公开(公告)号：CN119567091A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411754250.4

申请日：2024-12-02

Applicant: 上海超硅半导体股份有限公司 ,  重庆超硅半导体有限公司

Inventor： 刘浦锋 ,  陈猛

IPC: B24B37/32 ,  B24B37/10 ,  B24B1/00

Abstract: 本发明提供一种研磨用保持环以及研磨晶圆的方法。所述研磨用保持环环绕并紧固待研磨晶圆设置，所述保持环采用耐磨材料，且在一侧或两侧的表面呈现周期性起伏状，起伏的周期与所述待研磨晶圆的晶相的分布周期一致。本发明所述保持环在朝向研磨垫一侧的表面呈现周期性起伏状，起伏的周期与所述待研磨晶圆的晶相的分布周期一致。由于保持环厚度的修正作用，能够补偿晶相问题带来的厚度偏差，在全局范围内获得更为平坦化的表面。

公开(公告)号：CN114714245B

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202210371826.3

申请日：2017-04-06

Applicant: 贰陆特拉华股份有限公司

Inventor： 普拉桑特·G·卡兰迪卡 ,  迈克尔·K·阿格哈亚尼安 ,  爱德华·格莱特利克斯 ,  布赖恩·J·蒙蒂

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/32 ,  B24B53/017 ,  B24B53/12 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明涉及一种化学‑机械平面化垫调节器。化学‑机械平面化垫调节器包括制品，该制品具有配置成用于在调节化学‑机械平面化垫期间接触化学‑机械平面化垫的接触表面；制品包括基质，基质具有遍及基质的体积分布的多个金刚石颗粒，其中基质包括碳化硅，在接触表面处的基质相对于金刚石颗粒是凹陷的使得一些金刚石颗粒从基质部分地突出，并且其中基质包含不超过10体积百分比的原位形成的碳化硅。

公开(公告)号：CN117083150B

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202280021212.0

申请日：2022-03-14

Applicant: 超微细技研有限公司

Inventor： 小村明夫 ,  桑野贵史 ,  冨泽肇

IPC: B24B37/30 ,  H01L21/304 ,  B24B37/32 ,  B24B37/005

Abstract: 提供一种能够防止基板的被抛光表面的部分抛光不足或过度抛光等抛光不均的发生，实现基板表面的ESFQR等的进一步提高，进行高质量和稳定的多次抛光处理的抛光头和抛光处理装置。所述抛光头包括：头壳体，具有从筒状体的周面上方位置向外部延伸的第一锷部和从该周面下方位置向外部延伸的第二锷部；膜支撑环，其围绕第二锷部的外围的尺寸，其上端部形成有位于第一第二锷部之间的第三锷部；膜，覆盖于该膜支撑环的下端侧开口部，通过贴附于其表面侧的背膜保持晶圆；保持环，其围绕所述基板的外围形状；驱动机构，整体水平旋转头壳体和膜支撑环以及保持环。

公开(公告)号：CN118809437A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410886010.3

申请日：2021-06-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·M·苏尼卡 ,  J·古鲁萨米 ,  A·J·纳耿加斯特 ,  V·佳尔布特

IPC: B24B37/30 ,  B24B37/32 ,  B24B37/005

Abstract: 一种用于研磨系统的承载头包括外壳、柔性膜、第一多个压力供应管线、第二多个压力供应管线及阀组件。柔性膜限定多个可独立加压腔室。阀组件具有多个阀，其中多个阀中的每一相应阀耦接至来自多个可独立加压腔室的相应压力腔室。每一相应阀经配置以选择性地将相应压力腔室耦接至来自一对压力供应管线的一个压力供应管线，该对压力供应管线包括来自第一多个压力供应管线的压力供应管线及来自第二多个压力供应管线的压力供应管线。

