冷却器以及半导体模块
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118922936A

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202380028530.4

    申请日:2023-03-08

    Inventor: 林口匡司

    Abstract: 冷却器包括箱体以及散热部件。上述箱体具有在第一方向的一方侧开口的凹部、以及位于上述第一方向的另一方侧而且规定上述凹部的一部分的底部。上述散热部件具备安装于上述底部而且至少一部分收纳于上述凹部的散热部件。上述底部包括弹性变形的挠性部。若对上述散热部件给与朝向上述第一方向的上述另一方侧的载荷,则从上述挠性部产生的朝向上述第一方向的上述一方侧的弹性力作用于上述散热部件。半导体模块具备冷却器、配置于上述冷却器的半导体装置、以及将上述半导体装置保持于上述冷却器的安装部件。

    半导体模块
    2.
    发明公开
    半导体模块 审中-实审

    公开(公告)号:CN117833610A

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202410016150.5

    申请日:2019-05-14

    Abstract: 本发明提供一种半导体模块,其构成要素包含半导体装置和汇流条。半导体装置具备绝缘基板、导电部件、多个开关元件、第一输入端子和第二输入端子。绝缘基板具有在厚度方向上彼此朝向相反侧的主面和背面。导电部件配置于主面。多个开关元件与导通部件以导通的状态接合。第一输入端子具有第一端子部并且与导电部件以导通的状态接合。第二输入端子具有沿着厚度方向来看与第一端子部重叠的第二端子部并且与多个开关元件导通。第二输入端子在厚度方向上相对于第一输入端子和导电部件双方分离配置。汇流条具备第一供给端子和第二供给端子。第一供给端子与第一端子部以导通的状态接合。第二供给端子与第二端子部以导通的状态接合。

    半导体装置
    3.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN116547807A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202180078349.5

    申请日:2021-12-16

    Inventor: 林口匡司

    Abstract: 半导体装置具备多个半导体元件,该多个半导体元件分别具有第一电极、第二电极以及第三电极,根据向上述第三电极输入的驱动信号,来对上述第一电极以及上述第二电极间进行通断控制。另外,该半导体装置具备:被输入上述驱动信号的控制端子;供上述控制端子连接的第一配线部;从上述第一配线部远离的第二配线部;使上述第一配线部与上述第二配线部导通的第一连接部件;以及使上述第二配线部与上述多个半导体元件的任一个的上述第三电极导通的第二连接部件。上述多个半导体元件各自的第一电极彼此电连接,上述多个半导体元件各自的第二电极彼此电连接。

    半导体装置
    4.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN116018683A

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202180055481.4

    申请日:2021-09-09

    Abstract: 半导体装置具备:相互并联连接的多个半导体元件;与上述多个半导体元件反向并联连接的整流元件;与上述多个半导体元件导通的电力端子;以及包含上述多个半导体元件所接合的焊盘部而且与上述电力端子及上述多个半导体元件导通的导电体。上述多个半导体元件包含第一元件以及第二元件。上述第一元件的至上述电力端子的最短导通路径比上述第二元件的至上述电力端子的最短导通路径短。上述焊盘部包含上述第一元件所接合的第一部、以及上述第二元件所接合的第二部。上述整流元件配置在上述焊盘部的上述第一部。

    功率模块
    5.
    发明公开
    功率模块 审中-实审

    公开(公告)号:CN114175245A

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202080054187.7

    申请日:2020-07-29

    Inventor: 林口匡司

    Abstract: 功率模块(1A)具备:具有电绝缘性的第一基板(11);配置在第一基板(11)的第一基板主面(11s)的导电性的第一搭载层(13A);配置在第一搭载层(13A)并具有各向异性的热传导系数的第一石墨板(90A);以及配置在第一石墨板(90A)的第一功率半导体元件(30A)。

    半导体功率模块
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109417067A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201780034169.0

    申请日:2017-05-31

    Abstract: 本发明提供一种半导体功率模块,包括:绝缘基板,具有一个表面和另一个表面;输出侧端子,配置于上述绝缘基板的上述一个表面侧;第1电源端子,配置于上述绝缘基板的上述一个表面侧;第2电源端子,以隔着上述绝缘基板与上述第1电源端子对置的方式配置于上述绝缘基板的上述另一个表面侧,并被施加与施加于上述第1电源端子的电压不同大小的电压;第1开关元件,配置于上述绝缘基板的上述一个表面侧,并与上述输出侧端子和上述第1电源端子电连接;和第2开关元件,配置于上述绝缘基板的上述一个表面侧,并与上述输出侧端子和上述第2电源端子电连接。

    半导体模块
    7.
    发明公开
    半导体模块 审中-实审

    公开(公告)号:CN117957653A

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202280062904.X

    申请日:2022-08-29

    Inventor: 林口匡司

    Abstract: 半导体模块具备:具备在第一方向上延伸而且与半导体元件导通的信号端子的多个半导体装置;散热器;与上述多个半导体装置的信号端子单独导通的多个第一配线基板;以及与上述多个第一配线基板导通的第二配线基板。上述多个半导体装置的任一个信号端子在上述第一方向上被压入到上述多个第一配线基板的任一个。该半导体模块还具备使上述多个第一配线基板和上述第二配线基板导通的多个连接配线。上述多个连接配线能够在与上述第一方向正交的方向上位移。

    半导体装置
    8.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN117280465A

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202280034303.8

    申请日:2022-05-02

    Inventor: 林口匡司

    Abstract: 半导体装置具有第一MOSFET和第一IGBT。所述第一MOSFET的漏极和所述第一IGBT的集电极电连接。所述第一MOSFET的源极与所述第一IGBT的发射极电连接。所述第一MOSFET的元件耐压比所述第一IGBT的元件耐压大。

    电驱动单元
    9.
    发明公开
    电驱动单元 审中-实审

    公开(公告)号:CN116073683A

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN202211280235.1

    申请日:2022-10-19

    Abstract: 逆变器(30)与电动机(20)的旋转轴方向上的一端相邻而设。逆变器(30)包括包含开关元件(46)的多个功率模块(70)、平滑电容器(60)、将它们连接起来的汇流条(80、81)以及收纳这些部件的薄型壳体(31)。开关元件(46)由碳化硅场效应晶体管构成,平滑电容器(60)和功率模块(70)中的每个以排列在与旋转轴方向正交的同一平面上的方式布置在薄型壳体(31)的内部。

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