公开(公告)号：CN101770175B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN200910215519.0

申请日：2009-12-29

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 赵显模 ,  金相均 ,  禹昌秀 ,  金美英 ,  高尚兰 ,  尹熙灿 ,  李雨晋 ,  金钟涉

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0752 ,  C08G77/12 ,  C08G77/14 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08G77/20 ,  C08G77/24 ,  C08G77/26 ,  C08G77/50 ,  C08G77/52 ,  C08G77/70 ,  C08K5/0008 ,  C08L83/04 ,  C08L83/14 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/09 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36

Abstract: 本发明披露了一种抗蚀剂下层组合物，其包括从以下化学式1和2中的至少一种化合物与以下化学式3～5中的至少一种化合物获得的有机硅烷缩聚产物；以及溶剂。[化学式1][R1]3Si-[Ph1]1-Si[R2]3[化学式2][R1]3Si-[Ph1]m-Ph2[化学式3][R1]3Si-CH2n-R3[化学式4][R1]3Si-R4[化学式5][R1]3Si-X-Si[R2]3在以上化学式1～5中，Ph1、Ph2、R1～R4、X、l、m和n与说明书中的定义相同。

公开(公告)号：CN102713757A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201080059506.X

申请日：2010-12-08

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹熙灿 ,  金相均 ,  赵显模 ,  金美英 ,  高尚兰 ,  丁龙辰 ,  金钟涉

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/075

CPC classification number: G03F7/0752 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11

Abstract: 提供了一种抗蚀剂下层组合物，包括：有机硅烷类缩聚物以及溶剂。该有机硅烷类缩聚物以10到40mol%由说明书中化学式1表示的结构单元提供。因此，本发明提供一种可传输优异图案以形成具有优异的存储稳定性和耐蚀刻性的抗蚀剂下层的抗蚀剂下层组合物，且本发明还涉及使用该抗蚀剂下层组合物制造半导体集成电路器件的方法。

公开(公告)号：CN101910947A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200880124489.6

申请日：2008-12-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 金相均 ,  赵显模 ,  高尚兰 ,  金美英 ,  尹熙灿 ,  丁龙辰 ,  金钟涉

IPC: G03F7/11

CPC classification number: H01L21/31144 ,  C08G77/16 ,  C08G77/50 ,  C08G77/52 ,  C08G77/70 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明提供了一种硅基硬掩模组合物。该硬掩模组合物包含(a)有机硅烷聚合物及(b)溶剂。该有机硅烷聚合物以式1表示：{(SiO1.5-Y-SiO1.5)x(R3SiO1.5)y(XSiO1.5)z}(OH)e(OR6)f(1)。在式1中，x、y及z表示聚合物中的重复单元(SiO1.5-Y-SiO1.5)、(R3SiO1.5)及(XSiO1.5)的相对比例，且满足关系式0.05≤x≤0.9、0.05≤y≤0.9、0≤z≤0.9及x+y+z＝1；e及f分别表示键结至硅(Si)原子的末端-OH基数目及末端-OR基数目对聚合物中的2x+y+z硅(Si)原子数目之比，且满足关系式0.03≤e≤0.2及0.03≤f≤0.25；X为含有至少一个经取代或未经取代的芳香环的C6-C30官能基；R3为C1-C6烷基；Y为选自由芳香环、经取代或未经取代的直链或支链C1-C20亚烷基、主链中含有至少一个芳香环或杂环系环或具有至少一个脲基或异氰尿酸酯基的C1-C20亚烷基及含有至少一个多重键的C2-C20烃基所组成的组中的连接基；及R6为C1-C6烷基。

公开(公告)号：CN101770176A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200910215844.7

申请日：2009-12-30

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 赵显模 ,  金相均 ,  金美英 ,  高尚兰 ,  尹熙灿 ,  丁龙辰 ,  金钟涉 ,  郑仁善

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08K5/54 ,  G03F7/0752

Abstract: 本发明披露了一种抗蚀剂下层组合物，其包括由以下化学式1至3表示的化合物中的至少一种以及由以下化学式4和5表示的化合物中的至少一种的有机硅烷基聚合产物，以及溶剂。在以下化学式1至5中，R1至R10、X、n以及m与在说明书中所限定的相同。[化学式1][R1]3Si-(CH2)nR2[化学式2][化学式3][R6]3Si-R7-Si[R6]3[化学式4][R8]3Si-R9[化学式5][R10]3Si-X-Si[R10]3。

公开(公告)号：CN101506941A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200680055586.5

申请日：2006-12-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹熙灿 ,  金相均 ,  林相学 ,  金美英 ,  高尚兰 ,  鱼东善 ,  金钟涉 ,  金到贤

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  C08G77/04 ,  C09D183/04 ,  H01L21/0276

Abstract: 本发明公开了一种用于处理抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物。这种硬掩模组合物含有：(a)由[RO]3Si－R′(1)表示的化合物制备的含烷氧基有机硅烷聚合物(其中R是甲基或乙基，而R′是取代或未取代的环状或无环烷基)，或由式1的化合物和[RO]3Si－Ar(2)表示的化合物(其中R是甲基或乙基，而Ar是含芳环官能团)制备的含烷氧基有机硅烷聚合物；和(b)溶剂。该硬掩模组合物具有优良的膜特性。另外，该硬掩模组合物表现出优良的硬掩模特性，由此能够把好的图案有效地转印到材料层。特别地，该硬掩模组合物在储存期间是高度稳定的。进而本申请还公开了一种用于采用该硬掩模组合物生产半导体集成电路器件的方法。

