公开(公告)号：CN119153491A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202311861952.8

申请日：2023-12-29

Applicant: 英特尔公司

Inventor： S·楚格 ,  R·卡西姆 ,  M·E·卡比尔 ,  J·S·查瓦拉 ,  M·J·科布林斯基 ,  J·德席尔瓦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/78 ,  H01L23/528 ,  H01L23/00 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明涉及基于背面接触的管芯边缘保护环。描述了一种保护环。在示例中，半导体管芯包括有源器件层，该有源器件层包括多个纳米带器件。电介质结构位于有源器件层之上。第一管芯边缘金属保护环位于电介质结构中并且围绕多个纳米带器件的外周。多个金属化层位于电介质结构中并且在第一管芯边缘金属保护环内。多个直接背面接触延伸到有源器件层。多个背面金属化结构位于多个直接背面接触下方。多个直接背面接触连接到多个背面金属化结构。第二管芯边缘金属保护环横向围绕多个背面金属化结构。