半导体器件
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105841603B

    公开(公告)日:2020-11-10

    申请号:CN201610036818.8

    申请日:2016-01-20

    Abstract: 本发明涉及一种半导体器件,在该半导体器件中,将正弦波信号输入到第一输入部,并且将余弦波信号输入到第二输入部。多路复用器交替选择正弦波信号和余弦波信号中的一个。模数转换器将多路复用器的输出信号转换成数字值。切换电路耦合在第一和第二输入部中的至少一个与多路复用器之间。为了减小由A/D转换器的非线性误差引起的角度确定误差,切换电路被配置为能反转输入的正弦波信号或输入的余弦波信号。

    半导体器件
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105841603A

    公开(公告)日:2016-08-10

    申请号:CN201610036818.8

    申请日:2016-01-20

    Abstract: 本发明涉及一种半导体器件,在该半导体器件中,将正弦波信号输入到第一输入部,并且将余弦波信号输入到第二输入部。多路复用器交替选择正弦波信号和余弦波信号中的一个。模数转换器将多路复用器的输出信号转换成数字值。切换电路耦合在第一和第二输入部中的至少一个与多路复用器之间。为了减小由A/D转换器的非线性误差引起的角度确定误差,切换电路被配置为能反转输入的正弦波信号或输入的余弦波信号。

    半导体器件
    5.
    发明公开
    半导体器件 审中-实审

    公开(公告)号:CN116936563A

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202310151804.0

    申请日:2023-02-22

    Abstract: 一种半导体器件包括被布置在层间介电膜上的多个电阻膜。多个电阻膜中的每一个在平面图中在第一方向上延伸。多个电阻膜在平面图中被布置成在与第一方向正交的第二方向上间隔开。多个电阻膜被划分成第一组、第二组和第三组。第一组在第二方向上位于第二组与第三组之间。属于第二组的多个第二电阻膜的每一个的第二宽度变化量和属于第三组的多个第三电阻膜的每一个的第三宽度变化量大于属于第一组的多个第一电阻膜中的每一个的第一宽度变化量。

    半导体装置
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107171668B

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN201710102441.6

    申请日:2017-02-24

    Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。根据本发明的半导体装置具有电容DAC(数模转换器)电路以及比较器。所述电容DAC电路包括:第一电容器,向其给予输入信号并且第一电容器中每个电容器均具有对应于待转换的位的权重的电容值;以及第二电容器,向其给予公共电压并且其电容值之和与所述第一电容器的电容值相等。进一步,所述第二电容器包括:冗余位电容器,其具有对应于冗余位的权重的电容值;以及调整电容器,调整电容器中每个电容器均具有通过从所述第二电容器的电容值之和中减去所述冗余位电容器的电容值所得的电容值。

    半导体装置
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107171668A

    公开(公告)日:2017-09-15

    申请号:CN201710102441.6

    申请日:2017-02-24

    CPC classification number: H03M1/466 H03M1/06 H03M1/0695 H03M1/468 H03M1/26

    Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。根据本发明的半导体装置具有电容DAC(数模转换器)电路以及比较器。所述电容DAC电路包括:第一电容器,向其给予输入信号并且第一电容器中每个电容器均具有对应于待转换的位的权重的电容值;以及第二电容器,向其给予公共电压并且其电容值之和与所述第一电容器的电容值相等。进一步,所述第二电容器包括:冗余位电容器,其具有对应于冗余位的权重的电容值;以及调整电容器,调整电容器中每个电容器均具有通过从所述第二电容器的电容值之和中减去所述冗余位电容器的电容值所得的电容值。

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