公开(公告)号：CN106847667B

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201611229170.2

申请日：2016-12-27

Applicant: 苏州大学

Inventor： 曹冰 ,  李宗尧 ,  赵恩 ,  杨松 ,  刘伊 ,  吴竹慧 ,  王钦华

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/505 ,  C23C16/513

Abstract: 本发明公开了一种表面改性的氮化物半导体及其制备方法。采用射频等离子体增强化学气相沉积方法直接在氮化物半导体表面生长二维或三维垂直结构石墨烯，能够连续调制氮化物半导体表面的疏水性，使氮化物半导体对水的接触角从原来的60°提高到140°，实现亲疏水的可控转换。本发明对氮化物半导体表面改性的方法简单、可控性强，不仅不影响氮化物半导体材料自身的优异性能，还为其附加了表面自清洁能力，在生物电子领域有应用潜力。能够实现连续、可控地改善氮化物半导体表面疏水性。

公开(公告)号：CN106847667A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201611229170.2

申请日：2016-12-27

Applicant: 苏州大学

Inventor： 曹冰 ,  李宗尧 ,  赵恩 ,  杨松 ,  刘伊 ,  吴竹慧 ,  王钦华

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/505 ,  C23C16/513

Abstract: 本发明公开了一种表面改性的氮化物半导体及其制备方法。采用射频等离子体增强化学气相沉积方法直接在氮化物半导体表面生长二维或三维垂直结构石墨烯，能够连续调制氮化物半导体表面的疏水性，使氮化物半导体对水的接触角从原来的60°提高到140°，实现亲疏水的可控转换。本发明对氮化物半导体表面改性的方法简单、可控性强，不仅不影响氮化物半导体材料自身的优异性能，还为其附加了表面自清洁能力，在生物电子领域有应用潜力。能够实现连续、可控地改善氮化物半导体表面疏水性。

公开(公告)号：CN106783553B

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN201710104757.9

申请日：2017-02-24

Applicant: 苏州大学

Inventor： 曹冰 ,  赵恩 ,  漆林 ,  李宗尧 ,  杨松 ,  王钦华

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯/介质材料为复合衬底的三族氮化物微米柱结构及制备方法。石墨烯由低温固态碳源法在非蓝宝石介质材料上直接制备，得到复合衬底，再在复合衬底的石墨烯上生长出三族氮化物微米柱，得到一种石墨烯/介质材料为复合衬底的三族氮化物微米柱结构。本发明技术方案解决了在某些介质材料上三族氮化物无法成核生长的难题，拓宽了三族氮化物外延用介质衬底的范围。尤其是使用石墨烯/石英复合衬底外延三族氮化物，可以有效降低外延成本。本发明流程简单易行，原材料价廉易得，适合规模化生产。

公开(公告)号：CN109411552A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201811186141.1

申请日：2018-10-11

Applicant: 苏州大学

Inventor： 曹冰 ,  刘伊 ,  王钦华 ,  李宗尧

IPC: H01L31/028 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于氮化镓薄膜的微型柔性紫外探测器及其制备方法。采用金属有机化学气相沉积法在石墨烯/介质材料为复合衬底上直接生长晶圆级、低应力氮化镓薄膜，经机械剥离，从衬底上得到可整体转移的氮化镓薄膜，通过掩膜制作金属电极，再将氮化镓薄膜转移到柔性衬底上，制成柔性紫外探测器，实现对紫外光的探测。本发明提供的技术方案，切割方法快速，可批量、低成本制作氮化镓基微型紫外探测器。本发明提供的微型柔性紫外响应探测器，其典型尺寸为0.01～100mm2，并同时具有较高的灵敏度，能支持在复杂的野外环境下工作，可应用于微型、可穿戴的紫外探测设备。

公开(公告)号：CN106783553A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710104757.9

申请日：2017-02-24

Applicant: 苏州大学

Inventor： 曹冰 ,  赵恩 ,  漆林 ,  李宗尧 ,  杨松 ,  王钦华

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0242 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯/介质材料为复合衬底的三族氮化物微米柱结构及制备方法。石墨烯由低温固态碳源法在非蓝宝石介质材料上直接制备，得到复合衬底，再在复合衬底的石墨烯上生长出三族氮化物微米柱，得到一种石墨烯/介质材料为复合衬底的三族氮化物微米柱结构。本发明技术方案解决了在某些介质材料上三族氮化物无法成核生长的难题，拓宽了三族氮化物外延用介质衬底的范围。尤其是使用石墨烯/石英复合衬底外延三族氮化物，可以有效降低外延成本。本发明流程简单易行，原材料价廉易得，适合规模化生产。

公开(公告)号：CN206532753U

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201720172528.6

申请日：2017-02-24

Applicant: 苏州大学

Inventor： 邱振宇 ,  鲁文超 ,  赵恩 ,  漆林 ,  李宗尧 ,  杨松 ,  曹冰 ,  王钦华

IPC: H01L21/02

Abstract: 本实用新型公开了一种复合衬底/三族氮化物微米柱结构。以在介质材料上生长石墨烯插入层为复合衬底，在石墨烯插入层上生长三族氮化物微米柱。本实用新型中，石墨烯由低温固态碳源法在非蓝宝石介质材料上直接制备，在复合衬底上再生长得到三族氮化物微米柱，解决了在某些介质材料上三族氮化物无法成核生长的难题，拓宽了三族氮化物外延用介质衬底的范围。尤其是使用石墨烯/石英复合衬底外延制备三族氮化物微米柱结构，可有效降低生产成本。