（SnO2）作为主要成分的烧结体构成，烧结体的相对密度为95%以上，氧化锌（ZnO）与二氧化锡（SnO2）的摩尔比为15：85～90：10。
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公开(公告)号：CN102628155A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210008345.2
申请日：2012-01-12
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种透明性及气体遮断性优异的薄膜的制造方法、适合形成该薄膜的共蒸镀用蒸镀材、通过该方法得到的薄膜、具备该薄膜的薄膜片及层叠片。本发明的薄膜的制造方法，其特征在于，使用由第1氧化物构成的升华性蒸镀材和由与该第1氧化物不同种类的第2氧化物构成的升华性蒸镀材，利用通过真空成膜法同时蒸镀的共蒸镀法，在基材上形成由第1氧化物和第2氧化物构成的氧化物薄膜。
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