公开(公告)号：CN101542690B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200880000531.3

申请日：2008-02-20

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 安藤民智明 ,  金野智久

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明提供一种化学初械研磨用水系分散体，其pH为4～5，用于同时对由选自多晶硅膜、氮化硅膜及氧化硅膜中的2种以上形成的被研磨面进行研磨，其含有：0.1～4质量％的(A)具有10nm～100nm的平均粒径的胶态二氧化硅、以及0.1～3质量％的(B)选自磷酸二氢铵、磷酸氢二铵及硫酸氢铵中的至少一种，所述(A)成分与所述(B)成分的质量比(A)/(B)为1～3。

公开(公告)号：CN101542690A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200880000531.3

申请日：2008-02-20

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 安藤民智明 ,  金野智久

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨用水系分散体，其pH为4～5，用于同时对由选自多晶硅膜、氮化硅膜及氧化硅膜中的2种以上形成的被研磨面进行研磨，其含有：0.1～4质量％的(A)具有10nm～100nm的平均粒径的胶态二氧化硅、以及0.1～3质量％的(B)选自磷酸二氢铵、磷酸氢二铵及硫酸氢铵中的至少一种，所述(A)成分与所述(B)成分的质量比(A)/(B)为1～3。

公开(公告)号：CN100516157C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN03122045.2

申请日：2003-04-22

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 服部雅幸 ,  安藤民智明 ,  西元和男 ,  川桥信夫

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/3105

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明提供了一种化学机械研磨用水分散体，它难以腐败、几乎不引起划伤、仅产生少量凹坑、而且适合于用在半导体设备生产过程中的层间电介质的微隔离步骤或平面化步骤中。该化学机械研磨用水分散体含有处在水性介质中的二氧化铈颗粒；由具备在环上带有氮原子和硫原子的杂环结构的化合物，如异噻唑酮化合物构成的防腐剂；以及有机成分如有机磨粒，它由树脂颗粒、由具有特定分子量的水溶性聚合物或类似物构成的分散剂、表面活性剂和/或有机酸或其盐组成。以水性介质、二氧化铈颗粒、防腐剂和有机成分的总比例为100%质量计，二氧化铈颗粒、防腐剂和有机成分的含量分别为0.1-20%质量、0.001-0.2%质量和0.1-30%质量。该水分散体的pH值可以保持在中性范围内。

公开(公告)号：CN1453328A

公开(公告)日：2003-11-05

申请号：CN03122045.2

申请日：2003-04-22

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 服部雅幸 ,  安藤民智明 ,  西元和男 ,  川桥信夫

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明提供了一种化学机械研磨用水分散体，它难以腐败、几乎不引起划伤、仅产生少量凹坑、而且适合于用在半导体设备生产过程中的层间电介质的微隔离步骤或平面化步骤中。该化学机械研磨用水分散体含有处在水性介质中的二氧化铈颗粒；由具备在环上带有氮原子和硫原子的杂环结构的化合物，如异噻唑酮化合物构成的防腐剂；以及有机成分如有机磨粒，它由树脂颗粒、由具有特定分子量的水溶性聚合物或类似物构成的分散剂、表面活性剂和/或有机酸或其盐组成。以水性介质、二氧化铈颗粒、防腐剂和有机成分的总比例为100％质量计，二氧化铈颗粒、防腐剂和有机成分的含量分别为0.1－20％质量、0.001－0.2％质量和0.1－30％质量。该水分散体的pH值可以保持在中性范围内。