公开(公告)号：CN114633203B

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202111536628.X

申请日：2021-12-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 许昆 ,  A·锡尔迪亚

IPC: B24B37/005 ,  B24B37/015 ,  B24B49/10 ,  B24B37/34 ,  B24B37/32

Abstract: 一种化学机械抛光的方法包括：使基板的导电层与抛光垫接触；将抛光液供应到抛光垫；使基板与抛光垫之间产生相对运动；在抛光导电层时用原位电磁感应监测系统监测基板以产生取决于导电层的厚度的信号值序列；以及基于信号值序列来确定导电层的厚度值序列。确定厚度值序列包括至少部分地补偿抛光液对信号值的贡献。

公开(公告)号：CN118617303A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410970842.3

申请日：2024-07-19

Applicant: 无锡奥特维捷芯科技有限公司

Inventor： 请求不公布姓名 ,  请求不公布姓名

IPC: B24B37/32 ,  B24B37/10 ,  B24B7/22

Abstract: 本申请提供一种保持环、研磨头机构及研磨装置，该保持环至少与抛光垫接触的表面的材质与作为研磨对象的晶片的材质相同。通过至少将保持环与抛光垫接触的表面使用与作为研磨对象的晶片相同材质制作，能够消除抛光垫表面与保持环表面接触的部分和抛光垫表面与晶片表面接触的部分之间的温度差异。此外，能够将保持环的厚度控制为相对于晶片厚度的最佳值，最终提供一种能够提高晶片整体平坦度且能够抑制边缘塌边的保持环。

公开(公告)号：CN118596015A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410787083.7

申请日：2020-08-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·M·苏尼加 ,  J·古鲁萨米

IPC: B24B37/005 ,  B24B37/30 ,  B24B37/32 ,  B24B37/34

Abstract: 一种用于化学机械抛光的承载头，包括外壳，所述外壳用于附接至驱动轴；薄膜组件，所述薄膜组件在外壳下方，其中介于外壳及薄膜组件之间的空间界定可加压腔室；以及传感器，所述传感器在外壳中，配置成测量从传感器至薄膜组件的距离。

公开(公告)号：CN118559601A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410827166.4

申请日：2019-10-23

Applicant: 爱思开矽得荣株式会社

Inventor： 成在哲

IPC: B24B37/14 ,  B24B37/20 ,  B24B37/32 ,  B24D3/00 ,  B24D3/22 ,  B24D3/28

Abstract: 本发明提供一种晶片抛光头的制造方法，该方法包括以下步骤：将由多个层构成的导向环联结到基底基板的边缘；将导向环的边缘倒圆；通过涂覆在导向环的已倒圆表面上形成第一涂层；将橡胶卡盘固定在基底基板上；以及在粘合剂和粘合剂材料的外周表面上通过从橡胶卡盘到第一涂层涂覆而形成第二涂层。

公开(公告)号：CN111300258B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN201910948775.4

申请日：2019-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金仁权 ,  朴承浩 ,  裵相元 ,  李愚仁 ,  李晓山 ,  张善载

IPC: B24B37/005 ,  B24B37/04 ,  B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  B24B37/32 ,  B24B57/02

Abstract: 一种化学机械抛光(CMP)装置包括：抛光台板上的抛光垫；抛光垫上的抛光头，该抛光头具有用于将晶片保持在抛光垫上的隔膜、以及用于馈送抛光浆料的抛光浆料馈送线；以及保持环，围绕隔膜并与抛光垫接触以防止晶片脱离，该保持环包括连接到抛光浆料馈送线的抛光浆料馈送入口，以将抛光浆料馈送到抛光垫上。

公开(公告)号：CN118305726A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202310025665.7

申请日：2023-01-09

Applicant: 上海集成电路材料研究院有限公司

Inventor： 刘奕然 ,  关子钧 ,  李卫民 ,  黄嘉晔 ,  俞文杰

IPC: B24B37/32

Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨使用的保持环，包括，环形主体，所述环形主体包括顶表面和下表面，所述顶表面连接负载装置；所述下表面开有若干贯通槽，所述贯通槽指向所述环形主体内部贯通所述下表面用于抛光液出入所述环形主体，所述贯通槽总面积与所述环形主体总面积比为60％～75％，具有高研磨去除量的技术效果。