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公开(公告)号：CN107978684A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711005583.7
申请日：2017-10-24
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
Inventor： 朱莉恩·弗雷 , 多玛果伊·帕维奇科 , 卡斯滕·罗特 , 沃洛季米尔·森科维斯基 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 金亨宣 , 金炳求
CPC classification number: H01L51/0067 , C07D221/18 , C07D251/24 , C07D401/10 , C07D495/04 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0077 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5076 , H01L51/508 , H01L51/56 , H01L51/0062
Abstract: 本发明涉及用于有机发光二极管的电子传输层叠层。具体地，本发明涉及一种有机发光二极管(OLED)，其制造方法和包含所述OLED的装置，所述有机发光二极管(OLED)包括至少两个电子传输层的ETL叠层，其中第一电子传输层包含电荷传输化合物且第二电子传输层包含吖啶化合物和碱金属盐和/或碱金属有机络合物。
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公开(公告)号：CN107978684B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201711005583.7
申请日：2017-10-24
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司 , 三星SDI株式会社
Inventor： 朱莉恩·弗雷 , 多玛果伊·帕维奇科 , 卡斯滕·罗特 , 沃洛季米尔·森科维斯基 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 金亨宣 , 金炳求
Abstract: 本发明涉及用于有机发光二极管的电子传输层叠层。具体地，本发明涉及一种有机发光二极管(OLED)，其制造方法和包含所述OLED的装置，所述有机发光二极管(OLED)包括至少两个电子传输层的ETL叠层，其中第一电子传输层包含电荷传输化合物且第二电子传输层包含吖啶化合物和碱金属盐和/或碱金属有机络合物。
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公开(公告)号：CN108292706B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201680065408.4
申请日：2016-11-09
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种与包含基本上共价基质材料的半导体层相邻的金属层，包含所述材料的电子器件及其制备方法，所述金属层包含至少一种第一金属和至少一种第二金属，其中a)所述第一金属选自Li、Na、K、Rb、Cs；并且b)所述第二金属选自Zn、Hg、Cd、Te。
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公开(公告)号：CN108463898B
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN201680073099.5
申请日：2016-12-14
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 沃洛季米尔·森科维斯基 , 杰罗姆·加尼耶 , 卡斯滕·罗特
Abstract: 本发明涉及有机发光二极管，所述有机发光二极管包含至少一个发光层、电子注入层和至少一个阴极电极，其中：‑所述电子注入层包含有机膦化合物，其中所述电子注入层不含金属、金属盐、金属络合物和金属有机化合物；‑所述阴极电极至少包含第一阴极电极层，其中‑所述第一阴极电极层包含选自碱金属、碱土金属、稀土金属和/或第3族过渡金属的第一零价金属；并且‑所述电子注入层布置成与所述第一阴极电极层直接接触。
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公开(公告)号：CN110678474A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201880033634.3
申请日：2018-05-22
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 维金塔斯·扬库什 , 多玛果伊·帕维奇科 , 卡斯滕·罗特 , 沃洛季米尔·森科维斯基 , 乌尔里希·登克尔
IPC: C07F9/53
Abstract: 本发明涉及由通式(I)表示的化合物在包含于电子器件中的半导体层中的用途，相应的半导体层，相应的电子器件和相应的化合物，其中A1和A2独立地选自C1至C60含碳基团；A3至A9独立地选自氢、C1至C60含碳基团或卤素；R1和R2独立地选自通过sp3-杂化的碳原子与磷原子连接的C1至C60含碳基团；X是共价单键或由1至120个共价键合的原子组成的间隔基团。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108431289A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680065794.7
申请日：2016-11-10
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 用于制备含金属层的方法、包含所述材料的电子器件以及其制备方法，所述方法包括(i)至少一个在低于10-2Pa的压力下从被加热到100℃至600℃的温度的第一蒸发源中提供的金属合金共蒸发a)至少一种选自Li、Na、K、Rb和Cs的第一金属和b)至少一种选自Mg、Zn、Hg、Cd和Te的第二金属的步骤，和(ii)所述第一金属在温度低于所述第一蒸发源温度的表面上的至少一个后续沉积步骤，其中在步骤(i)中，所述合金至少部分地以包含所述第一金属和所述第二金属的均相形式提供。
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公开(公告)号：CN106660947A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580036616.7
申请日：2015-07-01
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: C07C251/24 , C07D277/66 , C07D215/30 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及有机发光二极管(OLED)(100)，其包含发光层和至少两个电子传输层(160/161)的电子传输层叠层体，其中第一电子传输层(161)和第二电子传输层(162)包含至少一种基质化合物并且另外，‑所述第一电子传输层(161)包含第一卤化锂或第一锂有机复合物；和‑所述第二电子传输层(162)包含第二卤化锂或第二锂有机复合物，其中所述第一锂有机复合物与所述第二锂有机复合物不相同；并且其中所述第一卤化锂与所述第二卤化锂不相同。
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公开(公告)号：CN104067400A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201280058258.6
申请日：2012-11-30
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
CPC classification number: H01L51/008 , H01L51/0077 , H01L51/009 , H01L51/0092 , H01L51/42 , H01L51/50 , H01L51/5076 , H01L51/5092 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及有机电子器件，该有机电子器件包括第一电极、第二电极和在所述第一电极和所述第二电极之间的包含式(I)化合物的实质上有机的层：其中M是金属离子，A1至A4中的每个独立地选自H、取代或未取代的C6至C20芳基和取代或未取代的C2至C20杂芳基，和n是所述金属离子的化合价。
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公开(公告)号：CN111602259B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN201880082306.2
申请日：2018-12-21
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 杰罗姆·加尼耶 , 卡斯滕·罗特 , 本杰明·舒尔策
Abstract: 本发明涉及一种电子器件及其制备方法，所述电子器件含有包含硼酸盐络合物的半导体层，所述硼酸盐络合物包含选自Ca和Sr中的金属和至少一种硼酸根配体，其中所述硼酸根配体包含至少一个杂环基团。
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公开(公告)号：CN111712485B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201980012186.3
申请日：2019-01-31
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: C07D215/04 , C07C255/50 , C07D235/08 , C07D213/16 , C07F9/53 , H10K50/16 , H10K50/18 , H10K85/60 , C09K11/06
Abstract: 本发明涉及有机材料，并且涉及包含所述有机材料的电子器件，具体涉及电致发光器件，具体涉及有机发光二极管(OLED)，其中所述半导体材料包含多取代的苯基部分、具有至少两个稠环的芳基部分、极性部分和这些部分之间的任选连接体。
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