公开(公告)号：CN105576041A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201511029353.5

申请日：2015-09-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A·V·博罗特尼科夫 ,  A·S·卡什亚普

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06

Abstract: 提供了瞬时电压抑制(TVS)设备(100)和构成该设备(100)的方法。TVS设备(100)包括由第一传导类型材料形成的宽带隙半导体材料的第一层(104)，在第一层(104)的至少一部分上方由第二传导类型材料形成的宽带隙半导体材料的第二层(106)，第二层包括第一掺杂剂浓度。TVS设备进一步包括在第二层(106)的至少一部分上方由第二传导类型材料形成的宽带隙半导体材料的第三层(108)，第三层包括第二掺杂剂浓度，该第二掺杂剂浓度不同于第一掺杂剂浓度。TVS设备进一步包括在第三层(108)的至少一部分上方由第一传导类型材料形成的宽带隙半导体材料的第四层(110)。

公开(公告)号：CN104282537B

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201410476272.9

申请日：2014-07-02

Applicant: 通用电气公司

Inventor： P·A·罗西 ,  A·V·博罗特尼科夫 ,  S·J·肯纳利

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/266 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明题为半导体器件及制造方法。提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括提供含有碳化硅的半导体层，其中该半导体层包含掺杂有第一掺杂剂类型的第一区域。该方法进一步包括使用单一注入掩模和大体近似的注入剂量向半导体层注入第二掺杂剂类型，以在半导体层内形成第二区域和结终端延伸(JTE)，其中注入剂量在从约2×1013cm‑2到约12×1013cm‑2的范围内。还提供多个半导体器件。

公开(公告)号：CN104282537A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410476272.9

申请日：2014-07-02

Applicant: 通用电气公司

Inventor： P·A·罗西 ,  A·V·博罗特尼科夫 ,  S·J·肯纳利

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/266 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明题为半导体器件及制造方法。提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括提供含有碳化硅的半导体层，其中该半导体层包含掺杂有第一掺杂剂类型的第一区域。该方法进一步包括使用单一注入掩模和大体近似的注入剂量向半导体层注入第二掺杂剂类型，以在半导体层内形成第二区域和结终端延伸(JTE)，其中注入剂量在从约2×1013cm-2到约12×1013cm-2的范围内。还提供多个半导体器件。