公开(公告)号：CN119153491A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202311861952.8

申请日：2023-12-29

Applicant: 英特尔公司

Inventor： S·楚格 ,  R·卡西姆 ,  M·E·卡比尔 ,  J·S·查瓦拉 ,  M·J·科布林斯基 ,  J·德席尔瓦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/78 ,  H01L23/528 ,  H01L23/00 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明涉及基于背面接触的管芯边缘保护环。描述了一种保护环。在示例中，半导体管芯包括有源器件层，该有源器件层包括多个纳米带器件。电介质结构位于有源器件层之上。第一管芯边缘金属保护环位于电介质结构中并且围绕多个纳米带器件的外周。多个金属化层位于电介质结构中并且在第一管芯边缘金属保护环内。多个直接背面接触延伸到有源器件层。多个背面金属化结构位于多个直接背面接触下方。多个直接背面接触连接到多个背面金属化结构。第二管芯边缘金属保护环横向围绕多个背面金属化结构。

公开(公告)号：CN119730372A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411156411.X

申请日：2024-08-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： L·P·古勒尔 ,  G·杜威 ,  J·德席尔瓦 ,  M·J·科布林斯基 ,  E·曼内巴赫 ,  S·米尔斯 ,  C·H·华莱士

IPC: H10D84/85 ,  H10D62/10

Abstract: 描述了具有差异化的源极或漏极结构的集成电路结构。在示例中，集成电路结构包括第一、第二和第三多条水平堆叠的纳米线或第一、第二和第三鳍状物，以及第一、第二和第三栅极堆叠体。第一外延源极或漏极结构位于第一多条水平堆叠的纳米线或第一鳍状物与第二多条水平堆叠的纳米线或第二鳍状物之间，第一外延源极或漏极结构具有横向宽度和成分。第二外延源极或漏极结构位于第二多条水平堆叠的纳米线或第二鳍状物与第三多条水平堆叠的纳米线或第三鳍状物之间，第二外延源极或漏极结构具有第一外延源极或漏极结构的成分，并且第二外延源极或漏极结构具有小于第一外延源极或漏极结构的横向宽度的横向宽度。

公开(公告)号：CN119230485A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202311861274.5

申请日：2023-12-29

Applicant: 英特尔公司

Inventor： E·曼尼布拉赫 ,  S·米尔斯 ,  J·德席尔瓦 ,  M·J·科布林斯基

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/15 ,  H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H10B80/00

Abstract: 本公开涉及具有用于双侧装置的替代载体的集成电路结构。描述具有用于双侧装置的替代载体的结构。在示例中，一种集成电路结构包括前侧结构，所述前侧结构包括：装置层；和多个金属化层，位于装置层上方。背面结构位于装置层下方。载体晶片或衬底被直接接合到前侧结构并且与前侧结构接触，或者通过柔性接合层而接合到前侧结构。