具有至少两个半导体元件的半导体组件

    公开(公告)号:CN118077046A

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202280066064.4

    申请日:2022-08-05

    Abstract: 本发明涉及一种半导体组件(2),其包括至少两个尤其并联连接的半导体元件(4)、绝缘基底(6)和连接元件(44),基底(6)具有彼此电绝缘的导轨(10,12,14),半导体元件(4)尤其以材料接合的方式连接至基底(6)的第一导轨(10)并且在背离基底(6)的一侧上各自具有至少一个接触面(26),半导体元件(4)的至少一个接触面(26)通过第一接合连接器(28)连接至基底(6)的第二导轨(12),第二导轨(12)通过导电连接器(32,32a,32b,32c,32d)连接至基底(6)的第三导轨(14),第三导轨(14)连接至连接元件(44),从半导体元件(4)到连接元件(44)分别形成具有电流路径阻抗的电流路径。为了实现更长的使用寿命并且节省成本而在此提出,导电连接器(32,32a,32b,32c,32d)的尺寸和/或布置设计成使得相应的电流路径的电流路径阻抗基本上平衡。

    壳体和电气设备
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116018885A

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202180053758.X

    申请日:2021-07-28

    Abstract: 本发明涉及一种用于电气设备(20)的壳体(1),壳体包括壳体本体(2),壳体本体(2)至少部分地容纳电气设备(20)的相应的电气构件(3),壳体本体(2)具有至少一个用于支承在相应的板(5)上的支承点(4),电气构件(3)与所述板连接,壳体(1)还具有至少一个用于检测相应的板(5)的温度的温度传感器(6),相应的温度传感器(6)在壳体本体(2)中布置在相应的支承点(4)的区域中。本发明还涉及一种电气设备(20),其包括至少一个电气构件(3)、至少一个分别与相应的电气构件(3)连接的板(5)和至少一个这种壳体(1),壳体本体(2)安置在相应的板(5)上的相应的支承点(4)处。为了提供改进的电气设备(20)尤其提出,壳体本体(2)分别具有到相应的温度传感器(6)的单极的电线路(9)。

    带半导体元件、基底和连接器的半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN117730412A

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN202280049339.3

    申请日:2022-06-13

    Abstract: 本发明涉及一种具有半导体元件(4)、基底(6)和接合连接器(20a,20b,20c,34,58)的半导体装置(2)。为了与现有技术相比实现改善的接线而提出:半导体元件(4)尤其整体接合地与基底(6)连接,半导体元件(4)在背离基底(6)的一侧上具有至少一个接触面(8),半导体元件(4)的至少一个接触面(8)经由至少一个第一接合连接器(20a,20b,20c)与基底(6)连接,至少一个第一接合连接器(20a,20b,20c)在接触面(8)上分别形成至少一个第一缝合接触部(22a,22b,22c),第一缝合接触部布置在相应的第一接合连接器(20a,20b,20c)的第一环路(24a,24b,24c)与第二环路(26a,26b,26c)之间,第一环路(24a,24b,24c)具有第一最大部(28a,28b,28c)并且第二环路(26a,26b,26c)具有第二最大部(30a,30b,30c),第二接合连接器(34)的第一横向环路(32)布置成在第一缝合接触部(22a,22b,22c)之上延伸并且平行于接触面(8)地看布置在第一环路(24a,24b,24c)的第一最大部(28a,28b,28c)与第二环路(26a,26b,26c)的第二最大部(30a,30b,30c)之间,第二接合连接器(34)的第一横向环路(32)布置成尤其完全地在第一环路(24a,24b,24c)的第一最大部(28a,28b,28c)和/或第二环路(26a,26b,26c)的第二最大部(30a,30b,30c)之下延伸。

    功率转换器装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116868499A

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202180093743.6

    申请日:2021-12-10

    Abstract: 为了在用于两个马达(M1,M2)的具有半导体装置(H1,H2)的功率转换器装置(20)中保护该功率转换器装置免受损坏,建议:借助于控制单元(21)——从第一电流(I1实际)和第二电流(I2实际)中连续地形成总电流(IS)并将总电流(IS)与可预设的最大值(Max)进行比较,其中,控制单元(21)具有存储机构(SM),在该存储机构中能够由用户(1)输入优先权等级(PR),其中,优先权等级(PR)描述两个机器(M1,M2)之一的优先权,控制单元(21)还设计用于:在超过最大值(Max)的情况下减小根据优先权等级(P)不具有优先权的相应的机器(M1,M2)的电流(I1实际,I2实际)。

    用于驱动单元的连接器
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116670946A

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202180087174.4

    申请日:2021-12-21

    Abstract: 本申请公开了一种驱动系统(1),具有:多个驱动单元(2),其中,驱动单元(2)分别包括变流器(3)和优选马达(4);能量供应系统(5),能量供应系统设计用于向驱动单元(2)供应电能;以及控制系统(6),控制系统包括控制计算机(8)和至少一个控制线(9),其中,控制系统(8)设计用于向驱动单元(2)传输控制指令。驱动系统(1)的特征在于,能量供应系统(5)和驱动单元(2)分别经由第一连接器,优选经由插头连接以能拆除的方式相互连接,并且控制系统(6)和驱动单元(2)分别经由第二连接器,优选经由插头连接以能拆除的方式相互连接。

