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公开(公告)号：CN1200563A
公开(公告)日：1998-12-02
申请号：CN98104249.X
申请日：1998-01-16
Applicant: 菱电半导体系统工程株式会社 , 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/304 , F26B19/00
CPC classification number: H01L21/67034
Abstract: 将氮气供给喷嘴34,产生通过喷气孔35喷出的氮气的喷射气流36。喷射气流36呈膜状,沿处理槽11的侧壁的内侧表面上升,然后通过在处理槽11的上部形成的吸气口33,到达外部被收回。由于处理槽11的侧壁的内侧表面被喷射气流36覆盖,所以能抑制IPA蒸汽在该内侧表面上的无用的冷凝。其结果,IPA蒸汽能被有效地用于放置在托盘6上的处理对象表面上的冷凝,所以能抑制处理对象的干燥不良。
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公开(公告)号：CN1200562A
公开(公告)日：1998-12-02
申请号：CN97125554.7
申请日：1997-12-15
Applicant: 三菱电机株式会社 , 菱电半导体系统工程株式会社
IPC: H01L21/30 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/67034
Abstract: 本发明的目的是抑制处理对象的干燥不良现象。向喷嘴34提供IPA液,IPA液通过流出孔35流出而形成IPA液的流体29。流体29以膜状的形式沿处理槽11侧壁的内侧表面流下,之后,通过在处理槽11下部形成的液体接收部36排向外部。由于处理槽11侧壁的内侧表面被IPA液的流体29覆盖,所以,抑制了IPA蒸汽在该内侧表面上无用的凝结。因此,可有效利用IPA蒸汽在置于接受器皿6上的处理对象表面凝结,从而抑制处理对象的干燥不良。
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公开(公告)号：CN1195763A
公开(公告)日：1998-10-14
申请号：CN97123190.7
申请日：1997-11-24
Applicant: 菱电半导体系统工程株式会社 , 三菱电机株式会社
IPC: F26B11/00
CPC classification number: H01L21/67034
Abstract: 本发明的目的是使IPA蒸汽的状态稳定,缓解甚至消除干燥不良现象。在设于处理槽(11)上方的开口部(22)两侧相对设置喷嘴(13)以及排气件(14)。处理槽(11)的侧壁随着从下方附近接近开口部(22)而向内侧圆滑弯曲。喷嘴(13)将氮气供给装置提供的氮气喷向排气件(14)的排气口,并形成覆盖开口部(22)的喷流(21)。由于处理槽(11)的侧壁弯曲,喷流(21)可有效发挥屏障的功能。所以,不再需要传统装置上必需的冷却蛇形管。因此,消除了因冷却蛇形管而引起的IPA蒸汽(5)状态的不稳定性。
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公开(公告)号：CN1099128C
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN97114518.0
申请日：1997-07-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02052 , B08B3/02 , B08B3/08 , B08B3/10 , B08B3/12 , H01L21/67051 , H01L21/67057 , Y10S134/902
Abstract: 提供一种在提高半导体材料的清洗装置的处理效率的同时，不产生水迹等问题的半导体材料的清洗装置。该装置备有：通过处理用化学液体和纯水的喷射来清洗半导体材料的装置；将其他处理用化学液体注入处理室内，使所述半导体材料浸泡于其中来进行处理的装置；在所述处理室中使干燥用的化学液体或蒸汽与浸泡半导体材料的处理用的化学液体或纯水接触，一边用界面层进行隔开一边排出处理用的化学液体或纯水的装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1214535A
公开(公告)日：1999-04-21
申请号：CN98114795.X
申请日：1998-06-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02052 , C01B13/10 , C02F1/32 , C02F1/78 , H01L21/67057 , H01L21/6708 , Y10S134/902
Abstract: 提供一种在半导体基片的湿法洗涤和腐蚀工艺中,可以防止基片表面变粗糙并能提高产品合格率的处理系统。该半导体基片处理系统包括以下装置:臭氧发生装置11、使该臭氧溶解于半导体基片处理用药液或纯水中的喷射器10、对溶解了臭氧的药液或纯水照射紫外线以控制药液或纯水中的臭氧浓度的紫外线照射装置9、以及用臭氧浓度受到控制的药液或纯水对半导体基进行处理的处理槽5。
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公开(公告)号：CN1163418C
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN98811292.2
申请日：1998-09-18
IPC: C02F1/04
CPC classification number: C02F1/42 , B01D3/065 , C02F1/04 , C02F1/045 , C02F1/20 , C02F1/441 , C02F1/4618 , C02F2001/425 , C02F2001/427 , C02F2103/04 , C02F2103/346
Abstract: 一种高温超高纯水生产设备，包括一个用来处理通过直接过滤和除气而得到的预处理水或通过一次纯水系统获得的一次纯水以便获得高温超高纯水的蒸发器，一个用于从蒸发器所获超高纯水中除去金属离子的连续水流型电动去离子交换器，该连续水流型电动去离子交换器在由阳离子交换膜和阴离子交换膜形成的中央水路堆积阳离子交换树脂和阴离子交换树脂，另外形成在阳离子交换膜的外侧具有阴离子交换膜，在阴离子交换膜的外侧具有阳离子交换膜的外侧水路，将中央水路作为被处理水水路，将外侧水路作为浓缩水水路，在外侧的水路的外侧、以外侧的阳离子交换膜作为正极地添加电场，从而可进行连续的离子交换处理。
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公开(公告)号：CN1279650A
公开(公告)日：2001-01-10
申请号：CN98811292.2
申请日：1998-09-18
IPC: C02F1/42 , C02F1/04 , C02F1/461 , H01L21/304
CPC classification number: C02F1/42 , B01D3/065 , C02F1/04 , C02F1/045 , C02F1/20 , C02F1/441 , C02F1/4618 , C02F2001/425 , C02F2001/427 , C02F2103/04 , C02F2103/346
Abstract: 一种高温超高纯水生产设备,包括一个用来处理通过一次纯水系统21获得的一次纯水以便获得高温超高纯水的蒸发器22、一个用于从蒸发器22所获超高纯水中除去少量金属离子的离子交换器23、一个用于使含有少量未被离子交换器23除去的金属离子的高温超高纯水超高纯水与具有常温并且其少量金属离子是通过离子交换器23的处理而除去的超高纯水接受热交换的钛制纯水热交换器24,所述设备还包括一个由SUS材料制成的且用于将纯水热交换器24所冷却的含未除去的金属离子的超高纯水冷却到不超过40℃而以便用作离子交换器23的给水的冷却热交换器25。脱去少量金属离子并被热交换器24加热到高温的超高纯水被转变成电解离子水或通过一个用于半导体制造方法中的一个处理步骤的化学液制备系统与一种化学试剂混合起来。
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公开(公告)号：CN1182281A
公开(公告)日：1998-05-20
申请号：CN97114518.0
申请日：1997-07-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02052 , B08B3/02 , B08B3/08 , B08B3/10 , B08B3/12 , H01L21/67051 , H01L21/67057 , Y10S134/902
Abstract: 提供一种在提高半导体材料的清洗装置的处理效率的同时,不产生水迹等问题的半导体材料的清洗装置。该装置备有:通过处理用化学液体和纯水的喷射来清洗半导体材料的装置;将其他处理用化学液体注入处理室内,使所述半导体材料浸泡于其中来进行处理的装置;在所述处理室中使干燥用的化学液体或蒸汽与浸泡半导体材料的处理用的化学液体或纯水接触,一边用界面层进行隔开一边排出处理用的化学液体或纯水的装置。
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