公开(公告)号：CN1770577A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510119275.8

申请日：2005-11-01

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 谷口学 ,  竹谷元伸 ,  藤本强 ,  池田昌夫 ,  桥津敏宏

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/02 ,  G11B7/125

CPC classification number: H01S5/2231 ,  B82Y20/00 ,  G11B7/127 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/34333 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体激光器及其安装方法、安装的结构和光盘系统，所述半导体激光器特征在于，第二覆层和接触层的上部分提供有一对彼此平行且有预定间距的凹槽以在其间形成脊；在脊上形成所述第二导电型侧上的电极；绝缘层设置于脊的侧表面上、凹槽的内部上，以及凹槽的外侧的区域中的接触层上，且位于凹槽的外侧的区域中的接触层上的绝缘层的那些部分的厚度至少大于第二导电型侧上的电极的厚度；以及形成焊盘电极来覆盖第二导电型侧上的电极且延伸到凹槽的外侧的区域的上表面上的绝缘层上，且位于凹槽的外侧的区域的上表面上的焊盘电极的那些部分的上表面设置得高于位于脊的上表面上的焊盘电极的部分的上表面。

公开(公告)号：CN100592588C

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200510119275.8

申请日：2005-11-01

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 谷口学 ,  竹谷元伸 ,  藤本强 ,  池田昌夫 ,  桥津敏宏

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/02 ,  G11B7/125

CPC classification number: H01S5/2231 ,  B82Y20/00 ,  G11B7/127 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/34333 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体激光器及其安装方法、安装的结构和光盘系统，所述半导体激光器特征在于，第二覆层的上部分和接触层提供有一对彼此平行且有预定间距的凹槽以在其间形成脊；在脊上形成所述第二导电型侧上的电极；绝缘层设置于脊的侧表面上、凹槽的内部上，以及凹槽的外侧的区域中的接触层上，且位于凹槽的外侧的区域中的接触层上的绝缘层的那些部分的厚度至少大于第二导电型侧上的电极的厚度；以及形成焊盘电极来覆盖第二导电型侧上的电极且延伸到凹槽的外侧的区域的上侧的绝缘层上，且位于凹槽的外侧的区域的上侧的焊盘电极的那些部分的上表面设置得高于位于脊的上侧的焊盘电极的部分的上表面。