公开(公告)号：CN102859647B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201180021337.5

申请日：2011-02-25

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 弗雷迪·罗泽博姆 ,  阿德里安·马里努斯·兰克霍斯特 ,  保卢斯·威力布罗德斯·乔治·波 ,  特 ,  N·B·科斯特 ,  何拉尔德斯·约翰·约瑟夫·维纳 ,  德斯 ,  阿德里亚努斯·约翰尼斯·皮德勒 ,  斯·玛利亚·弗米尔

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/3065 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/45525 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32706 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/67028

Abstract: 本申请涉及一种用于对衬底(5)进行反应性离子蚀刻的装置(1)，包含等离子体蚀刻区域蚀刻区域(2)包括蚀刻气体供应设备(40)并且设置有用于激发等离子体(4)的等离子体产生结构(22)，并且包含被布置成将蚀刻等离子体朝向衬底部分加速以使离子撞击在衬底(5)的表面上的电极结构，钝化区域(3)包括提供有钝化气体供应设备(41)的腔(8)；供应设备(41)被布置成用于从供应向腔(8)提供钝化气流；腔(8)在使用中由注入器头部(1)和衬底的表面定界；气体排出结构(7)包含布置在蚀刻区域和钝化区域之间的气体排放部(6)；气体排出结构(7)因此形成蚀刻区域(2)和钝化区域(3)的空间分界。(2)、钝化区域(3)和气体排出结构(7)，等离子体

公开(公告)号：CN114729445B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202080078814.0

申请日：2020-11-12

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 阿尔费雷多·马梅利 ,  艾哈迈徳·法兹 ,  弗雷迪·罗泽博姆 ,  保卢斯·威力布罗德斯·乔治·波特

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/54 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明涉及一种原子层沉积装置，用于将目标材料层区域选择性地沉积在衬底表面的沉积区域上，该衬底表面还包括非沉积区域。在使用中，衬底沿着多个沉积空间和隔离剂空间传送，所述多个沉积空间和隔离剂空间包括至少两个气体隔离剂空间，所述气体隔离剂空间至少提供有隔离剂气体入口和隔离剂排放部，用于在使用中使衬底暴露于隔离剂气流。其中所述气体隔离剂空间中的至少一个形成组合的隔离剂‑抑制剂气流，所述组合的隔离剂‑抑制剂气流包括隔离剂气体和抑制剂成分。所述抑制剂成分选择性地粘附到所述非沉积区域以形成抑制层，减少前体成分的吸附。在优选的实施方式中，该装置包括回蚀刻空间，以增加沉积工艺的选择性。

公开(公告)号：CN105102676B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201480019869.9

申请日：2014-02-06

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 雷蒙德·雅各布斯·W·克纳彭 ,  R·奥利斯拉格斯 ,  丹尼斯·范登贝尔赫 ,  马泰斯·C·范登布尔 ,  弗雷迪·罗泽博姆

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01L21/314 ,  C23C16/54

Abstract: 一种实施原子层沉积的方法。该方法包括使用包括一个或多个气体供应器的沉积头，向基底供应前体气体，且该一个或多个气体供应器包括前体气体供应器。前体气体靠近该基底的表面反应，用以形成原子层。沉积头具有包括气体供应器的输出面，且在沉积原子层时该输出面至少部分地面向该基底表面。输出面大体上为圆形，界定基底的移动路径。前体气体供应器在供应该前体气体时通过旋转该沉积头相对该基底移动，用以在一个方向连续地移动时沉积原子层的叠层。基底的表面利用气体轴承保持不与该输出面接触。

公开(公告)号：CN115461840A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202180031541.9

申请日：2021-03-17

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 阿尔费雷多·马梅利 ,  奥克·易斯克·克罗内迈耶尔 ,  弗雷迪·罗泽博姆

