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公开(公告)号：CN102730631B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210237442.9
申请日：2012-07-10
Applicant: 西南交通大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种多点接触模式下的大面积硅表面织构化加工方法，它将硅(100)单晶片置于多微球的多点接触板垂直下方位置，再使硅片与多点接触板两者垂直相对运动至发生接触，并达到一定接触载荷F；使多点接触板和硅片按照既定轨迹相对运动，进行刻划；刻划后，将硅片放入质量分数为15～25％的KOH溶液中腐蚀一段分钟，即可得到具有预先设定结构的对应的织构化结构该方法在多点接触模式下进行，可以方便地控制所加工织构化结构的图案、排列方式等；刻划过程中硅片与多点接触板始终保持平行状态。该方法的设备和原材料成本低，操作简便、步骤简单，能够一次性完成硅(100)单晶片的大面积织构化结构的加工，具有明显的低成本、高效率的特点。
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公开(公告)号：CN102730631A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210237442.9
申请日：2012-07-10
Applicant: 西南交通大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种多点接触模式下的大面积硅表面织构化加工方法，它将硅(100)单晶片置于多微球的多点接触板垂直下方位置，再使硅片与多点接触板两者垂直相对运动至发生接触，并达到一定接触载荷F；使多点接触板和硅片按照既定轨迹相对运动，进行刻划；刻划后，将硅片放入质量分数为15～25％的KOH溶液中腐蚀一段分钟，即可得到具有预先设定结构的对应的织构化结构该方法在多点接触模式下进行，可以方便地控制所加工织构化结构的图案、排列方式等；刻划过程中硅片与多点接触板始终保持平行状态。该方法的设备和原材料成本低，操作简便、步骤简单，能够一次性完成硅(100)单晶片的大面积织构化结构的加工，具有明显的低成本、高效率的特点。
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公开(公告)号：CN102503155A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110392803.2
申请日：2011-12-01
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 一种基于摩擦诱导选择性刻蚀的玻璃表面纳米加工方法，主要应用于玻璃表面微纳米结构的加工。其具体操作方法是：将尖端为球状的探针安装在原子力显微镜上，将清洗过的玻璃固定在样品台上，启动原子力显微镜，给探针施加定载荷F或者变载荷F′，并使探针沿着设定的扫描轨迹，循环次数N和扫描速率v在玻璃表面进行扫描；扫描后将玻璃置于质量浓度为10-20％的HF溶液中，腐蚀5-10秒，即可。该方法不需要模版或掩膜，单次腐蚀就能在玻璃表面加工斜面、台阶、阵列等三维纳米图案；其加工流程极其简便，腐蚀速率极快，是一种简单、精确、高效的玻璃表面的纳米加工方法。
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公开(公告)号：CN103738912B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201310733086.4
申请日：2013-12-27
Applicant: 西南交通大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种基于摩擦化学诱导刻蚀的单晶硅表面无损伤纳米加工方法，主要应用于单晶硅表面纳米结构的加工。其具体操作方法是：先用湿法氧化的方法在单晶硅表面生长SiOx薄层，然后将生长有SiOx薄层的单晶硅取出清洗并固定在样品台上，然后将二氧化硅球形探针安装在扫描探针显微镜或多点接触微纳米加工设备上，启动设备，控制探针按设定的参数在样品表面进行扫描，再将样品置于KOH溶液与异丙醇的混合溶液中进行刻蚀加工，即可完成。该方法所用SiOx的掩膜制作简易，成本低廉；探针扫描过程中接触压力极低，不会引起单晶硅基底的屈服，加工得到的单晶硅纳米结构服役寿命长；湿法氧化所获得的SiOx薄层掩膜作用良好，可以提高加工深度。
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公开(公告)号：CN101973507A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010222382.4
申请日：2010-07-09
Applicant: 西南交通大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种基于摩擦诱导的单晶石英表面选择性刻蚀方法，其方法是：将尖端为球冠状的探针安装在原子力显微镜上，将单晶石英固定在样品台上，启动原子力显微镜，给探针施加定载荷F或者变载荷F′，F的值或F′的变化范围为石英表面发生屈服的临界载荷Fy的0.03-0.14倍，并使探针沿着设定的轨迹和循环次数在单晶石英表面进行扫描；扫描后，用浓度为15-25％的KOH溶液腐蚀2.5小时以上，即可。该方法在极低载荷下扫描结合后续腐蚀即可有效地进行纳米加工，不需要掩膜和多次腐蚀，可加工多级纳米结构。该方法不会对加工区域以外的结构和表面产生损伤和污染，是一种简单、精确、清洁的纳米级石英加工方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102718182A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210236729.X
