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公开(公告)号：CN1171301C
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN99804437.7
申请日：1999-01-28
Applicant: 薄膜电子有限公司
CPC classification number: H01L51/0001 , H01L21/768 , H01L21/76888 , H01L21/76894 , H01L21/8221 , H01L51/0024 , H01L2924/0002 , Y10T29/41 , H01L2924/00
Abstract: 在一种在复合基体中产生二维或三维导电或半导电结构的方法中，其中的基体是由两种或多种空间上隔开的材料构成的，一电场施加到各个材料上，或者电场是根据一协议而空间场调制的，上述协议代表使上述材料结构响应于所述电场所产生的预定导电或半导电结构的图案。所述材料结构组成的基体因此包括这种三维结构。在一种全面擦除的方法中，对基体施加一电场，直到基体中的材料响应于电场全部到达非导电态。在能构图或产生导电或半导电结构的电场发生器/调制器(EFGM)中，两个电极装置(E1，E2)包括在平行的平面内相互间隔开提供的平行条形(21，22)，由此形成矩阵状结构。电极装置(E1，E2)是连接到电源(23)的过交连器件(24，25)。EFGM(20)适于在电极器件(E1，E2)中间接收薄膜材料以便产生所述结构。
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公开(公告)号：CN1906697A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200480040551.5
申请日：2004-11-24
Applicant: 薄膜电子有限公司
CPC classification number: G11C11/22 , G06F12/0238 , G06F2212/1036 , G06F2212/7211 , G11C8/12 , G11C2013/0083
Abstract: 在用于减少与采用无源矩阵寻址的数据存储装置特别是存储器设备或传感器设备中的干扰电压相关的有害现象的方法中，符合寻址操作的电位的施加通常以时间协调的方式根据电压脉冲协议来控制。在寻址操作中，数据存储单元借助第一激活电压脉冲被设置到第一极化状态，然后根据电压脉冲协议，第二电压脉冲被施加，其可以是极性与第一电压脉冲的极性相反的第二激活电压脉冲，并用于将数据存储单元切换到第二极化状态。由此将寻址单元设置到通过寻址操作指定的预定极化状态。该装置的数据存储单元被设置在两个或更多电分隔的段中，使得对于装置来说每个段包括分开的物理地址空间。在寻址操作中，数据被引导到段，该段是根据关于在段中在先的和/或规划的施加激活电压脉冲的信息来选择的。
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公开(公告)号：CN1589477A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN02822841.3
申请日：2002-11-01
Applicant: 薄膜电子有限公司
CPC classification number: H01L51/5203 , G02F1/134336 , G11C11/42 , H01L27/156 , H01L27/307 , H01L27/3281 , H01L2251/5392
Abstract: 一种可矩阵寻址光电设备包括一种以光电活性材料(3)形式的功能介质，所述活性材料提供在第一和第二电极装置(EM1，EM2)之间夹层结构的全局层上，第一和第二电极装置具有平行条形电极(1；2)，其中第二电极装置(EM2)的电极(2)与第一电极装置(EM2)的电极(1)以一定的角度定向，功能元件(5)在活性材料中形成，其中各电极(1，2)交迭并对应于显示设备中的光学活性像素(5)或光检测器中的像素(5)，这取决于所使用的活性材料(3)。在每个电极装置(EM1；EM2)中，电极(1；2)具有一种致密的平行结构，并且利用薄膜(6)相互绝缘，其中薄膜厚度仅有电极宽度的几分之一。这允许活性材料(3)中像素(5)填充因子趋于一，和相应的高度像素化，从而提供了一种具有高表面亮度和高分辨率的显示器，或者一种具有高灵敏度和高分辨率的光学检测器。
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公开(公告)号：CN1184525C
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN98807929.1
申请日：1998-06-05
Applicant: 薄膜电子有限公司
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G02F3/02 , G11C7/005 , G11C11/5664 , G11C13/00 , G11C13/0016 , G11C13/04 , Y10S359/90
