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公开(公告)号：CN1307666C
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN02802059.6
申请日：2002-04-12
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/638 , B32B18/00 , B32B2311/22 , C04B35/4682 , C04B35/49 , C04B35/63 , C04B35/634 , C04B35/63424 , C04B35/64 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3248 , C04B2235/3262 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/662 , C04B2235/79 , C04B2237/346 , C04B2237/348 , C04B2237/40 , C04B2237/405 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , H01G4/1245 , H01G4/30
Abstract: 一种制造多层陶瓷电子装置的方法，其具有用于焙烧预焙烧基体的焙烧步骤，其中，交替地布置多个绝缘层和包含贱金属的内电极层，其特征在于：焙烧步骤具有用于将温度升高到焙烧温度的温度升高步骤；以及从所述温度升高步骤时刻开始连续地导入氢气。根据该方法，可提供一种制造多层陶瓷电子装置例如多层陶瓷电容器的方法，其中，即使在绝缘层较薄且叠层较多的情况下，也不会发生形状各向异性和其它结构缺陷，提高了电性能并抑制了其性能的退化。
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公开(公告)号：CN100344578C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200410104752.9
申请日：2004-11-26
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/1218 , B32B2311/22 , C04B35/465 , C04B35/47 , C04B35/49 , C04B35/62685 , C04B35/64 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3445 , C04B2235/3454 , C04B2235/5445 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/662 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/96 , C04B2237/346 , C04B2237/348 , C04B2237/405 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供一种介电陶瓷组合物的制造方法，其中介电陶瓷组合物以特定的比例含有如下成分：含有特定组成的介电体氧化物的主成分，该主成分可以提供具有优异的低频率介电特性的、绝缘电阻的加速寿命进一步提高的耐还原性介电陶瓷组合物的制造方法，含有V氧化物的第1副成分，含有Al氧化物的第2副成分，含有Mn氧化物的第3副成分，以及含有特定的烧结助剂的第4副成分；该方法包含如下工序：将至少除去第3副成分的原料和第4副成分的原料的一种或两种的其它副成分原料的至少一部分，与为了得到主成分原料而准备的起始原料混合，准备反应前原料的工序；使准备的反应前原料反应而得到反应后原料的工序；以及在所得的反应后原料中，混合在准备反应前原料时除去的副成分原料，得到介电陶瓷组合物原料的工序。
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公开(公告)号：CN1092198A
公开(公告)日：1994-09-14
申请号：CN94101600.5
申请日：1994-01-21
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/4682
Abstract: 本发明的非还原性介电陶瓷组合物含有：86.32—97.64molBaTiO3。0.01—10.00mol Y2O3，0.01—10.00mol MgO，和0.001—0.200mol V2O5。其中也可以加入含0.01—1.0mol％MnO、Cr2O3和Co2O3中至少一种或多种物质的添加剂以及含0.5—10.0mol％{BaA，Ca(1—A)}SiO3(0≤A≤1)的添加剂。
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公开(公告)号：CN1463453A
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN02802059.6
申请日：2002-04-12
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/12
CPC classification number: C04B35/638 , B32B18/00 , B32B2311/22 , C04B35/4682 , C04B35/49 , C04B35/63 , C04B35/634 , C04B35/63424 , C04B35/64 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3248 , C04B2235/3262 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/662 , C04B2235/79 , C04B2237/346 , C04B2237/348 , C04B2237/40 , C04B2237/405 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , H01G4/1245 , H01G4/30
