公开(公告)号：CN111133589B

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN201880061091.6

申请日：2018-09-24

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 马切伊·克日什托夫·斯杜德林 ,  约翰·安克 ,  马丁恩·科普斯 ,  英格里德·戈蒂纳·罗梅恩 ,  兰伯特·约翰·吉林斯

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及掺杂剂增强的基于硅的太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括硅衬底的表面上的层堆叠体(1)，所述层堆叠体(1)包括薄氧化物层(20)和多晶硅层(30)，所述薄氧化物层布置成在所述衬底的所述表面与所述多晶硅层之间的隧道氧化物层。所述太阳能电池具有布置在所述层堆叠体上的局部渗透进入所述多晶硅层的烧穿金属接触部(50)。所述硅衬底在所述表面的侧面具有掺杂剂物质，所述掺杂剂物质在所述硅衬底中产生第一导电类型的掺杂剂分布。所述硅衬底中的掺杂剂分布具有约1×10+18个原3 +19 3子/cm至约3×10 个原子/cm的最大掺杂剂水平以及所述衬底内掺杂剂原子水平为1×10+17个原子/cm3的至少200nm的深度。

公开(公告)号：CN109891600B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN201780048727.9

申请日：2017-08-03

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织 TNO

Inventor： 约翰·安克 ,  艾弗特·尤金·本德 ,  兰伯特·约翰·吉林斯 ,  马切伊·克日什托夫·斯杜德林

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01B1/02 ,  H01B1/16 ,  H01B1/22

Abstract: 太阳能电池和制造太阳能电池的方法。该太阳能电池具有硅基板(2)和设置在硅基板(2)的基板侧部(2a)上的层(4)。太阳能电池还具有接触结构(6)，该接触结构(6)从太阳能电池(1)的电池侧部(1a)穿过层(4)延伸至硅基板(2)。层(4)由多晶硅层(8)和隧道氧化层(10)组成，其中，隧道氧化层(10)插入在多晶硅层(8)与硅基板(2)之间。

公开(公告)号：CN109983584A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201780072786.X

申请日：2017-11-24

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织 TNO

Inventor： 马切伊·克日什托夫·斯杜德林 ,  兰伯特·约翰·吉林斯 ,  艾弗特·尤金·本德 ,  约翰·安克

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/18

Abstract: 一种半导体衬底(1)，具有有源区(2)以及面向彼此的第一表面和第二表面。存在第一类型的钝化层(5)，以用于在半导体衬底(1)的第一表面的部分上提供第一导电类型的电接触。半导体衬底(1)的有源区(2)与第一类型的钝化层(5)之间设置有介电层(4)。半导体衬底(1)的有源区(2)的、第一表面附近的层(3)中提供有第一导电类型的掺杂。有源区(2)的、第一表面附近的层(3)中的横向掺杂剂水平基本上一致。

公开(公告)号：CN116897437A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202280017139.X

申请日：2022-02-25

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织 TNO

Inventor： 约翰·安克 ,  兰伯特·约翰·吉尔利格斯

IPC: H01L31/078

Abstract: 一种用于制造包括硅基底部太阳能电池(2)和薄膜顶部太阳能电池(11)的双端或三端串联太阳能电池的方法；该方法包括：设置具有前表面和后表面的硅衬底(3)；执行一系列步骤，包括：在前表面上生成载流子提取层堆叠部(16)，载流子提取层叠层(16)至少包括在衬底的前表面上或衬底的前表面中形成的载流子提取层(8)；在后表面上生成钝化涂层，包括沉积第一AlOx层(9)；在前表面上的载流子提取层堆叠部上生成包括第二AlOx层(6)的牺牲层堆叠部；在后表面上生成金属基电基础部(7)，包括退火步骤；从载流子提取叠层中去除牺牲层堆叠部，并在载流子提取层堆叠部上生成薄膜顶部太阳能电池。

公开(公告)号：CN109983584B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN201780072786.X

申请日：2017-11-24

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织 TNO

Inventor： 马切伊·克日什托夫·斯杜德林 ,  兰伯特·约翰·吉林斯 ,  艾弗特·尤金·本德 ,  约翰·安克

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/18

Abstract: 一种半导体衬底(1)，具有有源区(2)以及面向彼此的第一表面和第二表面。存在第一类型的钝化层(5)，以用于在半导体衬底(1)的第一表面的部分上提供第一导电类型的电接触。半导体衬底(1)的有源区(2)与第一类型的钝化层(5)之间设置有介电层(4)。半导体衬底(1)的有源区(2)的、第一表面附近的层(3)中提供有第一导电类型的掺杂。有源区(2)的、第一表面附近的层(3)中的横向掺杂剂水平基本上一致。

公开(公告)号：CN119008722A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411105589.1

申请日：2018-09-20

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 艾弗特·尤金·本德 ,  吴宇 ,  约翰·安克

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 基于p型导电性的硅衬底的背接触式太阳能电池具有用于接收辐射的前表面、以及后表面。所述后表面具有隧道氧化物层和n型导电性的掺杂多晶硅层。所述隧道氧化物层和n型导电性的图案化掺杂多晶硅层形成图案化层堆叠体，所述图案化层堆叠体中具有间隙。Al‑Si合金化接触部被布置在所述间隙中的每一个内、与所述衬底的基极层电接触，以及一个或多个Ag接触部被布置在图案化掺杂多晶硅层上并且与所述图案化掺杂多晶硅层电接触。

公开(公告)号：CN111133589A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201880061091.6

申请日：2018-09-24

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 马切伊·克日什托夫·斯杜德林 ,  约翰·安克 ,  马丁恩·科普斯 ,  英格里德·戈蒂纳·罗梅恩 ,  兰伯特·约翰·吉林斯

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及掺杂剂增强的基于硅的太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括硅衬底的表面上的层堆叠体(1)，所述层堆叠体(1)包括薄氧化物层(20)和多晶硅层(30)，所述薄氧化物层布置成在所述衬底的所述表面与所述多晶硅层之间的隧道氧化物层。所述太阳能电池具有布置在所述层堆叠体上的局部渗透进入所述多晶硅层的烧穿金属接触部(50)。所述硅衬底在所述表面的侧面具有掺杂剂物质，所述掺杂剂物质在所述硅衬底中产生第一导电类型的掺杂剂分布。所述硅衬底中的掺杂剂分布具有约1×10+18个原子/cm3至约3×10+19个原子/cm3的最大掺杂剂水平以及所述衬底内掺杂剂原子水平为1×10+17个原子/cm3的至少200nm的深度。

公开(公告)号：CN111108609A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201880061080.8

申请日：2018-09-20

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 艾弗特·尤金·本德 ,  吴宇 ,  约翰·安克

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18

Abstract: 基于p型导电性的硅衬底的背接触式太阳能电池具有用于接收辐射的前表面、以及后表面。所述后表面具有隧道氧化物层和n型导电性的掺杂多晶硅层。所述隧道氧化物层和n型导电性的图案化掺杂多晶硅层形成图案化层堆叠体，所述图案化层堆叠体中具有间隙。Al-Si合金化接触部被布置在所述间隙中的每一个内、与所述衬底的基极层电接触，以及一个或多个Ag接触部被布置在图案化掺杂多晶硅层上并且与所述图案化掺杂多晶硅层电接触。