公开(公告)号：CN100350300C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN03105491.9

申请日：2003-02-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大井户敦 ,  菅原保 ,  山泽和人 ,  笕真一朗 ,  嶋川和也 ,  细矢克宣

IPC: G02F1/09 ,  C30B29/28

CPC classification number: C30B19/02 ,  C30B29/28 ,  G02F1/0036 ,  G02F1/09 ,  H01F10/24 ,  H01F10/265 ,  H01F41/28

Abstract: 提出即使采用LPE法也可得到光吸收特性的劣化度低的磁性石榴石材料的手法。用Au构成用于LPE法的坩埚(10)。使用Au制的坩埚(10)制成的单晶体中所进入的Au量比使用Pt制的坩埚10制成的单晶体中所进入的Pt量少。Au与Pt比，其使插入损失劣化的程度小。

公开(公告)号：CN100399111C

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200610019815.X

申请日：2003-01-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大井户敦 ,  远池健一 ,  山泽和人 ,  笕真一朗

IPC: G02F1/09 ,  H04B10/12 ,  H04J14/02

Abstract: 本发明涉及如同光衰减器和光开关或极化波控制器等使法拉第旋转角变化，控制光的偏振面的光部件，其目的在于提供可采用小型的耗电低的磁路，而且可把法拉第转子的插入损失抑制至较低程度的光部件。按照具有由石榴石单晶形成的法拉第转子、把小于法拉第转子的饱和磁场Hs的外部磁场H施加到法拉第转子的磁路的原则构成。

公开(公告)号：CN1434327A

公开(公告)日：2003-08-06

申请号：CN03101284.1

申请日：2003-01-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大井户敦 ,  远池健一 ,  山泽和人 ,  笕真一朗

IPC: G02F1/09 ,  H04B10/12 ,  H04J14/02

CPC classification number: G02F1/09 ,  G02F1/0036

Abstract: 本发明涉及如同光衰减器和光开关或极化波控制器等使法拉第旋转角变化，控制光的极化面的光部件，其目的在于提供可采用小型的耗电低的磁路，而且可把法拉第转子的插入损失抑制至较低程度的光部件。按照具有由石榴石单晶形成的法拉第转子、把小于法拉第转子的饱和磁场Hs的外部磁场H施加到法拉第转子的磁路的原则构成。

公开(公告)号：CN119585908A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202380054959.0

申请日：2023-03-23

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大规佳太郎 ,  笕真一朗

IPC: H01M10/0569 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M10/052 ,  H01M10/054 ,  H01M10/0567 ,  H01M10/0568

Abstract: 蓄电元件包括正极、负极、隔膜以及电解质溶液。电解质溶液中的碳酸甲乙酯的含量Vemc为26.5～45.0体积％。电解质溶液中的碳酸亚乙酯的含量Vec为9.0～33.5体积％。电解质溶液中的碳酸二甲酯的含量Vdmc为29.5～41.0体积％。电解质溶液中的碳酸二乙酯的含量Vdec为0.0～0.2体积％。电解质溶液中的碳酸亚丙酯的含量Vpc为0.0～10.5体积％。电解质溶液中的氟代碳酸亚乙酯的含量Vfec为0.0体积％以上。Vemc、Vec、Vdmc、Vdec、Vpc以及Vfec的合计为97.0～100体积％。

公开(公告)号：CN1818743A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610019815.X

申请日：2003-01-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大井户敦 ,  远池健一 ,  山泽和人 ,  笕真一朗

IPC: G02F1/09 ,  H04B10/12 ,  H04J14/02

Abstract: 本发明涉及如同光衰减器和光开关或极化波控制器等使法拉第旋转角变化，控制光的偏振面的光部件，其目的在于提供可采用小型的耗电低的磁路，而且可把法拉第转子的插入损失抑制至较低程度的光部件。按照具有由石榴石单晶形成的法拉第转子、把小于法拉第转子的饱和磁场Hs的外部磁场H施加到法拉第转子的磁路的原则构成。

公开(公告)号：CN101187063B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200710154332.5

申请日：2003-02-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大井户敦 ,  菅原保 ,  山泽和人 ,  笕真一朗 ,  嶋川和也 ,  细矢克宣

IPC: C30B29/28 ,  C30B19/02 ,  C30B19/06 ,  G02F1/09

CPC classification number: C30B19/02 ,  C30B29/28 ,  G02F1/0036 ,  G02F1/09 ,  H01F10/24 ,  H01F10/265 ,  H01F41/28

Abstract: 本发明涉及用于光通信系统的磁性石榴石材料、光器件、铋置换稀土类的铁榴石单晶体膜及其制造方法以及其所使用的坩埚。

公开(公告)号：CN101187063A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710154332.5

申请日：2003-02-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大井户敦 ,  菅原保 ,  山泽和人 ,  笕真一朗 ,  川和也 ,  细矢克宣

IPC: C30B29/28 ,  C30B19/02 ,  C30B19/06 ,  G02F1/09

CPC classification number: C30B19/02 ,  C30B29/28 ,  G02F1/0036 ,  G02F1/09 ,  H01F10/24 ,  H01F10/265 ,  H01F41/28

Abstract: 本发明涉及用于光通信系统的磁性石榴石材料、光器件、铋置换稀土类的铁榴石单晶体膜及其制造方法以及其所使用的坩埚。

公开(公告)号：CN1308739C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN03101284.1

申请日：2003-01-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大井户敦 ,  远池健一 ,  山泽和人 ,  笕真一朗

IPC: G02F1/09 ,  C30B29/28 ,  H04B10/12

CPC classification number: G02F1/09 ,  G02F1/0036

Abstract: 本发明涉及如同光衰减器和光开关或极化波控制器等使法拉第旋转角变化，控制光的偏振面的光部件，其目的在于提供可采用小型的耗电低的磁路，而且可把法拉第转子的插入损失抑制至较低程度的光部件。按照具有由石榴石单晶形成的法拉第转子、把小于法拉第转子的饱和磁场Hs的外部磁场H施加到法拉第转子的磁路的原则构成。

公开(公告)号：CN1439749A

公开(公告)日：2003-09-03

申请号：CN03105491.9

申请日：2003-02-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大井户敦 ,  菅原保 ,  山泽和人 ,  笕真一朗 ,  嶋川和也 ,  细矢克宣

IPC: C30B29/28 ,  C30B19/00 ,  G02F1/09

CPC classification number: C30B19/02 ,  C30B29/28 ,  G02F1/0036 ,  G02F1/09 ,  H01F10/24 ,  H01F10/265 ,  H01F41/28

Abstract: 提出即使采用LPE法也可得到光吸收特性的劣化度低的磁性石榴石材料的手法。用Au构成用于LPE法的坩埚(10)。使用Au制的坩埚(10)制成的单晶体中所进入的Au量比使用Pt制的坩埚10制成的单晶体中所进入的Pt量少。Au与Pt比，其使插入损失劣化的程度小。