公开(公告)号：CN104282537B

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201410476272.9

申请日：2014-07-02

Applicant: 通用电气公司

Inventor： P·A·罗西 ,  A·V·博罗特尼科夫 ,  S·J·肯纳利

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/266 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明题为半导体器件及制造方法。提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括提供含有碳化硅的半导体层，其中该半导体层包含掺杂有第一掺杂剂类型的第一区域。该方法进一步包括使用单一注入掩模和大体近似的注入剂量向半导体层注入第二掺杂剂类型，以在半导体层内形成第二区域和结终端延伸(JTE)，其中注入剂量在从约2×1013cm‑2到约12×1013cm‑2的范围内。还提供多个半导体器件。

公开(公告)号：CN104282537A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410476272.9

申请日：2014-07-02

Applicant: 通用电气公司

Inventor： P·A·罗西 ,  A·V·博罗特尼科夫 ,  S·J·肯纳利

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/266 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明题为半导体器件及制造方法。提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括提供含有碳化硅的半导体层，其中该半导体层包含掺杂有第一掺杂剂类型的第一区域。该方法进一步包括使用单一注入掩模和大体近似的注入剂量向半导体层注入第二掺杂剂类型，以在半导体层内形成第二区域和结终端延伸(JTE)，其中注入剂量在从约2×1013cm-2到约12×1013cm-2的范围内。还提供多个半导体器件。

公开(公告)号：CN101989615A

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN201010251981.9

申请日：2010-08-02

Applicant: 通用电气公司

Inventor： P·A·罗西 ,  S·D·阿瑟 ,  D·M·布朗 ,  K·S·马托查 ,  R·R·劳

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7828 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/1608

Abstract: 提供包括碳化硅(SiC)的半导体结构(100)和器件以及用于制作其的方法。该结构(100)和器件包括基底或屏蔽层(116)、沟道(118)和表面层(120)，它们都可取地通过离子注入形成。因此，本发明提供的结构和器件是硬“常截止”器件，即，呈现大于大约3伏特的阈值电压。