    具有带有凹形弯曲部的底板的半导体模块

    公开(公告)号:CN110462820A

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201880020471.5

    申请日:2018-01-19

    Abstract: 接触至少一个电子部件(4)的结构化的金属层(2)施加在由电绝缘材料制成的基底(1)的上侧上。金属接触层(3)施加在基底(1)的下侧。基底(1)的下侧在基底(1)没有机械应力的状态下构造为平的面。接触层(3)经由中间层(6)与金属底板(7)连接。接触层(3)与金属底板(7)的连接在温度(T1)升高的情况下进行。随后进行半导体模块的冷却。金属底板(7)的朝向基底(1)的侧面和金属底板(7)的背离基底(1)的侧面在底板(7)没有机械应力的状态下构造为平的面。在半导体模块冷却时,底板(7)在其背离基底(1)的侧面上形成凹形弯曲部(9)。

    在具有封装的引脚的壳体中的具有减振的接合面的半导体构件

    公开(公告)号:CN118202458A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202280072543.7

    申请日:2022-09-27

    Abstract: 本发明公开了在半导体构件(1)具有带有封装的引脚(3)的壳体的情况下,在引脚(3)的接合面(4)与半导体构件(1)的半导体元件(7)的半导体接合面(8)之间简单且可靠地产生接合连接。因此本发明提供一种用于容纳半导体元件(7)的壳体部件(2),其中,壳体部件(2)包括至少一个引脚(3),该引脚部分地模制到壳体部件(2)中用于与印刷电路板电连接,其中,引脚(3)包括用于在引脚(3)与半导体元件(7)之间产生电连接的接合面(4),其中,壳体部件(2)包括用于接合面(4)的支承面(5),并且其中,壳体部件(2)在支承面(5)中或邻接于支承面(5)具有凹部(12),其中,凹部至少部分地用减振材料(10)填充和/或在邻接凹部(12)的区域中施加减振材料(10)。本发明提供的优点是,通过接合面(4)的减振支承,用于容纳半导体元件(7)的壳体部件(2)能够一件式地构造,并且因此,在其中模制的引脚(3)能够借助超声波焊接被接触。

    具有带有凹形弯曲部的底板的半导体模块

    公开(公告)号:CN110462820B

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN201880020471.5

    申请日:2018-01-19

    Abstract: 接触至少一个电子部件(4)的结构化的金属层(2)施加在由电绝缘材料制成的基底(1)的上侧上。金属接触层(3)施加在基底(1)的下侧。基底(1)的下侧在基底(1)没有机械应力的状态下构造为平的面。接触层(3)经由中间层(6)与金属底板(7)连接。接触层(3)与金属底板(7)的连接在温度(T1)升高的情况下进行。随后进行半导体模块的冷却。金属底板(7)的朝向基底(1)的侧面和金属底板(7)的背离基底(1)的侧面在底板(7)没有机械应力的状态下构造为平的面。在半导体模块冷却时,底板(7)在其背离基底(1)的侧面上形成凹形弯曲部(9)。

    薄膜电容器
    10.
    发明公开
    薄膜电容器 审中-实审

    公开(公告)号:CN115699233A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202180038660.7

    申请日:2021-05-04

    Abstract: 本发明公开了一种薄膜电容器(1),该薄膜电容器包括至少一个带有第一端侧和第二端侧(9,10)以及带有第一薄膜侧和第二薄膜侧(11,12)的镀金属的绝缘薄膜(3)和第一接触层和第二接触层(7,8),其中,镀金属的绝缘薄膜(3)的第一端侧(9)与第一接触层(7)连接并且镀金属的绝缘薄膜(3)的第二端侧(10)与第二接触层(8)连接,并且其中,镀金属的绝缘薄膜(3)具有至少一个第一镀金属层、第二镀金属层和第三镀金属层(4,5,6),其特征在于,在镀金属的绝缘薄膜(3)的第一薄膜侧(11)上涂覆镀金属层(4,5,6)中的至少两个镀金属层并且在镀金属的绝缘薄膜(3)的第二薄膜侧(12)上涂覆镀金属层(4,5,6)中的至少另外一个镀金属层,并且镀金属层(4,5,6)在镀金属的绝缘薄膜(3)的第一薄膜侧和第二薄膜侧(11,12)上布置为,使得在两个薄膜侧(11,12)的镀金属层(4,5,6)之间设计至少一个具有第一子电容(35)的第一重叠部(33)和具有第二子电容(36,360)的第二重叠部(34,340),并且子电容(35,36,360)形成串联电路。本发明还公开了具有薄膜电容器(1)的过滤器(23)和具有过滤器(23)的转换器(24)。

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