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公开(公告)号：CN100344578C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200410104752.9
申请日：2004-11-26
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/1218 , B32B2311/22 , C04B35/465 , C04B35/47 , C04B35/49 , C04B35/62685 , C04B35/64 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3445 , C04B2235/3454 , C04B2235/5445 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/662 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/96 , C04B2237/346 , C04B2237/348 , C04B2237/405 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供一种介电陶瓷组合物的制造方法，其中介电陶瓷组合物以特定的比例含有如下成分：含有特定组成的介电体氧化物的主成分，该主成分可以提供具有优异的低频率介电特性的、绝缘电阻的加速寿命进一步提高的耐还原性介电陶瓷组合物的制造方法，含有V氧化物的第1副成分，含有Al氧化物的第2副成分，含有Mn氧化物的第3副成分，以及含有特定的烧结助剂的第4副成分；该方法包含如下工序：将至少除去第3副成分的原料和第4副成分的原料的一种或两种的其它副成分原料的至少一部分，与为了得到主成分原料而准备的起始原料混合，准备反应前原料的工序；使准备的反应前原料反应而得到反应后原料的工序；以及在所得的反应后原料中，混合在准备反应前原料时除去的副成分原料，得到介电陶瓷组合物原料的工序。
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公开(公告)号：CN1767099A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200410100538.6
申请日：2004-10-29
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供结构缺陷少、并改善了高温负荷寿命的层积陶瓷电容器等层积陶瓷电子部件的制造方法，这种层积陶瓷电子部件的制造方法的特征在于：具有烧结交互配置多个介电质层用糊剂和含贱金属内部电极层用糊剂的层积体的烧结工序、把该烧结后的层积体在600～900℃的温度T1下进行退火处理的第1退火工序、和把该第1退火后的层积体在900～1200℃(不含900℃)的温度T2下进行退火处理的第2退火工序。
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公开(公告)号：CN100524554C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200410100538.6
申请日：2004-10-29
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供结构缺陷少、并改善了高温负荷寿命的层积陶瓷电容器等层积陶瓷电子部件的制造方法，这种层积陶瓷电子部件的制造方法的特征在于：具有烧结交互配置多个介电质层用糊剂和含贱金属内部电极层用糊剂的层积体的烧结工序、把该烧结后的层积体在600～900℃的温度T1下进行退火处理的第1退火工序、和把该第1退火后的层积体在900～1200℃(不含900℃)的温度T2下进行退火处理的第2退火工序。
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公开(公告)号：CN1778766A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200410104752.9
申请日：2004-11-26
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/1218 , B32B2311/22 , C04B35/465 , C04B35/47 , C04B35/49 , C04B35/62685 , C04B35/64 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3445 , C04B2235/3454 , C04B2235/5445 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/662 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/96 , C04B2237/346 , C04B2237/348 , C04B2237/405 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供一种介电陶瓷组合物的制造方法，其中介电陶瓷组合物以特定的比例含有如下成分：含有特定组成的介电体氧化物的主成分，该主成分可以提供具有优异的低频率介电特性的、绝缘电阻的加速寿命进一步提高的耐还原性介电陶瓷组合物的制造方法，含有V氧化物的第1副成分，含有Al氧化物的第2副成分，含有Mn氧化物的第3副成分，以及含有特定的烧结助剂的第4副成分；该方法包含如下工序：将至少除去第3副成分的原料和第4副成分的原料的一种或两种的其它副成分原料的至少一部分，与为了得到主成分原料而准备的起始原料混合，准备反应前原料的工序；使准备的反应前原料反应而得到反应后原料的工序；以及在所得的反应后原料中，混合在准备反应前原料时除去的副成分原料，得到介电陶瓷组合物原料的工序。
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