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公开(公告)号：CN106480405B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201510536089.8
申请日：2015-08-27
Applicant: 通用电气公司
Inventor： 高绪彬 , 古彦飞 , 钟大龙 , 杰姆斯·安东尼·鲁德 , 韦恩·查尔斯·哈什 , 周琰 , 曲苗 , 王丽敏 , 帕扎雅努尔·拉玛那森·萨勃拉曼尼亚
Abstract: 一种用于处理具有表面的装置的方法包括：将贵金属前驱体和磷酸铝前驱体施加于所述表面，以及，加热从而在所述表面获得含有贵金属和磷酸铝的覆层。一种相应装置包括具有含有贵金属和磷酸铝的覆层的表面。
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公开(公告)号：CN108393648A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201710069523.5
申请日：2017-02-08
Applicant: 通用电气公司
IPC: B23K37/06
CPC classification number: B23K1/0018 , B23K1/20 , B23K31/02 , B23K35/0244 , B23K35/224 , B23P6/002 , F01D5/005
Abstract: 本申请公开了一种用于在焊操作过程中防止焊料进入部件上孔内的塞堵材料，其包括：微米级金属氧化物颗粒，纳米级金属氧化物颗粒，和粘合剂。本申请还公开了一种在焊操作过程中防止焊料进入部件上孔内的方法，其包括预备呈浆状的塞堵材料，其中所述塞堵材料包括微米级金属氧化物颗粒，纳米级金属氧化物颗粒和粘合剂；将所述塞堵材料充入所述孔中；使所述孔中的所述塞堵材料干燥从而使所述孔密封；执行焊操作；在焊操作完成后去除塞堵材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104043330A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310084607.8
申请日：2013-03-15
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 本发明涉及氧化含碳物质的方法，其包括：将有效剂量的分子式为AxMyWOz的催化剂与含碳物质接触；在第一温度开始氧化含碳物质，第一温度低于含碳物质在无催化剂的情况下开始氧化的第二温度；其中A为铯和钾中的至少一种；M与A不同，且为铯、钾、镁、钙、锶、钡、铁、钴、镍、钌、铑、钯、银、锇、铱、铂、金、钇、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥和铋中的至少一种；0≤x≤1；0≤y≤1；2.2≤z≤3；当x=0，y>0；且当y=0，x>0。本发明也涉及包括分子式为AxMyWOz的催化剂的柴油颗粒捕集器和排气装置。
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公开(公告)号：CN103114335A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201110365464.9
申请日：2011-11-17
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 本发明涉及一种生产碲化镉或碲锌镉单晶体的方法，该方法包括：形成一个包括晶体生长区域和原位退火区域的整体温度场；将一个装有富碲材料和碲化镉或碲锌镉多晶材料的坩埚从所述晶体生长区域中通过，在该过程中，坩埚内的富碲材料熔化形成熔区，碲化镉或碲锌镉多晶材料逐渐溶解到所述熔区中，然后冷却析出碲化镉或碲锌镉单晶体；以及，将所述坩埚从所述原位退火区域中通过，在该过程中对所述晶体生长区域中生成的碲化镉或碲锌镉单晶体进行退火，以降低所述单晶体中的碲夹杂含量。
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公开(公告)号：CN104043330B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310084607.8
申请日：2013-03-15
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 本发明涉及氧化含碳物质的方法，其包括：将有效剂量的分子式为AxMyWOz的催化剂与含碳物质接触；在第一温度开始氧化含碳物质，第一温度低于含碳物质在无催化剂的情况下开始氧化的第二温度；其中A为铯和钾中的至少一种；M与A不同，且为铯、钾、镁、钙、锶、钡、铁、钴、镍、钌、铑、钯、银、锇、铱、铂、金、钇、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥和铋中的至少一种；0≤x≤1；0≤y≤1；2.2≤z≤3；当x=0，y>0；且当y=0，x>0。本发明也涉及包括分子式为AxMyWOz的催化剂的柴油颗粒捕集器和排气装置。
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公开(公告)号：CN103114335B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201110365464.9
申请日：2011-11-17
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 本发明涉及一种生产碲化镉或碲锌镉单晶体的方法，该方法包括：形成一个包括晶体生长区域和原位退火区域的整体温度场；将一个装有富碲材料和碲化镉或碲锌镉多晶材料的坩埚从所述晶体生长区域中通过，在该过程中，坩埚内的富碲材料熔化形成熔区，碲化镉或碲锌镉多晶材料逐渐溶解到所述熔区中，然后冷却析出碲化镉或碲锌镉单晶体；以及，将所述坩埚从所述原位退火区域中通过，在该过程中对所述晶体生长区域中生成的碲化镉或碲锌镉单晶体进行退火，以降低所述单晶体中的碲夹杂含量。
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