Abstract: 在多稳态光学逻辑单元中，具有光敏有机材料(1)，其通过用光辐射能够进行具有几个物理状态的光致循环，其中物理状态被指定为能够通过光学寻址单元而改变的逻辑值，寻址初始之前的单元处于预先产生的亚稳态。通过提供至少彩色光源(1)用于光学寻址和至少一个彩色敏感光检测器(5)靠近光敏材料，已将多稳态光学逻辑单元做成邻近可寻址的。在用于制备光敏材料(1)的方法中，希望的初始亚稳态在光致循环中产生并为单元指定了确定的逻辑值。在用于光学逻辑单元光学寻址的方法中，用于分别写和存储、读、擦和转换的步骤包括产生光致循环中状态之间的转变和状态的检测。在用于数据存储和处理的光学逻辑器件中的使用。
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公开(公告)号：CN1294755A
公开(公告)日：2001-05-09
申请号：CN99804437.7
申请日：1999-01-28
Applicant: 薄膜电子有限公司
CPC classification number: H01L51/0001 , H01L21/768 , H01L21/76888 , H01L21/76894 , H01L21/8221 , H01L51/0024 , H01L2924/0002 , Y10T29/41 , H01L2924/00
Abstract: 在一种在复合基体中产生二维或三维导电或半导电结构的方法中,其中的基体是由两种或多种空间上隔开的材料构成的,一电场施加到各个材料上,或者电场是根据一协议而空间场调制的,上述协议代表使上述材料结构响应于所述电场所产生的预定导电或半导电结构的图案。所述材料结构组成的基体因此包括这种三维结构。在一种全面擦除的方法中,对基体施加一电场,直到基体中的材料响应于电场全部到达非导电态。在能构图或产生导电或半导电结构的电场发生器/调制器(EFGM)中,两个电极装置(E1,E2)包括在平行的平面内相互间隔开提供的平行条形(21,22),由此形成矩阵状结构。电极装置(E1,E2)是连接到电源(23)的过交连器件(24,25)。EFGM(20)适于在电极器件(E1,E2)中间接收薄膜材料以便产生所述结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1146039C
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN99809293.2
申请日：1999-06-02
Applicant: 薄膜电子有限公司
CPC classification number: H01L21/02686 , G11C5/02 , G11C17/06 , H01L21/02532 , H01L21/02689 , H01L21/2026 , H01L21/768 , H01L21/76888 , H01L21/76894 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/1021 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/108 , H01L27/11 , H01L27/11502 , H01L51/0001 , H01L51/0024 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种可调节的集成数据处理设备，它包含具有一个或更多个处理器的处理单元和具有一个或更多个存储器的存储单元，它们分别被提供在形成设备中的主层的一个或更多个处理器层(P)、存储器层(M)或组合的处理器/存储器层(MP)中。各个主层包含在层中形成三维内部电连接的导电结构。数据处理设备还包含载体衬底。各个主层(P，M，MP)由大量各分别包含介电部分、半导电部分和导电部分的子层构成，它们被提供成构成包括在处理器和存储器中的集成有源和无源电路元件，电路元件、处理器和存储器被各个主层中的导电结构相互连接。其它的导电结构被提供在数据处理设备中，以便将各个主层相互互连和/或将各个主层与衬底相互互连，或以便产生到数据处理设备外部的连接。此集成数据处理设备具有可调节的结构，致使原则上能够构成具有几乎无限的处理器和存储器容量。确切地说，此数据处理设备能够实现以三维最佳互连集成的各种各样形式的可调节的并行结构。
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公开(公告)号：CN1440553A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN01812466.6
申请日：2001-07-06
Applicant: 薄膜电子有限公司
CPC classification number: G11C11/22 , G09G3/20 , G09G3/3629 , G09G2300/06 , G09G2310/0251 , G09G2320/0209 , G11C7/06 , G11C7/1006 , G11C8/18
