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公开(公告)号：CN1770577A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510119275.8
申请日：2005-11-01
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , B82Y20/00 , G11B7/127 , H01L24/05 , H01L2224/04042 , H01L2224/05644 , H01L2224/48091 , H01L2224/85444 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01S5/0224 , H01S5/02248 , H01S5/02272 , H01S5/0425 , H01S5/06226 , H01S5/2214 , H01S5/34333 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体激光器及其安装方法、安装的结构和光盘系统，所述半导体激光器特征在于，第二覆层和接触层的上部分提供有一对彼此平行且有预定间距的凹槽以在其间形成脊；在脊上形成所述第二导电型侧上的电极；绝缘层设置于脊的侧表面上、凹槽的内部上，以及凹槽的外侧的区域中的接触层上，且位于凹槽的外侧的区域中的接触层上的绝缘层的那些部分的厚度至少大于第二导电型侧上的电极的厚度；以及形成焊盘电极来覆盖第二导电型侧上的电极且延伸到凹槽的外侧的区域的上表面上的绝缘层上，且位于凹槽的外侧的区域的上表面上的焊盘电极的那些部分的上表面设置得高于位于脊的上表面上的焊盘电极的部分的上表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100592588C
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200510119275.8
申请日：2005-11-01
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , B82Y20/00 , G11B7/127 , H01L24/05 , H01L2224/04042 , H01L2224/05644 , H01L2224/48091 , H01L2224/85444 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01S5/0224 , H01S5/02248 , H01S5/02272 , H01S5/0425 , H01S5/06226 , H01S5/2214 , H01S5/34333 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体激光器及其安装方法、安装的结构和光盘系统，所述半导体激光器特征在于，第二覆层的上部分和接触层提供有一对彼此平行且有预定间距的凹槽以在其间形成脊；在脊上形成所述第二导电型侧上的电极；绝缘层设置于脊的侧表面上、凹槽的内部上，以及凹槽的外侧的区域中的接触层上，且位于凹槽的外侧的区域中的接触层上的绝缘层的那些部分的厚度至少大于第二导电型侧上的电极的厚度；以及形成焊盘电极来覆盖第二导电型侧上的电极且延伸到凹槽的外侧的区域的上侧的绝缘层上，且位于凹槽的外侧的区域的上侧的焊盘电极的那些部分的上表面设置得高于位于脊的上侧的焊盘电极的部分的上表面。
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公开(公告)号：CN100376064C
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN03801074.7
申请日：2003-06-06
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L2224/18 , H01L2224/24137 , H01L2224/73267 , H01S5/02276 , H01S5/042 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/34333 , H01S5/4031
Abstract: 一种多光束型半导体激光器，其中在蓝宝石衬底或者类似衬底的一主表面上形成有具有激光器结构的氮化物系III-V族化合物半导体层，并且在所述氮化物系III-V族化合物半导体层上形成有多个阳极和阴极。一阳极被制成横跨一阴极，同时在它们之间存在一绝缘薄膜。另外一阳极被制成横跨另外一阴极，同时在它们之间也存在一绝缘薄膜。
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公开(公告)号：CN1557042A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN03801074.7
申请日：2003-06-06
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L2224/18 , H01L2224/24137 , H01L2224/73267 , H01S5/02276 , H01S5/042 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/34333 , H01S5/4031
Abstract: 一种多光束型半导体激光器，其中在蓝宝石衬底或者类似衬底的一主表面上形成有具有激光器结构的氮化物系III－V族化合物半导体层，并且在所述氮化物系III－V族化合物半导体层上形成有多个阳极和阴极。一阳极被制成横跨一阴极，同时在它们之间存在一绝缘薄膜。另外一阳极被制成横跨另外一阴极，同时在它们之间也存在一绝缘薄膜。
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公开(公告)号：CN100479277C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200480035897.6
申请日：2004-11-30
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01S5/14
CPC classification number: H01S5/141 , H01S5/02212 , H01S5/02248 , H01S5/02296 , H01S5/02415 , H01S5/02438 , H01S5/0655 , H01S5/2219 , H01S5/32341
Abstract: 本发明提供外部共振器型半导体激光器，其提供与常规的外部共振器型半导体激光器相比具有更大的输出和更优良的单模式特性。外部共振器型半导体激光器包括激光二极管(11)、窗玻璃(16)、光栅和透镜，并具有一些改进。第一种改进是，窗玻璃(16)相对于激光二极管(11)的光发射表面(19)倾斜预定的角度。第二种改进是，激光二极管(11)等的配置被调整使得S波被施加到光栅。第三种改进是，激光二极管(11)被配置为使得当输出功率为45mW或更低时抑制扭曲的产生。其它改进是，分别将激光二极管(11)的光发射表面的反射率、透镜的数值孔径、外部共振器长度和光栅的一阶光反射率设置为最佳值。
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公开(公告)号：CN1890848A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200480035897.6
申请日：2004-11-30
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01S5/14
CPC classification number: H01S5/141 , H01S5/02212 , H01S5/02248 , H01S5/02296 , H01S5/02415 , H01S5/02438 , H01S5/0655 , H01S5/2219 , H01S5/32341
Abstract: 本发明提供外部共振器型半导体激光器，其提供与常规的外部共振器型半导体激光器相比具有更大的输出和更优良的单模式特性。外部共振器型半导体激光器包括激光二极管(11)、窗玻璃(16)、光栅和透镜，并具有一些改进。第一种改进是，窗玻璃(16)相对于激光二极管(11)的光发射表面(19)倾斜预定的角度。第二种改进是，激光二极管(11)等的配置被调整使得S波被施加到光栅。第三种改进是，激光二极管(11)被配置为使得当输出功率为45mW或更低时抑制扭曲的产生。其它改进是，分别将激光二极管(11)的光发射表面的反射率、透镜的数值孔径、外部共振器长度和光栅的一阶光反射率设置为最佳值。
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