公开(公告)号：CN106567131B

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN201610981246.0

申请日：2016-11-08

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 余丙军 ,  金晨宁 ,  钱林茂 ,  刘潇枭 ,  肖晨 ,  汪红波

IPC: C30B33/10 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于压痕诱导选择性刻蚀的单晶硅表面针尖的加工方法，包括以下步骤：S1、将单晶硅(100)表面清洗干净，对单晶硅(100)表面进行氧化层去除处理；S2、利用Berkovich探针在单晶硅(100)表面做压痕坑；S3、采用氢氧化钾‑水‑异丙醇溶液对单晶硅(100)表面进行刻蚀，得到针尖阵列结构。本发明所提供的单晶硅表面针尖的加工方法，采用纳米压痕与KOH溶液后续刻蚀相结合的方法，即可用于制备单针尖结构也可用于制备多针尖阵列结构，该方法操作简单、灵活、高效、成本低廉。

公开(公告)号：CN108333390A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810076164.0

申请日：2018-01-26

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 余丙军 ,  刘潇枭 ,  陈磊 ,  钱林茂 ,  邹乙稼 ,  周超

IPC: G01Q60/24

Abstract: 本发明公开了一种基于导电性变化的单晶硅表面机械损伤的检测方法，包括以下步骤：首先将清洁、干燥的待检测的单晶硅片放入导电原子力显微镜样品腔内，并对待检测的损伤区域进行扫描，获得表面形貌图和电流分布图；再对比分析扫描结果，并寻找单晶硅表面机械损伤位置，得出检测结果。本发明所提供的一种基于导电性变化的单晶硅表面机械损伤的检测方法中，采用原子力显微镜的微针尖进行扫描检测，接触压力远小于单晶硅的屈服时的临界接触压力，不会对样品造成损坏。本发明适用于检测单晶硅表面在切削、研磨、抛光等机械加工过程中所产生的机械损伤。

公开(公告)号：CN106567131A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201610981246.0

申请日：2016-11-08

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 余丙军 ,  金晨宁 ,  钱林茂 ,  刘潇枭 ,  肖晨 ,  汪红波

IPC: C30B33/10 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于压痕诱导选择性刻蚀的单晶硅表面针尖的加工方法，包括以下步骤：S1、将单晶硅(100)表面清洗干净，对单晶硅(100)表面进行氧化层去除处理；S2、利用Berkovich探针在单晶硅(100)表面做压痕坑；S3、采用氢氧化钾‑水‑异丙醇溶液对单晶硅(100)表面进行刻蚀，得到针尖阵列结构。本发明所提供的单晶硅表面针尖的加工方法，采用纳米压痕与KOH溶液后续刻蚀相结合的方法，即可用于制备单针尖结构也可用于制备多针尖阵列结构，该方法操作简单、灵活、高效、成本低廉。