公开(公告)号：CN102859647B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201180021337.5

申请日：2011-02-25

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 弗雷迪·罗泽博姆 ,  阿德里安·马里努斯·兰克霍斯特 ,  保卢斯·威力布罗德斯·乔治·波 ,  特 ,  N·B·科斯特 ,  何拉尔德斯·约翰·约瑟夫·维纳 ,  德斯 ,  阿德里亚努斯·约翰尼斯·皮德勒 ,  斯·玛利亚·弗米尔

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/3065 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/45525 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32706 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/67028

Abstract: 本申请涉及一种用于对衬底(5)进行反应性离子蚀刻的装置(1)，包含等离子体蚀刻区域蚀刻区域(2)包括蚀刻气体供应设备(40)并且设置有用于激发等离子体(4)的等离子体产生结构(22)，并且包含被布置成将蚀刻等离子体朝向衬底部分加速以使离子撞击在衬底(5)的表面上的电极结构，钝化区域(3)包括提供有钝化气体供应设备(41)的腔(8)；供应设备(41)被布置成用于从供应向腔(8)提供钝化气流；腔(8)在使用中由注入器头部(1)和衬底的表面定界；气体排出结构(7)包含布置在蚀刻区域和钝化区域之间的气体排放部(6)；气体排出结构(7)因此形成蚀刻区域(2)和钝化区域(3)的空间分界。(2)、钝化区域(3)和气体排出结构(7)，等离子体