公开(公告)号：CN101752370B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200910252948.5

申请日：2009-12-04

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 井本努 ,  小林敏夫

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L29/8605 ,  H01L27/0277 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7304 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及晶体管型保护器件和半导体集成电路。一种晶体管型保护器件包括：半导体衬底；第一导电类型的阱，形成于半导体衬底中；第二导电类型的源极区域，形成于阱中；栅电极，在源极区域的一侧经过栅极绝缘膜形成于阱中；第二导电类型的多个漏极区域，被形成为彼此分开，并且分别与栅电极正下方的阱部分分开预定距离；电阻连接部分，以预定电阻连接在多个漏极区域之间。

公开(公告)号：CN101752370A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910252948.5

申请日：2009-12-04

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 井本努 ,  小林敏夫

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L29/8605 ,  H01L27/0277 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7304 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及晶体管型保护器件和半导体集成电路。一种晶体管型保护器件包括：半导体衬底；第一导电类型的阱，形成于半导体衬底中；第二导电类型的源极区域，形成于阱中；栅电极，在源极区域的一侧经过栅极绝缘膜形成于阱中；第二导电类型的多个漏极区域，被形成为彼此分开，并且分别与栅电极正下方的阱部分分开预定距离；电阻连接部分，以预定电阻连接在多个漏极区域之间。