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公开(公告)号：CN100553876C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200610071810.1
申请日：2006-03-16
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: B24B7/16 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/042
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体晶圆的材料去除加工的方法，其中固定在晶圆保持器上的半导体晶圆以及位于其对面的磨轮相互独立地旋转，该磨轮相对于半导体晶圆横向偏置地设置，并且以这样的方式定位，即使得半导体晶圆的轴向中心进入磨轮的工作范围，该磨轮以进给速率朝着半导体晶圆的方向移动，结果在半导体晶圆以及磨轮围绕平行的轴线旋转时，磨轮以及半导体晶圆朝着彼此推进，于是半导体晶圆的表面被研磨，去除一定量的材料后，磨轮以回退速率移回，其中在半导体晶圆旋转一圈的过程中，磨轮以及半导体晶圆朝着彼此推进的距离为0.03至0.5微米。
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公开(公告)号：CN1667799A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN200510054723.0
申请日：2005-03-11
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: H01L21/304 , B24B7/17
CPC classification number: B24B37/08 , B24B41/061 , B24B49/08 , H01L21/02013
Abstract: 本发明涉及一种同时双面研磨晶片形工件(1)的装置，包括两个具有共线布置的旋转轴(9)的大体上为圆形的磨轮(3)，其中磨轮(3)的研磨表面(10)以旋转轴(9)为基准在轴向彼此相对地设置，还包括两个同样彼此相对地设置的、用于流体静力学地支撑晶片形工件(1)的装置(2)，每个装置(2)包括至少一个流体静力学支撑、和在每种情况下用于量测工件(1)与用于流体静力学支撑的装置(2)之间的间隔的至少一个动压管(4)，其中，两个用于流体静力学支撑的装置(2)中每一个的面对工件(1)的表面(7)是非平面设计，使得表面(7)与工件(1)之间的间隔在用于流体静力学支撑的装置(2)朝向磨轮(3)的边缘(8)处采用最小值，并且该间隔随到磨轮(3)的距离增加而增大。此外，至少一个孔设置在动压管附近，液体与被磨下的任何材料可通过孔从动压管附近排出。
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公开(公告)号：CN1833815A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200610071810.1
申请日：2006-03-16
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: B24B7/16 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/042
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体晶圆的材料去除加工的方法，其中固定在晶圆保持器上的半导体晶圆以及位于其对面的磨轮相互独立地旋转，该磨轮相对于半导体晶圆横向偏置地设置，并且以这样的方式定位，即使得半导体晶圆的轴向中心进入磨轮的工作范围，该磨轮以进给速率朝着半导体晶圆的方向移动，结果在半导体晶圆以及磨轮围绕平行的轴线旋转时，磨轮以及半导体晶圆朝着彼此推进，于是半导体晶圆的表面被研磨，去除一定量的材料后，磨轮以回退速率移回，其中在半导体晶圆旋转一圈的过程中，磨轮以及半导体晶圆朝着彼此推进的距离为0.03至0.5微米。
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公开(公告)号：CN100364062C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200510054723.0
申请日：2005-03-11
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: H01L21/304 , B24B7/17
CPC classification number: B24B37/08 , B24B41/061 , B24B49/08 , H01L21/02013
Abstract: 本发明涉及一种同时双面研磨晶片形工件(1)的装置，包括两个具有共线布置的旋转轴(9)的大体上为圆形的磨轮(3)，其中磨轮(3)的研磨表面(10)以旋转轴(9)为基准在轴向彼此相对地设置，还包括两个同样彼此相对地设置的、用于流体静力学地支撑晶片形工件(1)的装置(2)，每个装置(2)包括至少一个流体静力学支撑和在每种情况下用于量测工件(1)与用于流体静力学支撑的装置(2)之间的间隔的至少一个动压管(4)，其中，两个用于流体静力学支撑的装置(2)中每一个的面对工件(1)的表面(7)是非平面设计，使得表面(7)与工件(1)之间的间隔在用于流体静力学支撑的装置(2)朝向磨轮(3)的边缘(8)的距离最短，并且该间隔随到磨轮(3)的距离增加而增大。此外，至少一个孔设置在动压管附近，液体与被磨下的任何材料可通过孔从动压管附近排出。
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