Abstract: 在一种驱动无源矩阵显示器或存储器存储单元的阵列的方法中，存储单元包括一种可电气地极化的、展示滞后的材料，更具体地说，包括一种铁电体材料，其中，通过把电位或电压施加到矩阵或阵列中的字或位线上，可以把各存储单元的极化状态加以变换，对一个被选择的字或位线上的一个电位加以控制，以接近n个预先定义的电位电平之一，或与这n个预先定义的电位电平之一相一致，并根据一个协议及时地控制所有字和位线上的电位，以至于可把字线相继地锁定在一个从nWORD电位中被选择的电位上，同时或在时序的某一个周期期间，可把位线相继地锁定在从nBIT电位中被选择的电位上，其中所说的时序的某一个周期由协议连接于用于检测在一条位线或多条位线和连接于位线(一条或多条)的存储单元之间流动的电荷的电路上的协议给定。这一时序具有一介“读周期”，在这一周期期间检测流经连接于那里的所选择的一条位线或多条位线之间流动的电荷；以及一个“刷新/写周期”，在这一周期期间，使与被选择的字和位线相连接的存储单元的极化相应一组预定的值。
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公开(公告)号：CN1906697B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200480040551.5
申请日：2004-11-24
Applicant: 薄膜电子有限公司
CPC classification number: G11C11/22 , G06F12/0238 , G06F2212/1036 , G06F2212/7211 , G11C8/12 , G11C2013/0083
Abstract: 在用于避免采用无源矩阵寻址的数据存储装置中的干扰电压效应的方法中，根据电压脉冲协议来为寻址操作施加电位。该装置的数据存储单元在两个或更多个电分隔的段中提供，每段构成该数据存储装置物理地址空间的非交叠物理地址子空间。利用具有特定极性的激活电压脉冲将每段中的多个数据存储单元预置成相同极化状态。在第一寻址操作中，通过向每个存储单元施加具有相同极性的激活脉冲并记录输出电荷响应来读取一个或多个数据存储单元。基于此，输出数据在随后的第二寻址操作中被复制到该数据存储装置的另一段中的预置数据存储单元中，该另一段的选择是基于其先前的寻址历史。
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公开(公告)号：CN1329920C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN01822204.8
申请日：2001-11-27
Applicant: 薄膜电子有限公司
Inventor： P·-E·诺尔达尔
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 一种用于确定一个数据储存器件中一个存储器单元的逻辑状态的方法，其中所说单元以在包含一种可极化的材料的电容器中的电极化状态形式储存数据，在所述电容器上施加第一和第二与时间相关的小信号电压而未不使所述极化状态发生有效的永久变化。记录在所说电容器上产生的小信号电流响应的至少一个特性，所说至少一个特性记录在所说电容器上产生的小信号电流响应的至少一个特性，该特性对所施加的第一和/或第二与时间相关的电压具有线性或非线性关系；基于从与施加在所说电容器上的第一和第二与时间相关的电压两者导出的相关参考信号执行相关分析并确定存储器单元的逻辑状态。在上述方法中执行相位比较的第一种设备包括一个可与存储器单元连接的相位检测器，用于检测来自存储器单元的响应信号中的至少两个相位，并基于所输入的读信号生成和相位参考信号和差相位参考信号。存储器单元的逻辑状态基于上述相位参考信号与至少一个响应分量之间的相位比较。在上述方法中用于执行相位比较的第二种设备中，将叠加的周期性读信号输入到可与相敏检测器连接的存储器单元，该相敏检测器用于接收响应信号并将其相位与从读信号导出的相位参考信号相关，以便可以由相位相关响应信号的量值和/或相位确定存储器单元的逻辑状态。
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公开(公告)号：CN1265394C
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN01812466.6
申请日：2001-07-06
Applicant: 薄膜电子有限公司
CPC classification number: G11C11/22 , G09G3/20 , G09G3/3629 , G09G2300/06 , G09G2310/0251 , G09G2320/0209 , G11C7/06 , G11C7/1006 , G11C8/18
Abstract: 一种驱动无源矩阵显示器或存储器存储单元的阵列的方法，存储单元包括一种铁电材料，其中，通过把电位或电压施加到矩阵或阵列中的字或位线上，可以把各存储单元的极化状态加以切换，对一个被选择的字或位线上的一个电位加以控制，以接近n个预先定义的电位电平之一，或与这n个预先定义的电位电平之一相一致，并根据一个协议及时地控制所有字和位线上的电位，以至于可把字线相继地锁定在一个从nWORD电位中被选择的电位上，同时或在时序的某一个周期期间，可把位线相继地锁定在从nBIT电位中被选择的电位上。
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