Abstract: 一种制造多层陶瓷电子装置的方法，其具有用于焙烧预焙烧基体的焙烧步骤，其中，交替地布置多个绝缘层和包含贱金属的内电极层，其特征在于：焙烧步骤具有用于将温度升高到焙烧温度的温度升高步骤；以及从所述温度升高步骤时刻开始连续地导入氢气。根据该方法，可提供一种制造多层陶瓷电子装置例如多层陶瓷电容器的方法，其中，即使在绝缘层较薄且叠层较多的情况下，也不会发生形状各向异性和其它结构缺陷，提高了电性能并抑制了其性能的退化。
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公开(公告)号：CN1019888C
公开(公告)日：1993-02-10
申请号：CN89104846.4
申请日：1989-07-12
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/4682
Abstract: 本发明涉及一种非还原性电介质陶瓷组合物，包括主成分钛酸钡，其特征在于，每100摩尔钛酸钡中还包括0.1到6摩尔的添加物BaaCa1-aSiO3(0.43≤a≤0.62)，并且还含有Sr，Mn及Nb元素中的至少一种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1041350A
公开(公告)日：1990-04-18
申请号：CN89104846.4
申请日：1989-07-12
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/4682
Abstract: 本发明涉及一种非还原性电介质陶瓷组成物，其特征在于，该组成物包括作为主成分的钛酸钡，还含有以式子BaαCa1-αSiO3(0.43≤α≤0.62)表示的，按每100摩尔钛酸钡中含0.1至6摩尔的数量添加的添加物。
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公开(公告)号：CN100371295C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200480010227.9
申请日：2004-02-17
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/465 , C04B35/49 , H01B3/12 , H01G4/12
CPC classification number: H01G4/1245 , C04B35/48 , C04B35/49 , C04B35/63 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3239 , C04B2235/3262 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/36 , C04B2235/656 , C04B2235/96 , H01B3/12 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供一种耐还原性的电介质陶瓷组合物和可信度高的多层陶瓷电容器，上述组合物相对于{(Ca/Sr/Mg/Ba)O}m(Zr/Ti)O2构成的主成分100摩尔、含有不足7摩尔的V氧化物和不足15摩尔的Al氧化物、更优选含有不足5摩尔的Mn氧化物和不足20摩尔的复合氧化物{(Ba/Ca)O}vSiO2作为副成分(其中，0.8≤m≤1.3，0.5≤v≤4.0)，由此获得优良的低频介质特性，而且进一步提高了绝缘电阻的加速寿命。
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公开(公告)号：CN1767099A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200410100538.6
申请日：2004-10-29
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供结构缺陷少、并改善了高温负荷寿命的层积陶瓷电容器等层积陶瓷电子部件的制造方法，这种层积陶瓷电子部件的制造方法的特征在于：具有烧结交互配置多个介电质层用糊剂和含贱金属内部电极层用糊剂的层积体的烧结工序、把该烧结后的层积体在600～900℃的温度T1下进行退火处理的第1退火工序、和把该第1退火后的层积体在900～1200℃(不含900℃)的温度T2下进行退火处理的第2退火工序。
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公开(公告)号：CN1607617A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN200410088052.5
申请日：2004-10-15
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G13/00 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/172 , B23K2103/52 , H01G4/30 , H05K3/0029 , H05K3/0052 , Y10T156/1052
Abstract: 本发明提供切断成本低，尺寸精度高，没有因应力分布不均而导致焙烧后的缺陷的层叠电子部件的制造方法。照射激光92到层叠基板21，将层叠基板21切断成层叠半成品芯片31。层叠半成品芯片31，被切成焙烧后尺寸为一边长为0.6mm以下，一边长为0.3mm以下的长方形。
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公开(公告)号：CN100524554C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200410100538.6
申请日：2004-10-29
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供结构缺陷少、并改善了高温负荷寿命的层积陶瓷电容器等层积陶瓷电子部件的制造方法，这种层积陶瓷电子部件的制造方法的特征在于：具有烧结交互配置多个介电质层用糊剂和含贱金属内部电极层用糊剂的层积体的烧结工序、把该烧结后的层积体在600～900℃的温度T1下进行退火处理的第1退火工序、和把该第1退火后的层积体在900～1200℃(不含900℃)的温度T2下进行退火处理的第2退火工序。
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