-
公开(公告)号：CN101051190A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710089842.9
申请日：2007-04-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/422
Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂PR剥离装置，其可以再循环光致抗蚀剂剥离剂且在过滤器操作期间实现连续的过滤动作。该PR剥离装置包括：PR剥离槽，用于接收具有PR图案的基板且用于该PR图案的剥离；PR剥离剂回收管，用于接收来自PR剥离槽的PR剥离剂；两个或更多过滤器单元，用于过滤通过PR剥离剂回收管返回的PR剥离剂；以及PR剥离剂供给管，用于向PR剥离槽供给过滤的PR剥离剂。所述两个或更多过滤器单元彼此并联连接在PR剥离剂回收管和PR剥离剂供给管之间。
-
公开(公告)号：CN101000800A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200610125691.3
申请日：2006-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B9/1454 , B82Y10/00
Abstract: 本发明提供了一种XY平台模块、包括其的存储系统和制造所述XY平台模块的方法。XY平台模块包括：底板；XY平台，在所述底板上方沿第一方向和垂直所述第一方向的第二方向水平地移动；支撑单元，设置在所述底板上以弹性地支撑所述XY平台；加强构件，用于防止所述XY平台旋转；和位置传感器，具有设置在所述加强构件的一边并具有至少一个可移动梳的可移动梳状结构，和固定在所述底板上并具有至少一个与所述可移动梳啮合并分开预定间隔的固定梳的固定梳状结构，用于根据所述可移动梳和固定梳的啮合度测量所述XY平台在所述第一方向和第二方向的移动。
-
公开(公告)号：CN101000782A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200610142805.5
申请日：2006-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B9/02 , G01Q80/00 , G11B9/1409
Abstract: 本发明公开了一种半导体探针的信息再现设备和方法。所述设备包括：半导体探针，包括半导体尖端，所述半导体尖端包括随着由信息记录介质产生的电场而变化的沟道；调制器，将高频调制信号施加到所述半导体探针以形成调制电场，从而调制由所述电场产生的信息信号；信号探测器，探测由所述半导体探针产生的信号；和解调器，从所述信号探测器探测的信号提取由所述调制电场调制的信息信号。
-
公开(公告)号：CN1988018A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610121480.2
申请日：2006-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H02K41/0354 , B81B3/0062 , B81B2201/038 , B81B2201/11 , B81B2203/051 , B82Y10/00 , G11B9/1436 , H02K2201/18
Abstract: 本发明公开了一种包括介质平台的微致动器的制造方法，所述介质平台具有介质承载平台和用于驱动所述介质平台的线圈，所述线圈形成于所述介质平台与所述介质承载表面相对的表面上，所述方法包括：在第一基底的第一表面上形成凹槽；在第二基底的第一表面上形成线圈；接合所述第一基底的第一表面和所述第二基底的第一表面；在所述第二基底的第二表面上形成所述介质承载表面，所述介质承载表面与所述第二基底的第一表面相对。
-
公开(公告)号：CN1949039A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610149606.7
申请日：2006-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/133 , G02F1/136 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/13439 , G02F1/133555 , G02F1/136227
Abstract: 本发明提供了一种用于显示面板的阵列基板，其包括：底部基板、信号施加模块、第一电极、第二电极、以及保护层。信号施加模块设置在底部基板上，并包括用于输出数据信号的输出端。第一电极设置在底部基板上并电连接至输出端。第二电极包含银(Ag)，其设置在第一电极上并与第一电极电连接。保护层设置在第二电极上，以覆盖第二电极的至少一部分。因此，可改善第二电极对下层的附着力，并防止第二电极变黄。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1805166A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510135660.1
申请日：2005-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种MLD(磁逻辑装置)以及制造和操作该磁逻辑装置的方法。所述MLD包括：第一互连部分；下磁层，形成在所述第一互连部分上，所述下磁层的磁方向被固定为预定方向；非磁层，形成在所述下磁层上；上磁层，形成在所述非磁层上，所述上磁层的磁方向与所述下磁层的磁方向平行或反向平行；第二互连部分，形成在所述上磁层上。第一电流源置于第一互连部分的一端和第二互连部分的一端之间，第二电流源置于第一互连部分的另一端和第二互连部分的另一端之间。
-
公开(公告)号：CN1790750A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510124866.4
申请日：2005-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/66765 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/458
Abstract: 公开了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括在基板上的栅电极，在所述基板上的栅极绝缘层，沟道图案，源电极和漏电极。所述沟道图案包括：形成在所述栅电极上并覆盖所述栅电极的半导体图案；以及形成在所述半导体图案上并彼此隔开的第一和第二导电粘合图案。所述源电极包括顺序形成在所述第一导电粘合图案上的第一阻挡图案、源极图案和第一覆盖图案。所述漏电极包括顺序形成在所述第二导电粘合图案上的第二阻挡图案、漏极图案和第二覆盖图案。所述第一和第二导电粘合图案的蚀刻部分具有基本竖直的轮廓从而防止了源电极和漏电极的暴露，由此改善了薄膜晶体管的特性。
-
公开(公告)号：CN1769528A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510117515.0
申请日：2005-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/32134 , C23F1/20 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供了一种用于制造薄膜晶体管(TFT)阵列面板的方法，包括：在绝缘基片上形成具有栅电极的栅极线；在栅极线上顺序沉积栅极绝缘层及半导体层；在栅极绝缘层及半导体层上形成漏电极和具有源电极的数据线；并形成连接至漏电极的像素电极。这些元件可以使用含有65wt％至75wt％的磷酸、0.5wt％至15wt％的硝酸、2wt％至15wt％的醋酸、0.1wt％至8.0wt％的钾化合物、以及去离子水的蚀刻剂通过光蚀刻形成。TFT阵列面板的各个元件可以在类似的条件下形成有本发明的蚀刻剂的图样，这简化了制造工艺并节约了成本，并使得TFT元件具有良好的剖面。
-
公开(公告)号：CN1765011A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200380110246.4
申请日：2003-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01Q60/30 , G01Q80/00 , G11B9/1409
Abstract: 提供了一种制造具有电阻尖端的半导体探针的方法。该方法包括：在掺杂第一杂质的基板上形成掩模层以及在未被掩模层覆盖的基板上形成用第二杂质重度掺杂的第一和第二半导体电极区，退火第一和第二半导体电极区，将第一和第二半导体电极区的第二参杂剂扩散到彼此面对的部分以在第一和第二半导体电极区的外边界形成用第二杂质轻度掺杂的电阻区，以预定的形状构图掩模层并蚀刻未被构图后的掩模层覆盖的基板的部分顶部表面来形成电阻尖端。
-
公开(公告)号：CN1755839A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200510092308.4
申请日：2005-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种制造具有电阻尖端的半导体探针的方法。该方法包括：在硅基板上形成具有矩形形状的第一和第二掩模膜；第一次蚀刻硅基板的上表面；通过蚀刻第一掩模膜形成相应于尖端颈部宽度的第三掩模膜；通过利用第三掩模膜作为掩模第二次蚀刻硅基板形成尖端颈部的宽度到预定的宽度；且在去除第三掩模膜之后通过退火硅基板形成峰形成部分。可以制造具有均匀高度和尖端颈部具有均匀宽度的半导体探针。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
103
records
(took 0.039 seconds)
