公开(公告)号：CN118946239A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410853060.1

申请日：2024-06-28

申请人： 泉州市三安集成电路有限公司

发明人： 林彦甫 ,  孙天一 ,  林晓强

IPC分类号： H10N30/08 ,  H10N30/086 ,  H10N30/01 ,  H10N30/00 ,  H03H3/02

摘要： 本发明公开了一种压电基板制造方法、复合基板及弹性波装置，该方法包括：根据目标注入深度在压电基板的主表面进行离子注入，并在压电基板中形成缺陷层；目标注入深度为压电基板的当前厚度与压电基板的目标厚度的差值；根据预设的剥离厚度，从压电基板的主表面侧，对所述压电基板进行剥离处理；对剥离处理后的压电基板进行抛光处理，去除缺陷层，得到目标压电基板，解决了传统技术中在控制压电基板厚度的同时，无法保证压电基板主表面的厚度均匀性问题，提高了压电基板的可靠性和有效性。

公开(公告)号：CN117460388B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202311786539.X

申请日：2023-12-25

申请人： 天通瑞宏科技有限公司

发明人： 沈君尧 ,  姚文峰 ,  许佳辉

IPC分类号： H10N30/086 ,  H10N30/072 ,  H10N30/00

摘要： 本发明提供一种复合衬底及其制备方法，所述制备方法包括：将第一晶圆和第二晶圆进行第一键合，对所述第二晶圆进行第一减薄处理得到复合晶圆；所述复合晶圆的第二晶圆一侧与压电晶圆进行第二键合，对所述压电晶圆进行第二减薄处理得到所述复合衬底。所述复合衬底的制备方法和复合衬底可最多实现三层单晶层，利用对每层材料的各向异性调控，可实现更丰富更精准的性能调控，从而解决现有复合衬底中无法解决的问题，实现器件性能的进一步提升。

公开(公告)号：CN117510200A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311486029.0

申请日：2023-11-09

申请人： 苏州思萃电子功能材料技术研究所有限公司

发明人： 严永科 ,  王奕轲 ,  徐卓 ,  栾鹏 ,  王三红 ,  郑曙光 ,  杜红亮

IPC分类号： C04B35/475 ,  H10N30/097 ,  H10N30/08 ,  H10N30/086 ,  H10N30/088 ,  H10N30/045 ,  H10N30/053 ,  H10N30/853 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B41/88

摘要： 本发明公开了一种超高温织构压电陶瓷制备方法，涉及压电陶瓷技术领域，具体包括以下步骤：通过使用反应模板晶生长法(RTGG)对CBT模板定向，使材料均沿同一取向生长，成功获得具有高取向性，高致密度，且沿特定方向压电性能大幅提高的织构CBT压电陶瓷。兼顾材料的高居里温度与高压电性能。本发明制备的压电陶瓷同时实现了优异居里温度及较高压电常数，并且所制备样品在200‑450oC温度范围内具有较小的介电损耗；此外，所制备的陶瓷样品具有较大的d33，同时温度稳定性也较为优异。织构化在不影响材料d33的同时选取了材料高性能的取向，压电常数d33可达25pC/N，TC可达790oC；可满足用于超深井探测压电换能器以及航天发动机震动感受器对压电材料的使用温度要求。

公开(公告)号：CN117500360A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202311624182.5

申请日：2023-11-30

申请人： 西安交通大学

发明人： 宁俐 ,  李飞 ,  杜红亮 ,  徐卓 ,  王超 ,  贾楠香 ,  马志强 ,  党毓杰

IPC分类号： H10N30/85 ,  H10N30/853 ,  H10N30/088 ,  H10N30/086 ,  H10N30/084 ,  G01H11/08

摘要： 一种高体积分数、高厚度、大面积曲面压电陶瓷复合材料、制备及应用，包括1‑3型和2‑2型曲面压电复合材料；1‑3型曲面压电复合材料结构为曲面分布的压电陶瓷柱排列于三维联通的环氧树脂胶体中；2‑2型曲面压电复合材料结构为曲面分布的压电陶瓷板与环氧树脂胶体间隔排列，形成层叠结构；制备通过仿真得出所需复合材料的厚度，先对极化方向的一面切割一定厚度，填充柔性聚合物后再切割另一面，使其形状灵活，放入目标形状模具后灌环氧树脂，初次固化定型后剥落柔性聚合物，再次灌入环氧树脂，固化后打磨多余树脂；应用制作宽带多波束换能器、水声换能器，或高声源级和高功率传感器；本发明曲面压电陶瓷复合材料结构稳定不易发生变形，性能一致性好。

公开(公告)号：CN116721966B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202311007183.5

申请日：2023-08-11

申请人： 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司 ,  青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司

发明人： 高文琳 ,  郭超 ,  母凤文

IPC分类号： H01L21/762 ,  H10N30/08 ,  H10N30/082 ,  H10N30/086 ,  H03H3/08

摘要： 本发明提供一种改善压电薄膜厚度均匀性的方法及压电衬底与应用，所述方法包括：（1）在硅衬底的抛光表面生长二氧化硅层，得到第一衬底；（2）在单晶衬底的表面进行离子注入，得到含有缺陷层的第二衬底；（3）将第一衬底与第二衬底进行异质键合，得到复合衬底；（4）复合衬底经过高温处理及静置后沿着缺陷层裂开，得到压电衬底半成品；（5）将压电衬底半成品依次进行化学机械抛光和离子束蚀刻，得到压电衬底；所述压电衬底中压电薄膜的表面粗糙度≤0.2nm，厚度≤10A。本发明提供的方法改善了压电薄膜的厚度均匀性，降低了压电薄膜的表面粗糙度，保证了光刻影像传递的精确度和分辨率，同时简化了工艺流程，有利于大规模推广应用。