IPC: H01L21/033 ,  H01L29/40

Abstract: 本公开涉及一种制造薄膜装置(100)的方法。将多级纳米压印光刻模板(20)转移到薄膜堆叠部中，该薄膜堆叠部包括电极层(11)和对电极层进行覆盖的遮盖牺牲层(12)。对模板进行转移，从而对装置(100)进行图案化，并且使电极的预定的绝缘区域(A2)暴露，同时保留牺牲层的剩余部分(12a)，牺牲层的剩余部分覆盖电极的预定的电接触区域(A1)。执行区域选择性ALD工艺，以用覆盖层选择性地覆盖电极层的暴露区域。在移除牺牲层(12)的剩余部分(12a)之后，使电极层(11)的电接触区域(A1)暴露以进行后续处理。

公开(公告)号：CN114729445A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202080078814.0

申请日：2020-11-12

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 阿尔费雷多·马梅利 ,  艾哈迈徳·法兹 ,  弗雷迪·罗泽博姆 ,  保卢斯·威力布罗德斯·乔治·波特

IPC: C23C16/04

Abstract: 本发明涉及一种原子层沉积装置，用于将目标材料层区域选择性地沉积在衬底表面的沉积区域上，该衬底表面还包括非沉积区域。在使用中，衬底沿着多个沉积空间和隔离剂空间传送，所述多个沉积空间和隔离剂空间包括至少两个气体隔离剂空间，所述气体隔离剂空间至少提供有隔离剂气体入口和隔离剂排放部，用于在使用中使衬底暴露于隔离剂气流。其中所述气体隔离剂空间中的至少一个形成组合的隔离剂‑抑制剂气流，所述组合的隔离剂‑抑制剂气流包括隔离剂气体和抑制剂成分。所述抑制剂成分选择性地粘附到所述非沉积区域以形成抑制层，减少前体成分的吸附。在优选的实施方式中，该装置包括回蚀刻空间，以增加沉积工艺的选择性。

公开(公告)号：CN105102676A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201480019869.9

申请日：2014-02-06

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 雷蒙德·雅各布斯·W·克纳彭 ,  R·奥利斯拉格斯 ,  丹尼斯·范登贝尔赫 ,  马泰斯·C·范登布尔 ,  弗雷迪·罗泽博姆

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01L21/314 ,  C23C16/54

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/481 ,  C23C16/545

Abstract: 一种实施原子层沉积的方法。该方法包括使用包括一个或多个气体供应器的沉积头，向基底供应前体气体，且该一个或多个气体供应器包括前体气体供应器。前体气体靠近该基底的表面反应，用以形成原子层。沉积头具有包括气体供应器的输出面，且在沉积原子层时该输出面至少部分地面向该基底表面。输出面大体上为圆形，界定基底的移动路径。前体气体供应器在供应该前体气体时通过旋转该沉积头相对该基底移动，用以在一个方向连续地移动时沉积原子层的叠层。基底的表面利用气体轴承保持不与该输出面接触。

公开(公告)号：CN102859647A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180021337.5

申请日：2011-02-25

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 弗雷迪·罗泽博姆 ,  阿德里安·马里努斯·兰克霍斯特 ,  保卢斯·威力布罗德斯·乔治·波特 ,  N·B·科斯特 ,  何拉尔德斯·约翰·约瑟夫·维纳德斯 ,  阿德里亚努斯·约翰尼斯·皮德勒斯·玛利亚·弗米尔

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/3065 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/45525 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32706 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/67028

Abstract: 本发明涉及一种用于对衬底(5)进行反应性离子蚀刻的装置(1)，包含等离子体蚀刻区域(2)、钝化区域(3)和气体排出结构(7)，等离子体蚀刻区域(2)包括蚀刻气体供应设备(40)并且设置有用于激发等离子体(4)的等离子体产生结构(22)，并且包含被布置成将蚀刻等离子体朝向衬底部分加速以使离子撞击在衬底(5)的表面上的电极结构，钝化区域(3)包括提供有钝化气体供应设备(41)的腔(8)；供应设备(41)被布置成用于从供应向腔(8)提供钝化气流；腔(8)在使用中由注入器头部(1)和衬底的表面定界；气体排出结构(7)包含布置在蚀刻区域和钝化区域之间的气体排放部(6)；气体排出结构(7)因此形成蚀刻区域(2)和钝化区域(3)的空间分界。