申请日：2012-07-10
Applicant: 西南交通大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种多点接触模式下的大面积摩擦诱导微米级加工设备，由基座、加工平台驱动装置、、加载机构和数据采集及控制系统组成，其中：加工平台驱动装置由水平二维电控平移台、手动三维位移台和“L”型的样品台主成；加载机构的构成则是：基座上表面的电动角位移台，力敏型的悬臂梁的固定端固定于电动角位移台的水平工作面上，探针阵列固定于悬臂梁自由端端部的下表面；激光位移传感器位于悬臂梁自由端端部的正上方；水平二维电控平移台、电动角位移台、激光位移传感器均与数据采集及控制系统电连接。该设备的并且加工尺寸大，加工效率高；载荷控制精确、分布均匀，加工出的结构均匀、一致。
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公开(公告)号：CN102503155B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201110392803.2
申请日：2011-12-01
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 一种基于摩擦诱导选择性刻蚀的玻璃表面纳米加工方法，主要应用于玻璃表面微纳米结构的加工。其具体操作方法是：将尖端为球状的探针安装在原子力显微镜上，将清洗过的玻璃固定在样品台上，启动原子力显微镜，给探针施加定载荷F或者变载荷F′，并使探针沿着设定的扫描轨迹，循环次数N和扫描速率v在玻璃表面进行扫描；扫描后将玻璃置于质量浓度为10‑20％的HF溶液中，腐蚀5‑10秒，即可。该方法不需要模版或掩膜，单次腐蚀就能在玻璃表面加工斜面、台阶、阵列等三维纳米图案；其加工流程极其简便，腐蚀速率极快，是一种简单、精确、高效的玻璃表面的纳米加工方法。
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公开(公告)号：CN103738916B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201310732192.0
申请日：2013-12-27
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种砷化镓表面量子点形核位置的低损伤加工方法，其具体操作是：将尖端为球状的二氧化硅探针安装在扫描探针显微镜上，将清洗过的砷化镓固定在样品台上；启动扫描探针显微镜，给探针施加0.5‑1GPa的接触压力，并使探针按照设定的扫描轨迹、扫描循环次数在砷化镓表面进行扫描。该方法能在不同晶面、不同掺杂类型的砷化镓表面加工各种纳米凹结构，所需的接触压力不引起基体晶格缺陷，且其操作简单、位置可控、灵活性高。
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公开(公告)号：CN103738912A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201310733086.4
申请日：2013-12-27
Applicant: 西南交通大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种基于摩擦化学诱导刻蚀的单晶硅表面无损伤纳米加工方法，主要应用于单晶硅表面纳米结构的加工。其具体操作方法是：先用湿法氧化的方法在单晶硅表面生长SiOx薄层，然后将生长有SiOx薄层的单晶硅取出清洗并固定在样品台上，然后将二氧化硅球形探针安装在扫描探针显微镜或多点接触微纳米加工设备上，启动设备，控制探针按设定的参数在样品表面进行扫描，再将样品置于KOH溶液与异丙醇的混合溶液中进行刻蚀加工，即可完成。该方法所用SiOx的掩膜制作简易，成本低廉；探针扫描过程中接触压力极低，不会引起单晶硅基底的屈服，加工得到的单晶硅纳米结构服役寿命长；湿法氧化所获得的SiOx薄层掩膜作用良好，可以提高加工深度。
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公开(公告)号：CN102736410B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201210237432.5
申请日：2012-07-10
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 一种多点接触模式下的大面积纳米压印硅模具加工方法，它将硅(100)单晶片置于多微球的多点接触板垂直下方位置，再使硅片与多点接触板两者垂直相对运动至发生接触，并达到一定接触载荷F；使多点接触板和硅片按照既定轨迹相对运动，进行刻划；刻划后，将硅片放入质量分数为15～25％的KOH溶液中腐蚀一段分钟，即可得到具有预先设定结构的纳米压印硅模具。该方法在多点接触模式下进行，可以方便地控制所加工纳米压印硅模具的图案、排列方式等；刻划过程中硅片与多点接触板始终保持平行状态。该方法的设备和原材料成本低，操作简便、步骤简单，能一次性完成大面积的硅(100)单晶片纳米压印模具加工，具有明显的低成本、高效率的特点。
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