公开(公告)号：CN1214535A

公开(公告)日：1999-04-21

申请号：CN98114795.X

申请日：1998-06-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小西瞳子 ,  伴功二 ,  浅冈保宏

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C01B13/10 ,  C02F1/32 ,  C02F1/78 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/6708 ,  Y10S134/902

Abstract: 提供一种在半导体基片的湿法洗涤和腐蚀工艺中,可以防止基片表面变粗糙并能提高产品合格率的处理系统。该半导体基片处理系统包括以下装置:臭氧发生装置11、使该臭氧溶解于半导体基片处理用药液或纯水中的喷射器10、对溶解了臭氧的药液或纯水照射紫外线以控制药液或纯水中的臭氧浓度的紫外线照射装置9、以及用臭氧浓度受到控制的药液或纯水对半导体基进行处理的处理槽5。

公开(公告)号：CN1305220A

公开(公告)日：2001-07-25

申请号：CN00134730.6

申请日：2000-10-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 浅冈保宏 ,  横井直树

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/32134

Abstract: 半导体器件的制造方法,目的在于除去半导体器件的表面上形成的多晶硅膜,即在其衬底膜上不产生损伤,且不产生腐蚀残渣。在硅晶片的表面上成膜多晶硅膜。把硅晶片设置在分批式的湿式腐蚀处理装置中。以包含预定混合比的氨水和双氧水及纯水的APM作为药液,开始多晶硅膜湿式腐蚀(步骤100)。在湿式腐蚀中途,在使用的药液中,经过预定时间追加APM(步骤104～108)。如果经过预定处理时间,那么结束APM的湿式腐蚀(步骤112)。