公开(公告)号：CN118870956A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410738484.3

申请日：2024-06-07

申请人： 上海宝信软件股份有限公司

发明人： 李瑞忠 ,  陶海燕 ,  陈志宏 ,  沈晓栋 ,  蔡英明 ,  陈晓文 ,  董波 ,  宋洪柱 ,  卓鹏启 ,  石宵成

IPC分类号： H10N30/092 ,  H10N30/082 ,  H10N30/086 ,  H10N30/085 ,  H10N30/08 ,  H10N30/85

摘要： 本发明提供了一种复合压电陶瓷晶片及其制造方法。该方法是一种平面图案可以任意设计和制造的复合压电陶瓷晶片。制造过程中采用可以进行任意图案加工的激光雕刻设备、机械雕刻设备、化学蚀刻设备等，可以任意控制各个位置的加工深度。这种新型的复合压电陶瓷晶片可以利用发射声波的自我干涉，参考DOE(Diffractive Optical Elements)设计技术，形成各种定制的声场空间分布。为新一代超声换能器的设计和制造提供了阶跃式的制造技术基础。

公开(公告)号：CN117915752A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311832357.1

申请日：2023-12-27

申请人： 上海新硅聚合半导体有限公司

发明人： 欧欣 ,  柯新建 ,  黄凯

IPC分类号： H10N30/85 ,  H10N30/072 ,  H10N30/086 ,  H10N30/092

摘要： 本发明公开了一种目标复合薄膜及其制备方法，所述目标复合薄膜从下到上依次包括目标衬底、介质层以及压电薄膜层，所述压电薄膜层的直径小于等于所述介质层的直径，所述介质层的直径小于等于所述目标衬底的直径，所述压电薄膜层的直径与所述目标衬底的直径差值为0.5mm–4.5mm，所述介质层的直径与所述压电薄膜层或所述目标衬底中的至少一个的直径相同，且所述压电薄膜层的主面晶向与压电晶圆的主面晶向一致；所述压电晶圆为用于制备所述压电薄膜层的衬底。本发明解决了压电晶圆由于热失配应力过大导致的键合情况不稳定、键合结构易碎裂的问题，优化晶圆形貌与顶层薄膜厚度均匀性。

公开(公告)号：CN116721966A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202311007183.5

申请日：2023-08-11

申请人： 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司 ,  青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司

发明人： 高文琳 ,  郭超 ,  母凤文

IPC分类号： H01L21/762 ,  H10N30/08 ,  H10N30/082 ,  H10N30/086 ,  H03H3/08

摘要： 本发明提供一种改善压电薄膜厚度均匀性的方法及压电衬底与应用，所述方法包括：（1）在硅衬底的抛光表面生长二氧化硅层，得到第一衬底；（2）在单晶衬底的表面进行离子注入，得到含有缺陷层的第二衬底；（3）将第一衬底与第二衬底进行异质键合，得到复合衬底；（4）复合衬底经过高温处理及静置后沿着缺陷层裂开，得到压电衬底半成品；（5）将压电衬底半成品依次进行化学机械抛光和离子束蚀刻，得到压电衬底；所述压电衬底中压电薄膜的表面粗糙度≤0.2nm，厚度≤10A。本发明提供的方法改善了压电薄膜的厚度均匀性，降低了压电薄膜的表面粗糙度，保证了光刻影像传递的精确度和分辨率，同时简化了工艺流程，有利于大规模推广应用。

公开(公告)号：CN111492577B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN201880052320.8

申请日：2018-11-12

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 堀裕二 ,  山寺乔纮 ,  高垣达朗

IPC分类号： H03H9/25 ,  B32B9/00 ,  C30B29/30 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02 ,  H10N30/88 ,  H10N30/20 ,  H10N30/853 ,  H10N30/07 ,  H10N30/086 ,  H03H3/08

摘要： 在将由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂‑钽酸锂组成的组中的材质形成的压电性材料基板与设置有氧化硅层的支撑基板接合时，抑制接合体的特性劣化。接合体(7、7A)具备：支撑基板(4)；氧化硅层(5)，其设置于支撑基板(4)上；以及压电性材料基板(1、1A)，其设置于氧化硅层(5)上、并由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂‑钽酸锂组成的组中的材质形成。压电性材料基板(1、1A)与氧化硅层(5)的界面(A)处的氮浓度高于氧化硅层(5)与所述支撑基板(1)的界面处的氮浓度。

公开(公告)号：CN117394815A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311327547.8

申请日：2023-10-13

申请人： 杭州电子科技大学

发明人： 轩伟鹏 ,  张志恒 ,  蒋泓 ,  董树荣 ,  金浩 ,  骆季奎 ,  李文钧 ,  孙玲玲

IPC分类号： H03H9/02 ,  H03H9/13 ,  H03H3/02 ,  H10N30/082 ,  H10N30/081 ,  H10N30/086

摘要： 本发明公开了一种具有优化布拉格结构的体声波谐振器及其制备方法；该体声波谐振器，包括依次层叠设置的衬底、布拉格反射栅、底电极、压电层和顶电极。所述的布拉格反射栅包括依次交替层叠设置的多个高声阻抗层和多个低声阻抗层；底电极与低声阻抗层接触。低声阻抗层的底面设置有凸台；低声阻抗层上的凸台嵌入相邻的高声阻抗层或衬底的凹槽结构中。本发明在布拉格反射栅的低声阻抗层和多层高声阻抗层上形成凹凸嵌合结构，使得低声阻抗层和高声阻抗层在谐振器有源区内的厚度与无源区(即有源区以外的区域)的厚度不同，能够有效抑制能量由布拉格反射栅向衬底泄露的现象，从而显著提升具有布拉格反射栅结构体声波谐振器的品质因数。