公开(公告)号：CN102695987B

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201080060384.6

申请日：2010-12-10

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 金美英 ,  金相均 ,  赵显模 ,  禹昌秀 ,  高尚兰 ,  尹熙灿 ,  李雨晋 ,  金钟涉

IPC: G03F7/11

CPC classification number: G03F7/0752 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11

Abstract: 根据本发明的一个实施方式，一种光致抗蚀剂底层组合物，包括（A）下述化学式1表示的聚硅氧烷树脂和（B）溶剂。根据化学式1：{(SiO1.5-Y-SiO1.5)x(SiO2)y(XSiO1.5)z}(OH)e(OR1)f，所述光致抗蚀剂底层能够具有优良的储存性和耐蚀刻性，并且具有可容易控制的表面特性，以及能够使光致抗蚀剂图案稳定地形成。

公开(公告)号：CN102819192B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201210272558.6

申请日：2009-12-30

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 赵显模 ,  金相均 ,  金美英 ,  高尚兰 ,  尹熙灿 ,  丁龙辰 ,  金钟涉 ,  郑仁善

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08K5/54 ,  G03F7/0752

Abstract: 本发明提供了一种抗蚀剂下层组合物及利用其制造集成电路器件的方法。所述抗蚀剂下层组合物包括由以下化学式1至3表示的化合物中的至少一种以及由以下化学式4和5表示的化合物中的至少一种的有机硅烷基聚合产物，以及溶剂。在以下化学式1至5中，R1至R10、X、n以及m与在说明书中所限定的相同。[化学式1] [R1]3Si-(CH2)nR2[化学式2][化学式3] [R6]3Si-R7-Si[R6]3[化学式4] [R8]3Si-R9[化学式5] [R10]3Si-X-Si[R10]3。

公开(公告)号：CN101910947B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN200880124489.6

申请日：2008-12-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 金相均 ,  赵显模 ,  高尚兰 ,  金美英 ,  尹熙灿 ,  丁龙辰 ,  金钟涉

IPC: G03F7/11

CPC classification number: H01L21/31144 ,  C08G77/16 ,  C08G77/50 ,  C08G77/52 ,  C08G77/70 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明提供了一种硅基硬掩模组合物。该硬掩模组合物包含(a)有机硅烷聚合物及(b)溶剂。该有机硅烷聚合物以式1表示：{(SiO1.5-Y-SiO1.5)x(R3SiO1.5)y(XSiO1.5)z}(OH)e(OR6)f(1)。在式1中，x、y及z表示聚合物中的重复单元(SiO1.5-Y-SiO1.5)、(R3SiO1.5)及(XSiO1.5)的相对比例，且满足关系式0.05≤x≤0.9、0.05≤y≤0.9、0≤z≤0.9及x+y+z＝1；e及f分别表示键结至硅(Si)原子的末端-OH基数目及末端-OR基数目对聚合物中的2x+y+z硅(Si)原子数目之比，且满足关系式0.03≤e≤0.2及0.03≤f≤0.25；X为含有至少一个经取代或未经取代的芳香环的C6-C30官能基；R3为C1-C6烷基；Y为选自由芳香环、经取代或未经取代的直链或支链C1-C20亚烷基、主链中含有至少一个芳香环或杂环系环或具有至少一个脲基或异氰尿酸酯基的C1-C20亚烷基及含有至少一个多重键的C2-C20烃基所组成的组中的连接基；及R6为C1-C6烷基。

公开(公告)号：CN102816432A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210147546.0

申请日：2012-05-11

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 沙赫鲁赫·穆塔尔里比 ,  西纳·马克苏迪 ,  禹昌秀 ,  金佑翰 ,  高尚兰 ,  安炫贞 ,  车承桓 ,  申峻乎

IPC: C08L83/04 ,  H01L33/56 ,  H01L31/048 ,  H01L51/54

CPC classification number: H01L33/56 ,  C08G77/12 ,  C08G77/20 ,  C08G77/52 ,  C08L83/14 ,  C08L83/00

Abstract: 本发明涉及一种树脂组合物和利用其形成的透明密封剂、以及电子装置。该树脂组合物包括聚硅氧烷，所述聚硅氧烷包括由以下化学式1表示的部分：[化学式1]*-Si-AR-Si-*其中，在化学式1中，AR是取代或未取代的C6至C30亚芳基或者包括取代或未取代的C6至C30亚芳基。

公开(公告)号：CN101506941B

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN200680055586.5

申请日：2006-12-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹熙灿 ,  金相均 ,  林相学 ,  金美英 ,  高尚兰 ,  鱼东善 ,  金钟涉 ,  金到贤

IPC: G03F7/075 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  C08G77/04 ,  C09D183/04 ,  H01L21/0276

Abstract: 一种处理抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物，包含溶剂和有机硅聚合物，其中有机硅聚合物由结构式6表示：在结构式6中，R是甲基或乙基，R′是取代或未取代的环状或无环烷基，Ar是含芳环官能团，x、y和z满足关系式x+y＝4，0.4≤x≤4，0≤y≤3.6，和4×10-4≤z≤1，而n为约3至约500。